高精度集成运放低漂移性能的研究

本文对以超β管为输入级的集成运放的温漂进行了较为详细的计算,认为在设计高精度底漂移集成运放时,除考虑输入级温漂外,还应考虑第二级温漂的影响。据此研制成功了高精度低漂移集成运放KD207,其开环电压增益A_(do)可达130dB以上;GMRR在120dB左右;输入失调电压温漂优值可达0.5μV/°C以下。     

高阻抗低漂移运算功能块

本文对一种共源-共栅串接差分输入级运算放大器的等效输入噪声电压、失调电压温漂、共模抑制比和电源电压抑制比等参数进行了详细的分析。据此而批生产的高阻抗运算功能块的失调电压温漂可低于1μV/℃;低频(0.01～1Hz)噪声峰-峰值低于1.5μV;共模抑制比大于120dB;电源电压抑制比大于100dB。     

低漂移运算功能块的分析与实践

本文以Early效应为主导线索,分析推导了共射(CE)差分级及共射-共基(CE-CB)、共射-共栅(CE-CG)串接差分级的输入失调电压Vos与共模抑制比(CMRR)的理论计算公式。证明Early效应对输入失调特性与共模抑制特性起着重要作用。文中还分析了后随级的非理想特性对输入失调电压温漂的影响,指出了实现低漂移功能块的匹配方法。据此分析而制作的低漂移运算功能块,其开环增益与共模抑制比均不低于120dB,失调电压温漂不大于±0.5μV/℃。 这种可用分立元件组装或可与单片集成前置级混合组装的功能块,可以作为自动控制与自动检测系统的高性能通用运算元件。     

可在2Ω负载上输出231W的立体声大电流MOS—FET功率放大器

本文介绍一款可在2Ω负载上输出231W的直流音频功率放大器。为了能够驱动2Ω的负载，放大器的输出级必须使用大电流型MOS—FET．驱动级选用能对MOS—FET的大输入电容作快速充放电的双极型晶体三极管。第2级差动放大器选用线性好的双极型晶体三极管。该放大器在8Ω负载上可输出78W×2。其音质细腻、动态范围宽。     

用蓄电池供电、搭载低音增强电路的MOS-FET耳机放大器

本文介绍一款用两节内阻很低的12V铅蓄电池构成放大器电源的MOS—FET耳机放大器,由于铅蓄电池的内部阻抗在高频时仍然低,所以可以提高耳机放大器的信噪比。该耳机放大器的输入级选用FET上下对称差动电路,驱动级为双极型晶体三极管,输出级为MOS—FET。放大器的输出阻抗很低,1kHZ时为0.5Ω。残留噪声也极小,为4uV(JIS—A曲线校正)。该机还可以用作线路放大器。     

偏流小、噪声低、失调电压漂移小的单片运算放大器

偏流极小、噪声低、FET 作输入的运算放大器芯片用来处理几个 pA的电流已不成问题。而且,它的失调电压漂移比得上最好的双极型器件。     

NF型音频均衡放大器

本文介绍一款采用上下对称型推挽电路的音频均衡放大器。输入级采用场效应管对称差动放大,第二级选用增益大的晶体三级管、末级采用MOS—FET的SEPP电路。利用电路很大的开环增益,构成     

音响运放怎么玩（下）——热门运放在发烧音响器材中的使用

17．AD712J精密高速FET构成双运放 【简介】AD712是一款精密高速的运算放大器，有着极高的性价比。它采用先进的激光晶圆调整制造技术，具有极低的失调电压和失调电压漂移特性。利用这些性能优势，用户可以轻松升级采用老型号FET输入运放的现有电路设计。     

一种斩波稳定低噪声Σ-Δ调制器设计

针对Σ-Δ调制器输入失调电压的需求,设计了一种新型低输入失调电压的Σ-Δ调制器。利用斩波稳定运算放大器和新颖的开关电容积分器,动态消除了直流失调电压以及低频噪声(主要包含1/f噪声),使得调制器的输入失调电压微乎其微。基于0.15 μm CMOS工艺,利用Hspice软件对电路进行仿真,同时采用Matlab和TCL对仿真结果进行分析。仿真结果表明,在电源电压为4.5~5.5 V、温度为-40 ℃~85 ℃、各种工艺角下,低频噪声抑制能力增加了15 dB,且当运算跨导放大器的失调电压为10 mV时,Σ-Δ调制器的输入失调电压由9.7 mV下降为0.4 mV。     

5V零漂移轨对轨精密运算放大器

ISL28134可用于压力、温度、医疗、应变计和惯性传感器的模拟前端。其主要性能：0．1～10Hz的噪声电压仅为0.25μVp-p;输入失调电压最大值为2.5μV;输入失调电压漂最大值为15nV/℃,功耗仅为675μA;轨对轨输入输出;共模抑制比（CMRR）135dB.     

