相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

激光清洗技术的应用

在制造业,清洗加工零件的传统方法很多,但随着对环境保护的提倡和对零件的高精度要求,激光微细加工技术异军突起,激光清洗技术也应运而生.本文结合作者的研究工作,介绍了激光清洗技术的原理和方法,讨论了利用脉冲YAG激光清洗精密加工零件的技术,并对其前景进行了展望.     

光学元件镀膜前高洁净度清洗工艺研究

研究了光学元件镀膜前超高洁净度要求的超声清洗工艺,在超声波清洗机的频率和功率一定的情况下,通过研究超声清洗剂、清洗温度、清洗时间等对光学元件超声清洗效果的影响,研制出有效清洗光学元件的清洗工艺,并保障超声清洗工艺对光学元件的表面状况无损伤。同时发现光学元件的放置时间会影响元件的清洗效果。超声清洗刚加工好的光学元件洁净效果较好,清洗时间较短;有6个月存放期的光学元件,表面颗粒污染很难洁净清洗。     

在线等离子清洗设备控制系统设计

作为一种精密干法清洗设备,等离子清洗机可以有效去除IC封装工艺过程中的污染物,改善材料表面性能,增加材料表面能量。与传统独立式的等离子清洗设备相比,在线式等离子清洗设备具有自动化程度高、清洗效率高、设备洁净度高、适应范围广等优点,适用于大规模全自动化生产。     

LED用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究

介绍了蓝宝石晶片的清洗原理：通过分析蓝宝石的表面净化原理和对湿法腐蚀清洗工艺试验的研究,提出了一种适用于工业化生产蓝宝石晶片的清洗剂和净化工艺,满足了LED领域的蓝宝石晶片表面洁净度要求。     

掩模材料与新颖的衬底方案关键问题及新的良机

通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45nm及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、均匀性和应力等衬底材料的固有特性严重地影响到掩模加工性能和光刻性能。评述了45nm及以下技术节点对空白材料,掩模及晶片层面的要求。指出了对于关键问题及出现的问题的可仿效实施的方法,最后研究了集成用于高效光掩模工厂的掩模材料的实际情况分析。     

偏光片周边精密加工关键技术研究

为满足高端TFT-LCD产品的工艺要求,必须对裁切后的偏光片周边进行精密加工.在对偏光片的结构特点和裁切机理分析的基础上,指出传统偏光片裁切加工工艺存在的不足及原因.对偏光片周边精密加工工艺及关键技术进行了较为详实的理论分析与实践总结,通过对夹紧与同步旋转机构的受力分析,论述了偏光片的最大静摩擦力矩和夹紧与同步旋转机构...     

兆声清洗技术与设备

随着半导体工业的迅速发展和器件水平(集成度、线宽)的不断提高,作为贯穿整个半导体器件生产工艺全过程的清洗工艺,其本身也在随着器件对洁净度要求不断提高的基础上而迅速发展着。兆声清洗技术就是在现已广泛应用的湿法清洗基础上发展起来的一种清洗技术。它与传统的湿法工艺相结合,可以有效去除0.2μm以下的颗粒,而     

电子行业ODS清洗替代技术应用前景展望

电子行业中的大多数厂家都或多或少地使用或加工PCB,当在PCB上焊完组件后,需要对表面的焊剂进行精密清洗。传统的PCB清洗广泛采用ODS(臭氧消耗物质)。本文介绍了几种满足国际环保要求的ODS清洗替代品。     

相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究

相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对于相移掩模来说,SPM清洗方式容易造成硫酸根残留,进而造成产品Haze问题,影响产品使用。通过采用不同的清洗方法进行对比和优化实验,找出了最佳的非SPM方式去除保护膜残留胶的方法。     

干冰微粒喷射清洗技术

简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。     

光清洗技术在雷达微组装方面的应用

在生产雷达微电子组件时,由于各种原因,会在组件当中留下人体残留的油脂、头皮屑、焊膏的残留物和松香焊剂残留物等,这些多余物不仅可能对组件造成腐蚀,还会引起电路短路和电气误动,影响金丝键合的附着力,这些多余物不清洗干净将严重影响雷达微电子组件的长期工作寿命和使用可靠性。雷达微电子组件由于采用高度精密的微组装技术,显得既复杂...     

水基清洗技术在彩管荫罩清洗中的应用

本文结合生产实际,着重论述了将水基碱性清洗技术应用于成型荫罩的清洗工序,通过对工艺条件的摸索、对重大工艺不良采取了对策和对设备进行了必要的改造,最终达到了良好地清洗效果,从而结束了使用对臭氧层有破坏作用的三氯乙烷清洗荫罩的历史。     

CMP后清洗技术的研究进展

化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低.介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素.综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望.     

激光清洗监测技术研究进展(特邀)

激光清洗技术具有非接触、精度高、对基材损伤小、绿色环保等众多优点,在智能制造中发挥越来越重要的作用。随着激光清洗技术的发展,对激光清洗质量的快速检测及精准评价的需求越来越迫切。在激光清洗过程中,激光与待清洗层、基底发生作用,通过采集分析激光与物质相互作用过程中产生的光、声等信号和表面特性变化,可以实现对清洗过程和清洗效果的实时表征,完成对激光清洗的监控,目前逐渐被广泛地应用到自动化激光精密清洗过程中。文中分析和总结了声波监测法、光谱监测法和图像监测法等激光清洗监测技术的工作原理及研究进展,展望了激光清洗监测技术的未来发展趋势。     

Plasma cleaning of plastic ball grid array package

An investigation of O₂, Ar and Ar/H₂ plasma cleaning was carried out on plastic ball grid array (PBGA) substrates to study its effects on surface cleanliness, wire bondability and molding compound/solder mask adhesion. Optimization of the plasma cleaning process parameters was achieved using the contact angle method and verified by auger electron spectroscopy (AES), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and wedge pull tests. It was found that both the wedge bond quality and moisture sensitivity of a 225 I/O PBGA package were improved after plasma cleaning. Furthermore, atomic force microscopy (AFM) characterization and XPS analysis revealed that the solder mask has undergone plasma-induced surface modification. Cross-contamination of Au and F traces on the solder mask that has occurred during plasma cleaning was identified by XPS. This study has demonstrated the benefits and consequences of plasma cleaning for a PBGA package.     

超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗

简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。     

Survey on flash technology with specific attention to the critical process parameters related to manufacturing

In this paper, the history of flash processes will be presented, starting with the 1.2-/spl mu/m technology to the most current technology. The front- and back-end process modules will be reviewed taking into account the main impact on cell functionality and reliability. In particular, the lithographic and mask issues, the diffusion and cleaning process steps, the chemical mechanical planarization technique to improve planarization, and the high-energy and large-tilted implant will be covered. Finally, the process and equipment trends for the next-generation flash technology will be presented.