聚合物分散液晶透明投影屏幕成像原理研究

对施加电场时呈透明态(ON态)的聚合物分散液晶(PDLC)膜用作透明投影屏幕的原理给出定性与定量的描述和分析。在PDLC-ON态测试样品的透光率随入射角变化曲线,发现S偏振光透光率不受PDLC膜的影响,P偏振光透光率随入射角变化受PDLC膜的影响衰减严重,发生散射。建立了P偏振光透光率随入射角度变化物理模型,给出了P偏振光的透光率的表达式。模拟计算得出理论曲线,与实验曲线相符合,进而解释了PDLC-ON态作为透明投影屏幕的成像原理。     

HFCVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术

本工作研究了在热丝(HF)CVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术,给出了一种通常作为热丝的钨丝的实用性预处理方法,并且研究了热丝温度分布对生长膜厚度的影响,发现膜厚分布与基片表面温度分布是一致的。     

10%TMAH硅湿法腐蚀技术的研究

研究了浓度为10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液,在不同量的Si粉掺杂下,对铝膜及硅衬底的腐蚀及其pH值的变化。测试了在满足铝膜极低的腐蚀速率(<1nm/min)时,不同温度下该腐蚀液对硅(100)、(111)和(110)晶面及SiO2介质膜的腐蚀速率。还介绍了添加剂—过硫酸铵(APODS)和吡嗪的加入对腐蚀表面形貌及腐蚀速率的影响。研究结果表明,存在着一个临界的硅粉添加量,超过此量后铝膜的腐蚀速率急剧降低。90℃时,在10%TMAH溶液中加入1 5mol/L硅粉、3 0g/LAPODS和2g/L吡嗪可以实现铝膜不被腐蚀,同时硅(100)面约有1μm/min的腐蚀速率,腐蚀表面平整。腐蚀后的铝膜表面同硅铝丝键合良好,实现了腐蚀工艺同CMOS工艺的完全兼容。     

电磁屏蔽膜设备的开发及应用

介绍了国内外对电磁屏蔽膜(EMI)研究的现状,比较了制备EMI膜的各种方法,指出采用磁控溅射法制备的EMI膜质量较好,并给出制备EMI膜的工艺流程。     

汞退火对分子束外延生长的HgCdTe电学特性的影响

在测量霍尔效应时,用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe膜层常表现出异常的电导特性,通过在汞气氛中退火,能明显消除这种现象,并转变为均匀的p型导体。用霍尔效应测量表征的膜层来研究退火对它的影响。本文给出了退火后p型膜层中迁移率与Cd组份x值和受主能级的关系。     

衬底对合金薄膜的X光能谱无标样定量分析的影响

用扫描电镜—X光能谱仪测定了八种衬底(从Be到Ag)对Ni-Cr、Cu-Ti合金膜(～1000A)标识X光强度的影响。用无标样定量分析方法计算了薄膜的成分。在能谱测量中膜中元素X光强度比随衬底材料变化不大,小于能谱仪测量误差。但衬底引起的二次荧光效应应予以修正处理,文中给出了相应的修正方法。     

微通道板电子透射膜及其粒子透过特性的研究

文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题.     

被瓷钢衬底工艺的目前应用水平

在混合电路工艺领域中,被瓷钢衬底工艺(PSS)与普通的氧化铝衬底工艺的主要区别就在于现行厚膜膏剂的“产品成熟性”和衬底材料的稳定性(即:衬底与膏剂的相互作用的程度和影响印刷膜层的程度)。本文简单阐述了对这些因素以及另外一些因素进行定量分析的技术;同时对三家公司(Dupont,ESL,EMCA)提供的用于PSS的膏剂的性能与用于氧化铝的材料的性能进行了比较并给出了具体数据。重点在于各种差别对电路布局和制造方法的影响。     

柔性金属膜封装器件的水汽阻隔性能研究

通过UV树脂和柔性金属薄膜将干燥片和透气绝缘的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜封装在器件中, 利用钙(Ca)膜电学测试方法测定封装结构的水汽透过率 (WVTR),研究了该封装方法的水汽阻隔性能。实验结果表明, Ca膜蒸镀时的温度调控极大影响Ca膜均 匀性和表面形貌,从而影响器件的水汽透过率检测结果。本文提出的柔性金属封装方法具有 良好的水汽阻 隔性能,其WVTR在封装90h后仍达到5×10－4 g/m²/day 以下,水汽主要从器件周围的UV树脂渗透,与传统薄膜封装的水汽渗透机制有很大不同。     

