L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

（YbTbBi）3Fe5O12块状单晶生长及其磁学性能

用且熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱，当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄｙ旋转温度系数为２．０×１０＾－２（°）．ｍｍ＾－１．Ｋ＾－１，所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数。     

（YbTbBi）_3Fe_5O_（12）块状单晶生长及其磁光性能

用助熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱．当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄａｙ旋转温度系数为２．０×１０－２．（°）·ｍｍ－１·Ｋ－１．所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数     

国产录象机机芯技术参数与检测方法

国产录象机机芯技术参数与检测方法电子工业部第三研究所王锡江１技术参数国家标准规定，家用录象机机芯必须满足以下基本技术参数要求：（１）视频抖动≤０．２μｓ；（２）音频抖晃率（计权峰值）Ａ级≤０．２％、Ｂ级≤０．３％、Ｃ级≤０．４％；（３）带速偏差为±０...     

16kbpsCVSD与64kbpsPCM编码数字转换算法

本文提出了１６ｋｂｐｓ连续可变斜率增量调制（ＳＶＳＤ）与６４ｋｂｐｓＡ律ＰＣＭ编码数字转换臬法，在无传输误码情况下，采用该转换算法，（１）从ＣＶＳＤ转换到ＰＣＭ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，分段信噪比（ＳＮＲＳＥＧ）恶化小于０．１ｄＢ，信噪比（ＳＮＲ）恶化小于０．０１ｄＢ，多次转换（转换次数≥２）时ＳＮＲ和ＳＮＲＳＥＧ保持不变，即无误差积累；（２）从ＰＣＭ转换到ＣＶＳＤ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，Ｓ     

16kbpsCVSD与64kbpsPCM编码数字转换算法

本文提出了１６ｋｂｐｓ连续可变斜率增量调制（ＳＶＳＤ）与６４ｋｂｐｓＡ律ＰＣＭ编码数字转换臬法，在无传输误码情况下，采用该转换算法，（１）从ＣＶＳＤ转换到ＰＣＭ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，分段信噪比（ＳＮＲＳＥＧ）恶化小于０．１ｄＢ，信噪比（ＳＮＲ）恶化小于０．０１ｄＢ，多次转换（转换次数≥２）时ＳＮＲ和ＳＮＲＳＥＧ保持不变，即无误差积累；（２）从ＰＣＭ转换到ＣＶＳＤ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，Ｓ     

掺杂对光折变晶体性能的影响

以钛酸钡，铌酸锶钡和铌酸钾钡锶钡「（Ｋ１－６Ｎａｙ）０．４（ＳｒｘＢａ１－ｘ）０．８Ｎｂ２Ｏ６，ＫＮＳＢＮ」为例，评述掺杂对提高光折变晶体性能的重要作用。     

β—BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ３３测量仪相结合测量了β－ＢａＢ２Ｏ４（β－ＢＢＯ）晶体的全部电压变变系数，结果为：ｄ３３＝１．０×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ３１＝－０．８３×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ２２＝２．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ１５＝２１．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ。     

InCl分子B~3∏_1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣｌ分子 Ｂ３∏１→Ｘ１∑＋荧光光谱进行了分析和归属,并对Ｂ３∏１（ｖ’＝０）→Ｘ１∑＋（ｖ＂＝０）的时间分辨谱进行了观测．首次得到ＩｎＣｌ分子Ｂ２∏１态（ｖ＇＝０）无碰撞辐射寿命 ０≈３５３ｎｓ;无辐射弛豫速率常数ｋＱ≈１．９８５×１０－１０ｃｍ３ｍｏｌｅｃ－１ｓ－１及电子跃迁矩｜Ｒｅ｜２＝ ０．４０Ｄ２．     

Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

声表面波大带宽滤波器的设计

报道在Ｙ旋１２７．８６°Ｘ传ＬｉＮｂＯ＿３基片上采用１／８λ＿０，５／８λ＿０结构的切指加权换能器的声表面波滤波器，成功地研制了中心频率为４０ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２０ＭＨｚ，矩形系数（Δｆ＿４０ｄＢ／Δｆ＿３ｄＢ）为１．４８，带内波动＜１．２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ．插入损耗＜３８ｄＢ，相对带宽（Δｆ＿－３ｄＢ／ｆ＿０）大于５０％的滤波器。     

连续波化学氧碘激光器中O_2（~1Δg）－Ⅰ传能平衡时间的近似表述

本文通在简化的化学反应动力学模型，对Ｏ２（１Δｇ）－Ⅰ传能动力学过程进行了分析，得到了Ｏ２（１Δｇ）－Ⅰ之间传能平衡特征时间的近似表述，并估计了在总氧压力为１ｔｏｒｒ的工作条件下，Ｏ２（１Δｇ）－Ⅰ传能平衡时间大约为０．４１～０．８８μｓ，其结果与考虑了１８个各种主要动力学过程的数值计算结果（０．５～１．０μｓ）基本一致。     

连续波化学氧碘激光器中O2（1Δg）—I传能平衡时间的近似表述

本文通过简化的公演反应动力学模型，对Ｏ２（１Δｇ）－Ｉ传能动力学过程进行了分析，得到了Ｏ２（１Δｇ）－Ｉ之间传能平衡特征时间的近似表述，并估计了在总氧压力为１ｔｏｒｒ的工作条件下，Ｏ２（１Δｇ）－Ｉ传能平衡时间大约为０．４１￣０．８８ｕｓ，其结果与考虑了１８个各种主要动力学过程的数值计算结果（０．５￣１．０ｕｓ）基本一致。     

世界最小的1G DRAM存贮器单元

世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元日本ＮＥＣ公司采用０．２μｍ电子束曝光技术研制成功世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元。单元面积为０．３７５μｍ２。该公司采用了如下技术：①高密度存贮器单元结构，即ＤＢＬ（对角位线）单元结构；②适用低电压工作的边缘工作晶体...     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

MBE CdTe／GaAs光致发光研究

在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．     

掺杂及烧结温度对Pb(Y1/2Nb1/2)O3-PbTiO3-PbZrO3性能的影响

为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ）ＰｂＺｒＯ３ 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ｙ－ ０．０２）ＰｂＺｒＯ３ 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Ｓｒ２＋ 和Ｂａ２＋ 作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３ 、ｋｔ）、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Ｑｍ ; Ｌｉ＋ 、Ｃｒ３＋ 、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ３＋ 、Ｆｅ３＋ 等金属离子加入０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３－ （１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 压电材料性能有促进作用。     

掺杂及烧结温度对Pb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3性能的影响

为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ）ＰｂＺｒＯ３ 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ）Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ｙ－ ０．０２）ＰｂＺｒＯ３ 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Ｓｒ２＋ 和Ｂａ２＋ 作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３ －（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３ 、ｋｔ）、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Ｑｍ ; Ｌｉ＋ 、Ｃｒ３＋ 、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ３＋ 、Ｆｅ３＋ 等金属离子加入０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对０．０２Ｐｂ （Ｙ１／２Ｎｂ１／２） Ｏ３ －ｙＰｂＴｉＯ３－ （１－ ０．０２－ ｙ） ＰｂＺｒＯ３ 压电材料性能有促进作用。     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。