电子与氧、氟和氖原子碰撞角分布的理论计算

用模型势方法研究和计算了电子被O、F、Ne原子散射的微分截面(角分布),入射电子能量从0.1ev到1.0ev,计算的角分布从0°到180°。从理论研究和计算中看到,随入射电子能量的增加,电子被O、F、Ne原子散射的微分截面呈现规律性变化。     

Sb-Se、Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质材料热力学性能参数

利用热差分析(DSC)技术对Sb-Se和Ge-Sb-Te系合金的热力学性质进行了研究。结果表明,Sb-Se系合金的DSC曲线只有一个放热峰,温度为220℃。Sb2 Se3的晶化激活能为3 03ev,SbSe的晶化激活能为1 565ev,SbSe2的晶化激活能为2 1ev。Sb-Se-Te系合金的DSC曲线有两个放热峰,分别是140℃和200℃左右。GeSb2Te4形成亚稳晶态与稳定晶态的激活能分别为1 88ev和2 35ev,GeSb4Te4的分别为2 19ev和2 67ev。向Sb-Se系合金中符合化学计量比的Sb2Se3添加少量的Sb、Se元素,其晶化活化能明显降低。而对GeSb4Te4系合金添加少量Sb元素可抑制稳定晶相的生成,从而兼顾室温稳定性,快速擦除及反复写擦稳定性的多重要求,同时由于Ge、Te元素的玻璃化温度都较高,故而将有力抑制室稳晶化倾向。     

过渡金属Co与半导体单晶MoS_2 highly edge surface相互作用

本文利用XPS(X—射线光谱)、UPS(紫外光谱)和LEED(低能电子衍射)对过渡金属Co在单晶MoS_2(垂直于B、Z的方向)高边缘密度表面亚原子单层的淀积过程进行了研究。在某亚原子单层淀积以后,MoS:芯态电子向高B、E(结合能)移动0.15ev,价带谱向高B、E移运了0.3ev,而且,在费米能级E_F以下0.8ev处有一新的“肩膀”态出现,且此“肩膀”态随着淀积的增加而增加。作者从物质的电子性质出发对这些实验结果进行了分析。     

π→eνγ过程和QCD中π介子波函数求和规则

本文论讨了把轴矢流规范协变性用于π→evγ过程,从而得到π介子波函数的一个求和规则。     

锗－二氧化硅复合薄膜的光电特性

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge-SiO2复合薄膜,然后在真空气氛中进行热处理.利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究.实验结果表明,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒,Ge纳米颗粒的平均尺度约5.0 nm时,薄膜的光学带宽约1.42 ev,电导激活能的最小值约0.43 ev.     

锗 -二氧化硅复合薄膜的光电特性(英文)

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明 ,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒 ,Ge纳米颗粒的平均尺度约 5 .0nm时 ,薄膜的光学带宽约 1.42ev ,电导激活能的最小值约 0 .43ev。     

硅中深能级杂质的测定与多晶硅薄膜吸杂效果的观察

用深能级瞬态谱(DLTS)法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E_(?)-0.31ev)。并观察了在硅单晶上外延生长多晶硅薄膜的吸杂效果,发现对锰和镉的吸杂效果很好。     

第一过渡系元素着色玻璃的荧光光谱和激发光谱的研究

本文测定了国产商品玻璃的荧光光谱和激发光谱,提出了3d轨道部分填充的离子着色玻璃的较高能级和能量交换。发现了4450峰值的荧光和所对应的2.79ev的能级。     

基于OPC技术的DeviceNet现场总线控制系统

介绍了OPC技术及OPC在现场总线下的应用模式,给出了基于OPC技术的D ev iceN et现场总线控制系统框图,详细论述了OPC C lien t/Server的开发思维、系统的本地/远程实时监控技术及系统软件实现方法。     

活动理论的发展及其在二语习得研究中的应用

通过回顾活动理论的发展历史——Vygotsky的中介理论、Leont’ev的活动调节理论及Engestr’m的集体活动模型三个发展阶段,旨在探讨活动理论在二语习得研究领域的应用以及对外语教学创新的启示。     

