1．3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射率矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的应用于无源波导器件的模拟与设计．为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超辐射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复折射率引入其中，器件的增益和吸收通过折射率的虚部来描述．用复折射率的有限差分矢量束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构．     

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。     

一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──ＩＯＣＡＤ，该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术，具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点，只要分析参数适当，ＩＯＣＡＤ具有足够精度．ＩＯＣＡＤ可对满足ＢＰＭ适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析．本文同时给出几个模拟实例．     

弯波导呼吸区结构1.3μmInGaAs／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎ－ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二级管，分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计，在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅     

SOI LDD MOSFET的栅电流的模拟

本文介绍一种采用载流子总量方法分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序ＬＡＤＥＳ７联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方案。ＬＡＤＥＳ７可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了ＬＡＤＥＳ７软件模拟的部     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

一种新颖SLD减反射区结构的设计

本文用束传播方法研究了具有偏折波导吸收区两段式超辐射发光二极管减反射区结构对激光振荡的抑制作用，提出一种新颖的减反射区结构，这种结构包含一段偏折波导吸收区和一段透明窗口区．本文描述的设计及模拟结果表明：在长度相同的情况下，通过适当选择几何参数，这种结构较单一的一段偏折波导吸收区或透明窗口区，能得到更小的有效反射率，约小一到两个量级．     

一种多层波导光传播计算的新方法

提出了一种新的简单的一光学方法，可以使用在多层波导的光传播计算中，尤其是在光探测器的设计中。把设计值与目前普遍采用的ＢＰＭ法进行比较，结果吻合较好。与ＢＰＭ法相比，此法最大的优点是在计算中考虑了材料对传播光的吸收，而在光场达到稳定分布后再考虑吸收，故在理论上此方法更加接近实际。作为例子用这种方法计算了一种新型的探测器的尺寸。这种探测器与Ｓｉ波导的集成器件正在制作 中。     

Ge0.4Si0.6／Si超晶格光探测器与Si波导的集成探讨：光场…

对Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ超晶格探测器光场进行了分析，并用束传播法进行模拟。还探讨了这种探测器与Ｓｉ波导的集成。在Ｓｉ波导满足单模传输的条件下，推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。     

InP／InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。     

适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDSSOI MOSFET器件模型

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。     

高压RESURF LDMOST的开态电阻与关态电压

降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优化设计深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。     

束传播算法与边界条件的分析和应用

详细介绍了波导器件的模拟方法——束传播算法(BPM)和完好匹配层(PML)边界条件的基本原理，并给出基于有限差分的BPM的应用实例。针对算法中所采用的近似，给出BPM的适用范围和基于有限差分的束传播算法的优化方案。     

介质加载异形波导的高阶模（LS模）

通过对介质加载矩形波导ＬＳ模场的分析，采用微扰法推导出介质加载异形波导ＬＳ模场截止频率的近似计算公式。实验数据与理论计算结果的吻合，说明了近似公式可用于微波器件特别是脊波导器件的工程设计和研制，并为此提供理论依据。     

基于SOI的16通道200GHz阵列波导光栅

设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG).该AWG器件的中心波长为1 550 nm,信道间隔为200 GHz,采用了脊型波导结构.首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输,并利用束传播法(BPM)模拟了波导间隔、弯曲半径和锥形波导长度等参数对器件性能的影响,对器件结构进行了优化,同时也利用BPM方法模拟了器件的传输谱.模拟结果显示:器件的最小信道损耗为4.64 dB,串扰小于-30 dB.根据优化的器件结构,通过光刻等半导体工艺制作了AWG,经测试得到AWG器件的损耗为4.52～8.1 dB,串扰为17～20 dB,能够实现良好的波分复用/解复用功能.     

为数字应用提供模拟方案

以下我们将针对一些使用在 通信数据传输产品和ＰＣ应用上的模拟器件加以讨论，并将阐述这些产品的功能和讨论其存在的原因。 ＡＤＳＬ、调制解调器及 ＶＤＳＬ 目前数字传输中一个最主要问题是耗用的频宽比所传输的资料率还要高许多倍，为了解决采用纯数字化信号传输的带宽瓶颈，调制解调技术目前已逐渐蓬勃地发展成一系列数字用户环路（ＤＳＬ）型态的产品，通常统称为ｘＤＳＬ。 在这些应用中，模拟技术可以将电话线上资料的传输率提升数百倍以上。目前还没有任何数字形式的传输可以达到这样的要求，因此信号必须先调变为模拟的形式以便…     

表面电场整形高压RESURF LDMOST

提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行了整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致的耐压对工艺参数变化的敏感性，并在耐压不降低的情况下缩短器件漂移区长度，得到低的比导通电阻Ｒｏｎ．Ａ。     

可编程阵列逻辑器件在通信系统中的应用

近年来，可编程逻辑器件（ＰＬＤ）已广泛用于计算机系统，数据处理，接口技术和工业控制等领域中，本文阐述了可编程阵列逻辑（ＰＡＬ）器件在差分四相移相键控（ＤＱＰＳＫ）发送端中的应用，结果表明，与中小规模集成电路设计中方法相比，采用可编程阵列逻辑器件的设计方法不仅体积小，功耗低，可靠性高，而且安装，调试过程更为简便。     

O.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析

针对实验中发现的亚微米ＬＤＤ结构的特殊的衬底电流现象和退化现象，进行了二维器件数值模拟，解释了ＬＤＤ器件退化的原因，最后提出了ＬＤＤ器件的优化工艺条件。     

倒相结构波导电光器件中微带电极的比较和优化

对共平面波导电极（ＣｏＰｌａｎａｒＷａｖｅｇｕｉｄｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅ，简称ＣＰＷ）和非对称微带电极（ＡｓｙｍｍｅｔｒｉｃＳｔｒｉｐＬｉｎｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅ，简称ＡＳＬ）用于行波型例相电极结构电光波导器件的调制特性进行了分析，并给出电极特征参数和频率响应数值计算结果，比较表明将ＡＳＬ电极用于倒相结构的器件对在高频波段实现有效的光调制仍十分有效。