单电源运放输入偏置电流的消除

最近几年来,运放的性能显著地提 高,但是双极输入放大器和FET 型之间的相对优点仍然是相同的。FET输入部分仍然以优异的偏置电流性能指标为其特点,而双极器件保持较好的失调电压容限的优势。例如,没有一种非斩波器FET可以同双极、单电源LT1013A的80μV和400nV/℃数值相匹配。 但是,1013所要求的大的20nA(典型值)输入偏置要求使得它对很多的应用是不适合的,像低电平积分和保持电     

一种低功耗高PSRR CMOS基准电压源

提出了一种采用新颖负温漂系数电流源补偿结构的高性能基准电压源。利用工作在亚阈值区的两个MOS管的栅源电压差与工作在线性区的MOS管的漏电流关系,产生补偿电流,使输出电压对温度不敏感。提出的负温漂电流源结构没有使用传统大电阻,不仅保证了低功耗,还有效减小了芯片面积。采用共源共栅的电流源结构,提高了电源抑制比。基于TSMC 0.18 QUOTEμmμm CMOS工艺进行设计仿真。仿真结果表明,在-35 ℃~150 ℃范围内,温漂系数为8.3×10-6/℃。电源电压为1.3~3.3 V时,电压调整率为0.21%,电源抑制比为-81.2 dB@100 Hz,功耗仅为184.7 nW。芯片面积为0.006 mm²。     

高速运算放大器低失调输入级的设计

差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级运放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低失调的运放输入级,研究了差分对电阻R_C和电路失配的关系,通过修调失配电阻ΔR_C补偿其余失配项带来的影响。使用西岳4μm 50 V的工艺做全芯片参数验证,结果表明,失调电压低于60μV,相较于通用运放减小了76%;温漂系数可达0.3μV/℃,相较于通用运放减小了50%。这种方法简单、方便,可避免对电路结构做大规模调整,且对电路功耗的影响可以忽略。     

基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计

基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明：在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。     

ICL7650-CMOS斩波集成运放简介及应用

介绍了ICL7650 CMOS斩波集成运算放大结构和性能,输入级使用MOS场效应管,采用斩波自动稳零结构,附带调制和解调等措施,具有输入偏置电流小,低失调电压和温度漂移以及精密的反馈特性和高的共模抑制比能力。并采用该器件实现了一个积分电路,该电路零位可以调整,抑制干扰,降低噪声,是很好的传感器信号预处理电路。     

一种基于0.6μm BCD工艺的40V高压输出自稳零运算放大器北大核心

设计实现了一种基于0.6μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器。该运算放大器采用了时间交织自稳零结构，实现了对输入失调电压的连续校准，同时使用40 V耐压PDMOS管和NDMOS管，实现了ClassAB结构的高压输出。运算放大器的输入级和自稳零校准电路采用0.6μm普通MOS管实现，均工作在5 V电源电压下；放大级和输出级中部分晶体管采用非对称结构的40 V DMOS管，实现了高压输出。整体电路中只有DMOS管的漏源电压承受40 V的耐压，其余MOS管的各端电压均在正常的工作范围内，没有耐压超限风险。前仿真结果表明，该运算放大器在5 V和40 V双电源电压下工作正常，输入失调电压为0.78μV,输出电压范围为3.0～37.7 V,等效直流增益为142.7 dB,单位增益带宽为1.9 MHz,共模抑制比为154.8 dB,40 V电源抑制比为152.3 dB,5 V电源抑制比为134.9 dB。     

模拟电子新技术讲座(三)——超高精度集成运放分析

集成运放的运算精度主要取决于其直流或低频参数:输入失调电压V_(os).及其温漂αV_(os)、输入失调电流I_(os)、开环电压增益A_(vd)、共模抑制比K_(CMR)、电源电压抑制比K_(SVR)、噪声电压e_n或噪声电流i_n.通常把V_(os)≤50～300μV(可调零到V_(os)≤10μV)、2V_(os)≤(0.3～2)μV/℃、I_(os)≤(10～15)nA、A_(vd)=(110～120)dB、K_(CMR)=(110～120)dB、K_(SVR)=(110～120)dB和在(0.1～10Hz)内e_(np-p)≤(0.5～2.0)μV_(p-p)(0.1～10Hz内)的运放,称为高精度运放;优于上述指标一个数量级的运放,称为超高精度运放.本文对高精度运放的基本电路形式、超低失调漂移的版图布局与内部动态调零技术、外部超低漂移调零网络和偏流抵消电路作详细的分析讨论,并对超高精度运放的原理电路作了说明.     

一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计

介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调电压、1/f,噪声和温漂等低频噪声.该设计基于0.35/μm CMOS工艺,电源电压3.3V,运放的开环增益超过100dB,输入等效失调电压低至11/μV,总功耗仅为1.48mW.应用该运放实现的pH微传感器已通过实验验证.     

一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计

介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调电压、1/f,噪声和温漂等低频噪声.该设计基于0.35/μm CMOS工艺,电源电压3.3V,运放的开环增益超过100dB,输入等效失调电压低至11/μV,总功耗仅为1.48mW.应用该运放实现的pH微传感器已通过实验验证.     

一种实用测温系统

介绍了一种实用测温系统的组成、工作原理及关键电路说明，阐述了利用单片机对运算放大器的失调电压、温漂及系统非线性补偿处理的方法。