相变光盘的多层膜结构

实用的相变光盘膜应由包含相变介质膜和匹配膜的多层膜结构绍成。本文根据膜系特征导纳矩阵,匹配设计了相变光盘的多层膜结构。设计结果表明:(1)λ=8300 处多层膜结构较单层膜结构(只有相变记录介质膜)对写入激光吸收提高一倍左右;(2)反射率对比度有较大提高,R_c∶R_a可达4∶1。最后对设计结果给出了实验证实。     

多层介质光学膜系的误差分析——膜层厚度变化的灵敏度因子

文中推导了对于给定膜系的特定膜层的厚度变化的灵敏度因子计算公式，并给出了用计算机对不同膜系的计算实例。分析了厚度灵敏度因子对膜系透射光谱的灵敏谱段、灵敏膜层等特性的影响规律，并由此给出了确定膜层厚度允差的方法。     

硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法

介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.     

硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法

介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.     

电子束反应蒸发SiO2膜的残余应力

光学薄膜中的残余应力是一个影响现代仪器性能和可靠性的越来越重要的因素.过强的张应力或压应力会使膜层破裂和脱落.即使上述情况不发生,残余应力也会影响平面衬底的平面度,从而导致反射波面发生畸变.设薄膜是在温度T_2时制备的,在室温T_1时,其残余应力σ由两部分组成:(1)由在膜形成时所产生的内应力σ_i,和(2)由膜层和衬底的热胀系数不同所引起的应力σ_(th).所以,残余应力由下式给出:     

Al-Ti合金阳极氧化膜的形成及其介电性能

利用计算机和椭偏仪等现代化工具,对新型电解电容器材料Al-Ti合金阳极氧化膜进行了较全面的研究。分析了不同合金组分、不同阴离子以及形成温度等因素对合金阳极氧化过程的影响,给出了被认为最具实用性的含x=54×10~(-2)Al的Al-Ti合金阳极氧化膜的主要介电参数。     

声表面波卷积器／存储相关器用ZnO膜的制备

本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。     

TI—N系薄膜结构的电镜研究

薄膜是当前新材料发展的重要前沿领域,在新技术领域有着广泛的应用。薄膜的结构特别是界面状态,对于其性能有着重要影响。X射线衍射分析能给出膜的相组成,但却无法判定这些相的空间组态及分布。在这个问题上,电子显微术具有独特的优点。然而,由于制样难度大,时至今日,薄膜横截面的电镜研究,仍不多见。八十年代以来,我们开展了Ti-N系薄膜结构的电镜研究,先后研究了带Ti底层TiN膜(简称单层TiN膜),加入合金元素的Ti-B-N,(Ti,Al,V)N和Ti(C,N)膜,以及Ti-N多层膜。本文是这方面工作的系统总结。     

128×128混合式热释电非致冷焦平面探测器列阵铟膜及铟柱制备工艺研究

着重介绍了我们在“1 2 8×1 2 8混合式热释电非致冷焦平面探测器列阵(UFPA)”研制中铟膜及铟柱的制备和我们选择铟做混合式UFPA互连材料的理由与互连方法。强调了铟膜制备基本工艺要求。根据薄膜均匀性要求 ,计算出了蒸发源距工件的距离及所需材料量 ,确定了保证铟膜不氧化的关键数据及具体操作。文中给出了铟柱列阵显微照片 (显示了铟膜厚度)和铟柱列阵的立体形貌像 ,还介绍了铟柱列阵成型方法及铟柱生长工艺流程 ,并叙述了倒装互连技术 ,且给出了我们的成像演示照片和器件照片 ,展示了UFPA的应用前景     

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧(DO)以及总有机碳(TOC)对超大规模集成电路(ULSI)用水的污染,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据.研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较,本文设计了用脱氧膜接触器,降低高纯水中的溶解氧.结合用双级反渗透(RO)及电脱盐(EDI) 再加上185nm紫外光照射高纯水,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至0.6μg/L和0.7μg/L,并用键能理论解释了185nm紫外降低TOC的机理.     

微波ECR-MP-CVD制备α-Si:H膜的光学性能

介绍了用 ECR-MP-CVD 方法在室温条件下,淀积α-Si:H 膜的光学性能,其光能隙 Eg 随工艺条件改变而不同,Eg 值在1.72～1.92eV 之间。给出了微波功率对膜层光电导率(σ_(ph))和暗电导(σ_d)的影响,低功率下制备的样品具有高阻特性,高功率下制备的样品具有低阻特性,光敏性能都较好,σ_(ph)/σ_d 比值达4～6个数量级。