片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

微波功率SiGe HBT研究进展

Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。     

AlGaAs/GaAs HBT电压比较器

本文对异质结双极晶体管(HBT)电压比较器进行了理论分析,设计并制作了国内第一个AlGaAs/GaAs HBT电压比较器电路。首先,分析了HBT的基本工作原理;然后比较详细地分析了ECL电压比较器的工作原理并进行了设计。随后介绍了HBT的E-M模型,提取了模型参数,并对电路进行了模拟;最后全面介绍了AlGaAs/GaAs HBT电压比较器的制作过程。测试结果表明,HBT器件直流电流增益大于100,f_T为15.2GHz,f_(max)为14.8GHz;电路具有取样和锁存能力,并具有电压比较器的初步功能。     

极端低温下SiGe HBT器件研究进展

系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现象。在电路级,分析了基于SiGe HBT的运算放大器、低噪声放大器和电压基准源电路的低温工作特性。研究结果表明,SiGe HBT器件在低温微电子应用中具有巨大潜力。     

免镇流电阻的非均匀发射极指间距设计对多指功率双极晶体管射频功率性能的改善（英文）

对不添加镇流电阻的非均匀发射极条间距的多发射极条异质结双极晶体管(HBT)的射频功率性能和表面温度分布进行了测量,并与常规采用镇流电阻的多发射极条功率HBT进行了比较。实验结果表明,对具有非均匀发射极条间距的多发射极条HBT,采用USQFITMS红外测量系统测得的最高表面温度、温度分布均匀性以及采用射频测量系统测得的射频功率增益和功率附加效率,分别低于、好于和高于具有镇流电阻的多发射极条功率HBT的情况。这些结果的取得,得益于采用非均匀发射极条间距改善了多发射极条HBT的热电正反馈和不同发射极条之间的热耦合,以及摆脱了传统HBT加镇流电阻带来的对射频功率性能的负作用。     

免镇流电阻的非均匀发射极指间距设计对多指功率双极晶体管射频功率性能的改善

对不添加镇流电阻的非均匀发射极条间距的多发射极条异质结双极晶体管（HBT）的射频功率性能和表面温度分布进行了测量,并与常规采用镇流电阻的多发射极条功率HBT进行了比较。实验结果表明,对具有非均匀发射极条间距的多发射极条HBT,采用US QFI TMS红外测量系统测得的最高表面温度、温度分布均匀性以及采用射频测量系统测得的射频功率增益和功率附加效率,分别低于、好于和高于具有镇流电阻的多发射极条功率HBT的情况。这些结果的取得,得益于采用非均匀发射极条间距改善了多发射极条HBT的热电正反馈和不同发射极条之间的热耦合,以及摆脱了传统HBT加镇流电阻带来的对射频功率性能的负作用。     

熔断电阻器瞬态特性仿真分析

为了简单有效地改进熔断电阻器的性能,采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型,对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,并进行了实验验证。通过对熔断电阻器的热电耦合模拟,得到了不同电流下的熔断时间和温度分布云图。熔断时间的实验结果和模拟结果误差率为5%左右,这为熔断电阻器的设计和生产提供了方法和理论依据。     

SiGe HBT直流电流增益模型研究

基于器件结构特点和电学特性,研究了影响SiGe HBT(异质结双极晶体管)直流电流增益的主要因素,分析了不同的电流密度条件下,器件的物理参数、结构参数与集电极电流密度和中性基区复合电流的关系,建立了SiGe HBT集电极电流密度,空穴反注入电流密度、中性基区复合电流、SRH(Shockley-Read- Hall)复合电流密度、俄歇复合电流密度以及直流电流增益模型,对直流电流增益模型进行了模拟仿真,分析了器件物理、结构参数以及复合电流与直流电流增益的关系,得到了SiGe HBT直流电流增益特性的优化理论依据.     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

介绍多层片式znO压敏电阻器的材料组成、电板材料、生产工艺及电性能，并与圆片引线型压教电阻器进行了比较。多层片式znO压教电阻器具有许多优点，如体积小、通流容量大，响应速度快，表面安装性好和实现低压化等，流延和电镀是多层片式压敏电阻器生产中比较重要的工艺。最后指出多层片式压敏电阻器的方向。     

具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管

采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性,在5.4GHz饱和输出功率为30dBm,在11GHz 1dB压缩点输出功率大于21.6dBm.功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性,非常适合制作微波大功率HBT放大器.     

