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简要评述硅基光波导的结构,工艺及其器件,包括低损耗的硅基光波导,电光波导器件,红外波导探测器,氧化硅光回路等。 相似文献
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本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上,实现了结构设计和工艺选择,采用多晶硅发射极技术,研制成功了77K下高增益(HFE可达250)硅双极晶体管;采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术,获得了可与CMOS结构兼容,基区电阻较小的硅低温双极晶体管。 相似文献
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双结型硅色敏器件的测试与分析 总被引:6,自引:3,他引:3
测试发现双结型硅色敏器件的两个结的输出电流与测试方法有关,对此进行了分析,并给出了正确的测试方法,对色敏器件的制作工艺提出了若干改进意见。 相似文献
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随着微电子技术的高速发展,尤其是微细加工技术的突破,器件按比例缩小至涤亚微米(0.25μm)以下时,传统体硅工艺已不适用了,而薄膜SOI器件因具有集成度高、工作速度快、抗辐照能力强以及工艺简便等优点而受到人们的青睐。本文主要介绍国外SOI薄膜材科的制备方法和研究动向以及国外薄膜SOI器件的研究现状及未来的发展方向。 相似文献
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文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅-硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的I-V特性进行了测量,并给出了实际测试结果。 相似文献
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用硅的各向异性腐蚀工艺制备发射硅尖阵列 总被引:4,自引:0,他引:4
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较好的硅尖阵列,测试结果表明,起始发射电压为5~6V,发射电流在阳极电压为20V时为0.5mA,反向击穿电压为75V。 相似文献
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本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺(反向)和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖陈列,这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径。 相似文献
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RMOS(Rectangular Grooved MOS)器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用RIE设备进行RMOS器件硅槽刻蚀的工艺,并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件,可刻蚀出形貌较好的硅槽,并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好 。 相似文献
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本文从硅材料质量与器件关系研究入手,对工艺中发现的滑移位错、失配位错、热氧化堆垛层错,以及微缺陷等几种二次缺陷进行了研究,并试图对它们的性质、工艺中的变化、产生原因及消除办法进行归纳,以便对有关工作有所裨益。 相似文献
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本文介绍了真空微电子器件中的场发射阴极硅锥尖的制作工艺,采用不同的腐蚀方法以及氧化削尖技术,制成了形状较好的硅尖,并对实验研究结果进行了比较、分析和讨论。 相似文献
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双层硅外延片在大功率器件中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用,并介绍了具体工艺方法。 相似文献
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本文采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,消除了合金点和腐蚀抗,扩散均匀性,重复性和一致性较好,该工艺用于生产高反压晶体管和晶闸管,能显著的改善器件性能,扩散质量和电气性能均优于现行的硼铝涂层及闭管镓(或铝镓)扩散工艺,根据在裸系Si和SiO2/Si系中镓的扩散行为,对镓扩散质量进行了分析。 相似文献
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本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。 相似文献
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使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性,以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能,探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等。 相似文献
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悬臂梁式硅微加速度传感器的设计仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
文章利用ANSYS软件对悬臂梁式硅微加速度传感器敏感芯片进行了设计仿真,给出了一种能满足,量程50g,精度10^-3要求的硅微加速度传感器的结构,并对加工时可能引入的工艺误差所带来的影响进行了讨论。 相似文献