表面活性剂掺杂的聚芴类蓝光器件

用PVK作空穴传输／电子阻挡层．提高了ITO／PEDOT／PVK／PDOF／Ba／Al器件的发光效率，但器件的启亮电压也增加。同PDOF单层器件相比，相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高。在芴均聚物(PEOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂Li—NPTEOS表面活性剂可以提高器件的EL效率，有效地抑制EL光谱红移现象。掺杂浓度在10％～20％(质量分数)，PVK作为电子阻挡层的蓝光器件的EL效率可达1％。掺杂引起的PFO能级的改变降低了空穴注入的势垒高度．使电子和空穴注入趋于平衡以及在电场作用下Li-NPTEOS的偶极取向作用可能是提高量子效率、降低启亮电压和工作电压的根本原因。     

一种基于液晶性质的Pt配合物磷光材料电致发光器件

采用聚合物掺杂的方式,利用旋涂工艺制备了ITO/PVK:TOPPt/BCP(20 nm)/Mg:Ag(200 nm)结构的有机电致发光器件(OLED)。对掺杂浓度为2%(器件A)和4%(器件B)的磷光聚合物掺杂体系的光致发光(PL)和电致发光(EL)性质进行了分析研究,并对主体材料PVK到磷光客体材料TOPPPt的能量传递机制进行了讨论。实验表明,器件的EL谱谱峰位于625 nm,器件A在25 V时最大亮度为3037 cd/m2,最大电流效率为3.15cd/A。器件的EL谱不会随着偏置电压和掺杂浓度而改变,器件具有较好的稳定性。     

Tb(p-MBA)3phen与PVK混合体系发光性质研究

研究了铽配合物Tb(p-MBA)3phen与聚乙烯咔唑PVK共掺杂体系的电致发光(EL)和光致发光(PL)特性。结果发现,在EL中,PVK的发光完全被抑制,只能看到明显的Tb^3 绿光发射;而在PL中,除了Tb^3 发光外,还可以看到明显的PVK发光。这是由于两种发光机理不同造成的。通过测量材料的发射光谱和激发光谱,初步探讨了器件的发光机理,认为Tb^3 的发光可能来源于2个方面：1)PVK到稀土配合物的Foerester能量传递;2)PVK作为一种空穴传输材料,而稀土配合物作为电子陷阱,受激的空穴和电子直接被稀土配合物俘获,在稀土配合物上形成激子复合发光。所制作的单层器件的最大亮度达24．8cd／m^2。     

电荷转移组合薄膜的光电导性质研究

C60作为一种新型材料，由于其独特的电子结构，具有较大的电子亲和势（~2．6eV），是一种优良的电子受体，接受电子可多达6个，而PVK的电离势为Ip=5．9eV，是较好的电子给体，将C60掺杂到PKV中去，可以极大地提高PVK的光电导性能，而我们用新型的制膜技术制备薄膜的结果表明，PVK／C60分层膜的光电导可以有几个量级的增强。我们采用物理喷束波积制膜技术（PJD）装置，安装有两个喷束头，待镀材料C60和PVK分别受热蒸发，再由惰性气体挟带C60和PVK分子喷镀到基片上，通过转动样品架，可以获得混合、分层、单层等多种系列薄膜。通…     

聚乙烯基咔唑对稀土络合物发光特性的影响

本文报导了稀土红色荧光络合物－Eu(TTA)m复合体系与聚乙烯基咔唑（PVK）共混体系的光致发光和电致发光性质。通过对吸收光谱和发射光谱的测量,可知在光致发光中存在PVK向Eu(TTA).复合体系的能量传递,但在较大的掺杂浓度下仍存在来自PVK的发光.在电场激发条件下,此共混体系的电致发光仅有稀土络合物的特征发光而很难看到PVK的特征发光.并且这种电致发光器件的稳定性明显改善,另外在器件结构中加入电子传输层可明显提高器件的发光效率.     