脉冲预电离非自持纵向放电CO2激光器

研究了脉冲预电离的非自持纵向放电CO2激光器。采用了一种新颖的螺旋形横向脉冲预电离结构。激光器的主放电和输出功率由外加的预电离脉冲控制,可省去限流电阻。最大电光转换效率达19%。     

Characterization of RF power BJT and improvement of thermalstability with nonlinear base ballasting

A novel base ballasting scheme for interdigitated power RF bipolar transistors has demonstrated improved performance and thermal stability. The nonlinear ballast resistor in series with each base finger is implemented using a depletion-mode FET, which requires only minor modification in the fabrication process. Mixed-mode simulation, instead of analytical equations, is used for more accurate device characterization     

高功率固体激光放大器中增益均匀化研究

针对高功率固体激光放大器中增益分布不均匀的现象,为获得较为均匀的增益分布,提出了分布式泵浦的方法.相对于均匀泵浦,分布式泵浦就是通过设计使得泵浦场具有一定的分布.在总体泵浦功率相同的情况下,分别对均匀泵浦和一定分布的分布式泵浦条件下产生的增益分布进行了模拟计算.结果表明,与均匀泵浦相比,使用分布式泵浦方法获得了较为均匀...     

用于功率放大器的随温度可调负压偏置电路

设计了一种应用于GaN功率放大器栅极调制的随温度可调负压偏置电路。电路由电压基准模块、温度传感器模块、比较器阵列以及误差放大器及其对应的功率管与反馈电阻等组成,通过基准电压与温度传感器输出电压的比较,输出数字控制信号到反馈电阻中的可变电阻模块,改变可变电阻阻值进而改变电路输出电压,实现芯片电压随温度可调。电路结构简单、易于实现、应用方便,同时电路中引入了修调电阻结构,极大提高了基准输出精度。电路芯片面积为1.10 mm×0.64 mm,采用0.5μm CMOS工艺进行了流片并完成了后期测试验证。结果表明,芯片可实现输出电压的随温度可调,有效解决了GaN功率放大器在相同的栅极偏置电压下输出功率随温度升高而减小的问题。     

高功率横流CO2激光器的新型管板式电极

提出一种更适用于焊接等场合的低阶模输出的新型管板式电极。阳极块长边沿阴极管方向,提高了放电均匀性和稳定性,增加了有效放电长度;阳极沿气流方向的长度和阴阳两极之间的距离根据输出模式确定,可充分利用激活体积,提高选模激光光电转换效率;其放电均匀稳定,可减小限流电阻值,降低外电路电功损耗。与现有管板电极相比,可提高注入到激活体积内的电功率密度,明显提高选模激光输出功率和总体效率。多模输出时直接光电转换效率可达20%;低阶模TEM11输出时光电转换效率可达15%,激光器总效率达8%。该电极结构适用于国内生产的横流CO2激光器,在不同模式输出时均能获得较高的光电转换效率,从而使其更好地应用于焊接等低阶模输出场合。     

微波大功率晶体管基极镇流方法研究

长期以来,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻．以及PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案,采用传感器探测结温,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流MOS管,来完成微波功率晶体管的过温保护,和常温解除功能,最终实现对功率器件的实时有效保护,使器件同时具备更高的可靠性,更优的电学性能。     

Emitter ballasting resistor design for, and current handlingcapability of AlGaAs/GaAs power heterojunction bipolar transistors

A systematic investigation of the emitter ballasting resistor for power heterojunction bipolar transistors (HBTs) is presented. The current handling capability of power HBTs is found to improve with ballasting resistance. An equation for the optimal ballasting resistance is presented, where the effects of thermal conductivity of the substrate material and the temperature coefficient of the ballasting resistor are taken into account. Current levels of 400 to 800 mA/mm of emitter periphery at case temperatures of 25 to -80°C for power AlGaAs/GaAs HBTs have been obtained using an on-chip lightly doped GaAs emitter ballasting resistor. Device temperature has been measured using both an infrared microradiometer and temperature-sensitive electrical parameters. Steady-state and transient thermal modeling are also performed. Although the measured temperature is spatially nonuniform, the modeling results show that such nonuniformities would occur for a uniform current distribution, as would be expected for an HBT with emitter ballasting resistors     

Star couplers with gain using fiber amplifiers

The authors propose a novel technique for constructing large passive star couplers with gain using high-power erbium-doped fiber (EDF) amplifiers. In contrast to other proposed techniques where each output port of the coupler requires its own EDF amplifier, the proposed alternative requires few EDF amplifiers with sufficient output saturation power levels. When used in an FDM/WDM star network, the size of the coupler can be increased by a factor of m using m narrowband EDF amplifiers. Moreover, this alternative avoids coupling the pump-laser light through the star coupler itself, alleviating the requirement on designing large bandwidth couplers to accommodate the signal and the pump wavelengths     

浅谈10kW全固态调频发射机

10 kW全固态调频发射机是由两部一模一样的5 kW功放经功率合成后输出,每个5 kW功放是由5个一模一样的1 kW放大单元,经功率分配,合成网络输出。