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对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。 相似文献
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人们发现,在高温下氨气中进行SiO_2的热氮化,可以形成有用的薄栅绝缘物,具有热氮化SiO_2膜的MOS二极管的界面特性明显地受氮化条件的影响。在900℃左右,由于氨气分介产生氢气使原来SiO_2膜的性质发生变化导致了平带电压有一个负的漂移,大于1100℃氮化时,得到一个极好的MOS二极管特性,避免了由原先介质击穿所产生的高电场不稳定性。在硅的间隙中央和绝缘物中的电荷可以忽略的情况下,获得了低于10~(10)cm~(-2)电子伏~(-1)的表面态密度。在SiO_2膜上形成一个防止沾污的高势垒。甚至于采用钠沾污栅,MOS二极管的可动离子密度 相似文献
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快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。 相似文献
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本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO_2膜的体电荷面密度及其分布重心位置等实验结果。文中还用“改进”的雪崩热电子注入装置研究MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜的电荷特性。结果指出:快速热氮化后的再氧化工艺可有效地降低SiO_xN_y膜的体电子陷阱和界面陷阱密度;雪崩注入到一定程度后平带电压漂移出现“回转效应”,随后又前漂,弱呈现“N”形。本文就此提出了物理解释。结果还给出:界面电荷陷阱密度在禁带中分布随雪崩注入剂量(时间)的变化关系。文中还对实验结果进行了分析讨论。 相似文献
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本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H~+-ISFET,其在pH值为2~13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6~47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H~+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以SiO_2、Si_3N_4或氮化SiO_2为介质膜的H~+-ISFET的响应特性. 相似文献
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本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。 相似文献
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介绍了采用高频C—V测试技术对快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性进行的测试研究及实验结果分析。分析表明,采用氮化后再氧化处理是减少快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷的有效途径。 相似文献
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研究了在光学元件上的氧离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜层与离子能量(30-500电子伏特)和离子流密度(0-300微安/厘米~2)的关系。证实了低能和高能离子轰击场能改善SiO_2膜的化学配比,而在低能情况其改善略为大些。对于TiO_2膜,低能轰击能改善化学配比,而高能轰击反而导致明显不利。在高能离子辅助淀积的SiO_2薄膜中氢含量减少到1/10。在低温基片上(50-100℃)制备了牢固的膜层。讨论了膜层的内应力特性。 相似文献
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用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。 相似文献
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本文介绍用四乙基正硅酸盐(TEOS)等离子体加速化学气相淀积SiO_2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有1个原子百分比浓度(a/o)的氮或碳。在反应中采用N_2O时,膜中氮浓度略有增加,达到2(a/o)。然而,在没有氧化剂的条件下,氮和碳浓度大致分别为18(a/o)和6(a/o)。膜的台阶覆盖(不考虑氧化剂)接近34%,与主要用硅烷的化学方法淀积的SiO_2膜所达到的10%相比较,有显著的改进。折射率、红外光谱和膜密度,似乎可表征淀积SiO_2膜的特征。TEOS-O_2膜的电特性产生大于6MV/cm的击穿电场,在1MV/cm下,漏电流密度为8×10~(-9)A/cm~2。具有同等厚度的热生长SiO_2的击穿电场和漏电流密度,分别为8MV/cm~2和2×10~(-9)A/cm~2。 相似文献
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本文报导用正硅酸乙酯等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP上淀积SiO_2膜的方法,用C—V,DLTS,AES,XPS等手段测量分析了PECVD SiO_2-InP MIS结构的电学性质和界面化学结构,研究了淀积前InP表面的不同处理对界面特性的影响。 相似文献
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刘琳 《红外与毫米波学报》1989,8(4)
分析了SiO_2+PSG+SiO_2三层钝化增透膜的生长工艺,对实验结果进行了热力学理论探讨;给出了高频电容-电压和光学透过特性曲线,并与SiO_2膜做了比较;对系统的限制因素进行了细致的研究. 相似文献
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