孪晶片层尺寸对孪晶形变行为的影响

通常多晶铜中会含有一定数量的生长孪晶或退火孪晶。但是，由于一般生长孪晶的尺寸和分布很不均匀，数量也较少，很难研究它们在材料力学行为中的作用，因此孪晶对铜的力学行为的影响还不清楚。最新研究发现，可以利用电解沉积法，通过引入大量的生长孪晶和降低孪晶尺寸来制备纳米结构铜。纳米量级的孪晶结构对力学行为的影响十分明显，但对其作用机理的研究十分有限。本工作对一种由电解沉积法制备的含有独特的高密度纳米孪晶片层结构的多晶纯铜进行室温轧制，通过观察其微观结构，探讨了孪晶结构特别是纳米量级的孪晶片层结构的形变行为以及孪晶片层尺寸对其形变行为的影响。     

应用原子力显微镜对单晶硅进行纳米级加工

以原子力显微镜（AFM）作为加工工具,基于金刚石针尖对单晶硅进行了纳米加工实验,对纳米加工区域特性,材料在不同垂荷荷下的去除机理及切屑形成特征,进行了系统的研究和分析,提出了一种在纳米尺度下研究加工机理的新方法,在此基础上,应用有限元方法（FEM）对AFM纳米加工中存在于金刚石针尖和被加工材料之间的作用机制进行了计算仿真。     

纳米CeO2的制备及其红外吸收性能研究

采用硬脂酸凝胶法制备了CeO2纳米晶,用X射线粉末衍射仪,透射电子显微镜（TEM）对CeO2纳米晶的粒径和形貌进行了表征.研究了不同热处理温度下纳米CeO2的红外吸收特性.结果表明,CeO2纳米晶的吸收峰宽化,吸收峰发生红移现象,同时CeO2纳米晶在1000～1700nm之间吸收较好,有可能用作激光隐身涂料的吸收剂.     

硅(001)衬底上生长的ZnO薄膜的AFM研究

对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅（001）衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜（AFM）观察，分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在250℃衬底温度下获得的ZnO薄膜，膜表面平整，结构致密，表面平均不平整度小于3nm，说明在该衬底温度下获得的ZnO薄膜是高透明度、高质量、高度取向的单晶薄膜。     

基于隧道电流检测方式的原子力显微镜纳米检测系统设计

原子力显微镜（AFM）是当前进行材料表面微观形貌观察及分析的强有力工具之一。本文主要介绍一种隧道显微镜（STM）检测方式的原子力显微镜纳米检测系统（AFM.IPC-208B）,该AFM系统设计是在STM.IPC-205B系统设计的基础上,采用隧道电流工作方式,将STM与AFM功能组合兼容。文章详细阐述了AFM.IPC-208B系统的设计原理、镜体、扫描控制以及数据采集。新设计的AFM.IPC-208B系统仍具有0.1nm的分辨率,检测范围为0～2mm×2mm,系统操作简易,工作效率高,与原STM.IPC-205B系统兼容,工作性能稳定可靠。     

掺镉镧钛酸铅纳米晶粉的研究

采用溶胶－凝胶法制备掺镉镧钛酸铅（ＰＣＴ，ＰＣＬＴ）纳米晶，分别用Ｘ射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪和差热扫描量热分析仪对其晶化温度、结构、形貌特性及相变温度进行了分析测试。结果表明，ＰＣＬＴ系列纳米晶的晶化温度为５００°Ｃ，５００°Ｃ～８５０°Ｃ热处理２ｈ得到的纳米晶粉的粒度大小为１５ｎｍ～８０ｎｍ，其铁电－顺电相转变温度为２３５°Ｃ。     

电沉积镍纳米晶对碳纳米管生长的影响

我们的前期研究发现，通过制备脉冲电沉积镍（Ni）纳米晶作为催化剂，在火焰中可以生长出直径均匀的碳纳米管（CNTs），还可以通过改变电沉积参数获得不同尺寸的纳米晶晶粒，从而达到控制CNTs管径的目的。本工作进一步研究Ni纳米晶的表面形貌的CNTs生长形态和机理的影响。     

前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比对PbS纳米晶红外发光光谱的影响

采用水溶性前驱物在乙醇介质中制备了不同[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的PbS纳米晶,利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、紫外-可见吸收光谱（Abs）、光致发光谱（PL）对所制备PbS纳米晶的晶体结构、纳米晶粒径、形貌以及能带结构和发光特性进行了表征,结果表明:随着前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的提高,PbS纳米晶颗粒尺寸从3.9 nm增大到5.9 nm,发光峰值位置从1 009 nm移动到1 486 nm。通过拟合[S2-]/[Pb2+]=0.5条件下PbS纳米晶平均粒径对时间变化曲线,发现该方法下PbS纳米晶所经历的生长机制为Ostwald成熟化。运用经典纳米晶扩散控制生长模型,解释了实验中随着[S2-]/[Pb2+]的提高对溶液中纳米晶生长速率的影响。     