利用多掺杂体系制备白色OLED的研究

利用PVK、Eu(aspirin)3phen稀土配合物和Alq3共掺杂体系,制备了PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3为发光层、结构为ITO/PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3/BCP/Alq3/Al的有机发光二极管显示器件(OLED).保持PVK和Eu(aspirin)3phen的质量比为5∶1不变,改变PVK和Alq3的质量比,当PVK和Alq3的质量比为10∶1,得到了效果较好的白光,在电压为16 V时,器件色坐标达到(0.32,0.31),亮度为150 cd/m2.分析了掺杂体系中的能量传递过程以及器件的电致发光(EL)机理.     

蓝光聚合物共混材料的发光特性

研究了不同组成PVK和P6共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性．用不同比例PVK∶P6共混材料为发光层和Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件,测量器件的电致发光谱、电流-电压特性和亮度-电压特性．结果表明,共混材料的光致发光强度比PVK和P6都有明显的增强,且随PVK浓度的增加而增强;器件电致发光强度随PVK浓度的增加而增强;不同PVK掺杂浓度对电致发光器件的开启特性没有明显影响,发光亮度随PVK掺杂浓度的增加而增大．     

蓝光聚合物共混材料的发光特性

研究了不同组成 PVK和 P6 共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性 .用不同比例 PVK∶ P6 共混材料为发光层和 Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件 ,测量器件的电致发光谱、电流 -电压特性和亮度 -电压特性 .结果表明 ,共混材料的光致发光强度比 PVK和 P6 都有明显的增强 ,且随 PVK浓度的增加而增强 ;器件电致发光强度随 PVK浓度的增加而增强 ;不同 PVK掺杂浓度对电致发光器件的开启特性没有明显影响 ,发光亮度随 PVK掺杂浓度的增加而增大 .     

Tb配合物TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O的电致发光器件

合成了一类新型稀土配合物TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O,将其掺杂到导电聚合物聚乙稀咔唑(PVK)中获得了纯正、明亮的绿光发射.用这种掺杂体系分别制作了2类器件:1) ITO/PVK:TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O/LiF/Al;2) ITO/PVK:TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O/BCP/AlQ/LiF/Al.器件1的起亮电压为13 V,在21 V时最大亮度为18.2 cd/m2;结构优化的器件2,在23 V 时最大亮度可达124.5 cd/m2.将这种材料的发光性能与另一种稀土配合物Tb(o-MOBA)3phen·H2O相比较,并分别讨论了其光致发光(PL)和电致发光(EL)机理.     

激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC

通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120nm,脉冲个数为50时,掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×10~(17) cm~(-3),最小体电阻率为17.36Ω·cm,掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×10~(19) cm~(-3)。4H-SiC的Al掺杂改性机理为:在紫外激光作用下,Si—C键断裂,Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。     

激光光学中的有效材料—改性光学聚合物

1.前言晶体、无机玻璃、介电薄膜、金属和复合材料是人们所熟知的用于激光光学的常规光学材料。透明聚合物材料,在许多激光应用中具有重要的意义.染料掺杂聚合物在研制染料激光器的固态元件、被动激光开关、空间滤光片等方面.有特殊的实用价值。因此,透明聚合物较无机玻璃及晶体具有绝对优势,因为聚合物可以掺杂染料高达10~(-2)mole/l浓度。本文将综合论述聚合物材料的基本光学性质、抗激光损伤、染     

PVK:NPB复合空穴传输层对有机电致发光器件的影响

采用poly(N-vinylearbazole)(PVK):N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-bipheny-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)掺杂体系作为复合空穴传输层,通过调节该体系的组分,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/PVK:NPB/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双层有机电致发光器件(OLED),研究了具有不同掺杂质量比的OLED器件的电致发光特性,并对掺杂薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明,将NPB掺杂到PVK中会提高空穴传输能力,改善器件的发光亮度和效率,并调节载流子复合区域的位置,光谱谱峰从509 nm移动到530 mm;但随着NPB质量比例提高,掺杂薄膜表面的平均粗糙度由3 nm上升为10 mm,电流密度和亮度先升高后降低.当PVK和NPB的掺杂质量比为l:3时,器件具有最优性能,发光亮度达到7852 cd/m2,功率效率为1.75 lm/W.     