用圆环形截面波导逼近正多边环形截面波导

用圆环形截面波导作为正多边环形截面波导的近似,在等面积条件下,圆环形截面波导的传播常数与正多边环形截面波导的传播常数相同．根据电磁场分量Eφ,Hz在分界面处连续的条件,使用电磁场分量关系的2阶联系矩阵,导出了TE模的特征方程,并给出了β-λ曲线．     

水工结构单筋矩形截面正截面配筋快速设计探讨

通过水工结构与工民建结构单筋矩形截面正截面筋设计的分析与比较，提出一种淡漠 结构单筋矩形截面正截面配筋的快速设计方法。     

大型变截面翼型叶片与气动性能优化分析

基于叶素．动量理论,以输出功率系数为优化目标、叶片的弦长、扭角和相对厚度为设计变量,建立叶片优化设计的数学模型。综合考虑轮毂和叶尖气动损失,对各变截面翼型的弦长和扭角进行了计算和修正。利用Matlab优化工具箱,对大型变截面翼型叶片进行优化的气动性能理论计算。以1．5Mw风力机叶片为例,比较了变截面翼型叶片和单一翼型叶片气动性能的计算结果,变截面翼型叶片的气动性能优于单一叶片的气动性能,为风力机叶片外形设计提供参考。     

城市道路横断面的规划设计

合理的道路横断面型式一方面可以保证车流的畅通,另一方面也可以通过合理的绿化布置减少交通对环境的污染.详细分析了城市道路横断面的规划原则、基本型式以及各种型式的适用条件,并论述根据实际情况确定的横断面各部分宽度,既要符合城市交通规划的总体要求,又要近远期结合,满足道路交通需求.     

双幂指数散射截面在离子射程分布计算中的应用

应用双幂指数散射截面求解输运方程,出离子射程分布函数矩的递推公式,表明双幂指数截面与传统的单幂截面一样,可以用来求解输运方程,此外,采用Pade逼近,由分布函数的矩成功地组合了分布函数,计算精度都达到10^-8以上,这说明,在由矩组合分布函数的计算方面,Pade逼近可能是最佳的运算工具,通过大量的计算发现,当入射离子能量比较低时（几百电子伏特）,离子注入深度要比用传统单幂截面所计算的值浅一些,分布范围也窄一些,这与作者对溅射原子出射深度以及Frenkel-对产生计算所得的结论相符,但当选择特征长度为深度单位时,用单、双截面计算的无量纲归一化离子射程分布函数相当符合,这个结论对于辐射损伤分布的计算并不成立。     

变截面梁振动问题的一种数值计算方法

由等截面梁振动问题的基本解，按照有限解析法的计算思想，推导出变截面梁振动问题的数值计算格式，并用它解决了任意变截面梁的自由振动和强迫振动问题．该方法与一般差分法相比，在网格相同的情况下，其计算精度较高     

Cu-63中子截面协方差矩阵的理论计算

为满足核工程对核数据的需求,基于铜及其同位素从99.5 keV或者阈能至20.0 MeV能区的实验中子数据和评价数据,利用计算程序NDCOV.FOR对铜的同位素Cu-63的中子截面数据的协方差矩阵进行了计算,补足了实验数据在反应类型及能区上的空缺,为核工程的设计和建设提供了数据参考.     

电力电缆截面选择初探

简要介绍了国际电工委员会(IEC)于1995年颁布的“电力电缆尺寸的经济最佳化”计算方法,并以发电厂厂用电缆为例,对电缆截面进行了初步的分析计算,提出了做好电力电缆截面选择工作的对策和建议.     

求解椭圆截面波导本征方程的边界变换--微扰法

椭圆形截面、阶跃型折射率波导的电磁分量、传播模式的本征方程,其计算比较困难,先将边界由椭圆变为圆形,进而将亥姆霍兹方程在变形后,用微扰方法进行求解,得到了椭圆形截面下的本征方程解析式.     

测绘道路横断面图的一种新方法

今介绍一种新的测绘横断面图操作方法.该方法不仅简单灵活,而且能提高工作效率以及保证工作质量.