一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

LTCC 3D-MCM垂直互连技术研究

LTCC3D—MCM是采用低温共烧陶瓷（LTCC）为基板,实现有源元件和无源元件高密度集成的组件。垂直互连是完成2D-MCM转化为3D-MCM的重要途径。本文介绍了叠层型LTCC3D—MCM制作的基本工艺和几种垂直互连技术;对垂直互连所形成的焊料凸点、基扳之间的连接进行了分析和讨论。     

半导体与微电子技术

9909044一种新型 MCM 基板:阳极氧化多层基板[刊]/刘彤//电子元件与材料.—1999,18(1).—15～17(C)采用电化学方法,对基板上的 A1膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如MCM-C、MCM-D 比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。参7     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

LTCC微波多层互连基板制造工艺研究

介绍用于X波段的T／R组件的TLCC微波多层互连基板制造工艺,讨论LTCC工艺参数对基板高频性能的影响。     

阳极氧化铝薄膜多层布线基板技术

本文介绍了一种制作多层布线基析的新技术－－选择性阳极氧化技术，用这种新技术，把非导体型区域的铝膜转变成隔离导带和通柱的绝缘氧化铝膜。在绝缘基板或者铝基光板上，形成多层布线结构。分析和阐述了这种多层布线基板的平面化结构特性、高导热特性、材料电特性及独特的封装形式，这种多层布线基板的平面化特性，使导体互连具有高密度和高可靠性优点，以铝基板为载体作为封装的一部分，充分体现了这种封装具有良好的电特性和热特     

超高密度3D—MCM的结构与版图设计

本文以一种具有系统级功能的信号处理电路为例,介绍MCM基板簇层间垂直装连3D—MCM的结构设计和版图设计,该型3D—MCM模块的元器件封装效率超过200％,在与I／O端子（PGA引线、BGA焊球）一体化封装的3个簇层LTCC基板的表面上及其腔体内组装了432只外贴元器件,封装外形尺寸仅为32mm×32mm×15mm。     

平面零收缩LTCC基板制作工艺研究

LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0．3％-±0．4％减小到小于士0．04％,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。     

基于MCM互连技术的LTCC基板研究

本文介绍了一种基于MCM（多芯片组件）互连技术的新型LTCC基板结构,在目前的工艺条件下实现了更高的基板平整度和电磁兼容（EMC）保护。我们将其应用于相控阵雷达TR组件的设计之中,经测试指标达到设计标准。     

一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对 MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线。介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术 ,并对 2 5～ 45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线,介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术,并对25～45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

LTCC三维MCM技术研究

三维多芯片组件（3D-MCM）是实现高密度组装的有效手段。本文介绍了LTCC 3D-MCM研制过程中的隔板的制作、焊料凸点的制作、多块基板与隔板的叠装和垂直互连等工艺技术；对焊料凸点中的孔洞、基板与隔板垂直互连中的虚焊和3D-CM不同焊接区域焊料的选择进行了分析和讨论。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究

针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。