激光诱导化学掺杂及其在半导体器件制备中的应用

本文在叙述了激光诱导化学掺杂技术基本原理的基础上,主要介绍了连续波激光直写化学掺杂和脉冲激光化学掺杂的方法及其掺杂特性,最后简要介绍了它在半导体器件制备工艺中的应用。     

基于电荷传输层优化的量子点发光二极管

采用溶液法旋涂薄膜、真空蒸镀铝电极,制备了ITO/PEDOT∶PSS/空穴传输材料/量子点/纳米氧化锌(ZnO Nanoparticles)/Al结构的量子点发光二极管(QLED)器件。对比了不同纳米氧化锌分散剂对器件性能的影响。当用乙醇和乙醇胺分散氧化锌时,对量子点层破坏较小,器件的亮度最高达22 940cd/m2,电流效率达28.9cd/A。研究了在聚乙烯咔唑(PVK)中掺杂不同比例4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)器件的发光特性。在PVK中掺杂TAPC材料能够促进器件空穴传输以及电子空穴注入平衡,当PVK∶TAPC=3∶1时,器件的空穴传输层形貌较为平整,亮度较高;当PVK∶TAPC=1∶1时,器件的开启电压最低。通过对器件膜层表面形貌以及电学、光学性能的对比,分析了电荷传输层优化对器件特性改善的原因。     

富勒稀在光电导中的应用

富勒稀及其衍生物是良好的电子受体，可以增加导电聚合物的光电导性能。本文着重以C60为例，分别介绍了在导电聚合物中掺杂富勒稀形成的掺杂体系和二者形成的分层体系。在两个体系中，导电聚合物作为电子给体，C60作为电子受体，促进了激子的解离，提高了体系的感光灵敏度。同时，针对两个体系的不足之处，提出了相应的改进措施。     

掺杂聚合物的激光微烧蚀推进性能研究现状

基于激光微烧蚀聚合物产生微冲量这一原理,研究10^-5 N·s至10^-7N．s量级冲量的激光微推力器是当前一个研究热点。聚合物对入射激光的吸收率往往很低,掺杂是提高聚合物的激光微烧蚀性能的一个重要途径。回顾了掺杂聚合物的推进性能实验,分析了不同掺杂下推进性能的实验结果,认为以碳、红外染料或者含能材料作为掺杂剂可以获得较好的推进性能参数,含能聚合物是较好的备选靶材。为国内掺杂聚合物激光微推进性能的研究提供了有益参考。     

锰铬体掺杂氧化铝陶瓷及其金属化

基于95%氧化铝陶瓷开展锰铬体掺杂改性,掺杂后陶瓷样品的表面二次电子发射系数明显减小,表面电阻率显著降低,从而使其具有更高的表面绝缘能力(真空中)。针对锰铬体掺杂陶瓷样品开展了金属化试验,结果表明:通过对金属化膏剂配方和工艺的适当调整,体掺杂陶瓷的金属化效果良好,气密性和机械强度均满足使用要求。     

新型稀土配合物红色有机电致发光器件

合成了一种新型的共掺杂稀土Eu-Gd配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,将其作为红光发射材料制备了结构为ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al的有机电致发光薄膜器件,得到了单色性好的红色有机电致发光器件,器件的开启电压为9 V,在16 V时达到最大亮度109 nit.研究了Eu-Gd配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,结果发现两者间存在着能量转移,表明Gd3 的存在促进了PVK到Eu3 的能量传递.     

聚乙烯咔唑／铟锡氧化物的界面分析

用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK／铟锡氧化物(ITO)界面电子状态。结果表明，PVK分子虽然体积较大，但分布较均匀。XPS数据显示，在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化，但PVK分子的侧基和In2O2分子结构发生了变化，因为界面处存在大量的，不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键；在界面处，In2O3分子部分分解，所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C—O键；所产生的In原子则扩散至PVK内部。     

LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究

选用8-羟基喹啉铝(Alq3)作基材,用具有强红光发射的四(4-羟基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)对Alq3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq3:TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳(DLC)薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较.结果表明:将LiF、DLC薄层分别用在Alq3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增强器件的电子注入;在ITO/PVK之间使用LiF薄层可起到限制空穴注入,达到载流子平衡注入的目的.由此认为电子和空穴的平衡注入与合适的栽流子复合区域是器件获得高亮度与高效率的根本原因.