MOCVD生长的InGaN/GaN薄膜组分和表面形貌研究（参加广西南宁固体薄膜会议论文）

摘要：本文利用MOCVD方法在（0001）取向的蓝宝石衬底上实现了不同生长温度条件下的InGaN薄膜的制备。通过改变生长温度实现了InGaN薄膜中In组分可控。通过XRD、SEM、AFM等测量手段研究了生长温度和组分、形貌、缺陷等性质的关系。对比SEM和AFM形貌图像提出并探讨了3种缺陷坑（大V型坑,In-rich坑和热腐蚀坑）模型以及形成机制。通过研究不同生长温度的InGaN薄膜样品,发现较高生长温度对InGaN薄膜形貌质量和缺陷控制有至关重要的作用。     

控制定向聚集水热合成制备多种形貌的纳米钛酸锶

通过聚乙烯醇（PVA）辅助的水热合成方法制备出了纳米钛酸锶（SrTiO3）材料。X射线衍射（XRD）证明其结构为立方钙钛矿结构;透射电子显微镜（TEM）观察显示通过控制原料中锶和钛的浓度可以控制合成出具有花状纳米结构、纳米线及纳米线网状结构形貌的纳米SrTiO3材料。选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电镜（HRTEM）证明不同形貌的纳米SrTiO3为类单晶结构。研究结果表明反应物中锶和钛的浓度是控制定向聚集合成不同形貌纳米SrTiO3结构的主要因素。     

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件.     

在(111)Si衬底上磁控溅射纳米SiC薄膜的退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备出了纳米碳化硅薄膜,并研究了退火温度对薄膜的影响。用傅里叶红外透射谱（FTIR）、x射线衍射（XRD）、x光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析。AFM表明,随着退火温度的升高,碳化硅颗粒尺寸增大;在高于1000℃退火3h后,碳化硅颗粒呈现出勺状拖尾。     

低维纳米材料的力学性能测试技术研究进展

低维纳米材料作为纳机电系统(NEMS)中重要的结构层材料,其力学性能与变形失效机理的研究直接影响NEMS的功能实现、可靠性分析与寿命预测。首先,介绍了现有低维纳米材料力学性能测试技术,如纳米压痕法、基于原子力显微镜(AFM)的纳米力学测试法、基于电子显微镜(EM)的原位纳米力学测试法与基于微机电系统(MEMS)技术的片上纳米力学测试法,并讨论了各种测试方法的优缺点与存在的挑战性。然后,详细介绍了低维纳米材料力学测试,特别是片上纳米力学测试中的关键技术,如低维微纳米试样的拾取、操纵与固定技术、片上微驱动技术、片上微位移与微力检测技术。最后,得出基于MEMS技术的片上力学测试方法有望成为低维纳米材料力学测试的发展方向,并指出此方法中存在的问题。     

化学沉积Ni—Cu—P合金镀层生长过程的原子力显微镜观察

用原子力显微镜（AFM）,对化学沉积Ni-Cu-P合金薄膜的表面形貌进行了观察,对多元化学沉积的机理进行了初步的研究。     

脉冲磁场处理的粗晶铝基体中形变孪晶与层错

铝为层错能高的面心立方结构金属材料，在通常的塑性变形情况下，不易形成形变孪晶。最近分子动力学的模拟计算表明，在高应力应变速率条件下纳米晶铝可以出现形变孪晶。随后在物理气相沉积方法制备的纳米铝膜中和低温球磨制备的纳米铝中分别观察到了铝的形变孪晶。但迄今为止，在粗     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

LaF3纳米微粒LB膜摩擦学行为研究

以LB膜为代表的有序分子膜有望成为新一代优秀润滑材料,提供一种依靠表面分子工程来控制摩擦学特性的新途径。近年已愈来愈受到摩擦学界的广泛关注。由于LB膜的成膜机理是依靠物理吸附,其热稳定性、机械稳定性及力学性能较差。因此人们在利用纳米微粒复合,聚合以及开发新的LB膜方面进行了大量探索。本文研究了脂肪酸及二烷基二硫代磷酸修饰的LaF3纳米微粒(LaF3-DDP)LB膜摩擦学行为,并利用原子力显微镜(AFM)对其形貌进行了观察。试验方法基体选用玻璃,拉膜槽为法国L-B150型Langmuir槽。其纳米微粒为二烷基二硫代磷酸(DDP)修饰的La…     

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM观察结果表明 :In Ga N/ Ga N为平均直径约 30 nm,高度约 2 5 nm的圆锥 ;In Ga N量子点主要集中在圆锥形的顶部 ,其密度达到 5 .6× 10 1 0 cm- 2 .室温下 ,In Ga N量子点材料 PL谱强度大大超出相同生长时间的 In Ga N薄膜材料 ,这说明 In Ga N量子点有望作为高性能有源层材料应用于 Ga N基发光器件 .     

Al/SiO2/Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法.     

Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法