LTCC专用烧结设备温度串级控制系统的实现

针对LTCC专用烧结设备温度控制过程中滞后较大、干扰比较频繁,对温度控制品质要求很高的特点,将串级控制应用于LTCC专用烧结设备温度控制系统中,实验结果表明串级控制具有较强的抗干扰能力,控制品质优于常规PID控制,对温度控制品质的改善起到了很好的作用。     

层压压强对LTCC基板烧结收缩率的影响研究

LTCC技术是高可靠性、高集成度和高性能电路基板制造技术之一。运用实验的研究方法,详细探究了层压压强对LTCC基板烧结收缩率的影响。同时从理论上分析了这一影响产生的机理。     

三维微流道系统技术研究

采用LTCC技术,可以获得替代采用硅或其他技术制作的微功能结构,简化工艺,降低成本.重点研究了内嵌三维(3D)微流道系统LTCC多层基板成型中的关键技术:热压和烧结,并进行工艺优化.利用优化的热压、烧结工艺参数,可制备出完好的3D微流道系统LTCC多层基板;通过实验验证,LTCC内嵌三维微流道系统取得了良好的散热效果.     

TiO_2/ZrO_2掺杂MAS系LTCC生带的烧结致密化研究

文章以掺杂TiO2/ZrO2的MAS(MgO-Al2O3-SiO2)系微晶玻璃作为功能相,采用流延法制成生带并最终烧结成型。系统地研究了掺杂、粉体粒径、烧结条件等对LTCC基板收缩性能和致密性的影响。结果表明:通过成核剂TiO2/ZrO2的掺杂,能有效降低基板烧结温度,提高烧结致密性;粉体粒径对生带烧结后的致密性影响较大,粒径越小生带致密化程度越高,同时收缩率也越大。同时通过对比不同烧结条件下样品的致密性,确定了MAS系LTCC生带的最佳烧结曲线。     

LTCC电路加工中的关键技术分析

LTCC电路是实现3D立体封装的有效形式之一,从LTCC电路的组成材料出发,概述了LTCC电路的特点及典型的生产流程,提出了LTCC电路加工中需要解决的问题,分析了加工中孔互连、印刷控制、层叠环境、烧结控制和腔体保护加工等关键技术以及不同加工方式对产品质量的影响。     

LTCC三维微流道工艺研究

随着电子技术的发展，电路功率显著上升，散热成为电路设计的一个关键问题。用LTCC技术制作的三维（3D）微流道冷却器可以吸收芯片上的热量，通过液体循环将热量传给外界。本文重点研究了内嵌三维微流道LTCC多层基板成型中的关键工艺：热压、烧结。利用热压牺牲层技术防止微流道在热压过程中塌陷、变形，同时优化烧结曲线，避免多层基板开裂、分层。利用优化的热压、烧结工艺参数，可制备出完好的3D微流道LTCC多层基板，便于后续的散热试验以及优化改进设计。     

LTCC工艺技术研究

叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势.介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷精度、导体表面粗糙度、LTCC基板翘曲度和陶瓷强度的工艺因素.并分析了如何根据产品布线特点来设计和优化印刷工艺参数、如何根据基板结构特点来设计和优化排胶曲线.通过大量的工艺试验和数据测试,结果表明,印刷压力影响金属化导体精度和表面粗糙度、烧结曲线排胶段升温速率影响LTCC基板翘曲度和陶瓷强度.     

低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对LTCC (低温共烧陶瓷 )技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能 ,流延浆料有机添加剂进行了对比分析。描述了流延工艺过程和烧结过程。由于对基板材料选择的任意性 ,现有流变学模型的局限性 ,以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰 ,因此完整清晰地揭示LTCC工艺的物理化学过程仍需作很多工作。     

LTCC电路加工过程质量影响因素分析

LTCC电路加工过程复杂,影响产品质量的因素众多。从加工工艺流程入手,对LTCC电路加工过程中工艺性审查、CA M 处理、网版制作、丝网印刷、叠片、层压、烧结、划片等工序的质量影响因素进行深入分析,对LTCC电路加工者具有一定的参考价值。     

基于LTCC技术的表贴式封装SAWF

提出一种基于低温共烧结陶瓷(LTCC)技术的封装形式,将声表面波滤波器(SAWF)做成表面贴装器件(SMD).该封装结构可实现SAWF基片表面上方2个换能器间的隔离,提高SAWF的阻带抑制,其器件适合于高密度组装,进而可演变成SAWF集成在电路模块的LTCC多层电路板上,即直接将SAWF的裸基片掩埋在LTCC多层电路板内,实现器件—电路—体化.     

低温共烧陶瓷用硼硅酸盐玻璃的研究进展

概述了低温共烧玻璃陶瓷复合材料体系中所采用的硼硅酸盐玻璃的组成、工艺、应用技术参数。比较了锌、铅、钡硼硅酸盐玻璃组成、掺杂量对玻璃陶瓷的烧结特性的影响。指出了不同硼硅酸盐玻璃材料的优缺点和在低温共烧陶瓷技术中的适用范围。     

我国LTCC多层基板制造技术标准现状及需求研究

介绍了我国LTCC（低温共烧陶瓷）技术的应用情况,以及国内外LTCC多层基板制造的设计、工艺、材料、设备、组装、检测等技术标准的现状,论述了LTCC制造业与技术标准的关系,分析了我国LTCC制造业对相关技术标准的需求。     

LTCC专用烧结炉的研制

随着低温共烧陶瓷（Low Temperature Co—fired Ceramic,LTCC）多层基板为适应电子器件向着小型化、高密度、多功能的发展,从而对低温共烧工艺设备的也提出了更为严格的要求。针对目前低温共烧工艺设备的主要特点介绍了低温共烧陶瓷技术中新型烧结炉的研制方案及技术难点。     

基于神经网络与NSGA-Ⅱ算法的LTCC基板成型工艺优化

低温共烧陶瓷(LTCC)基板制作工艺复杂,产品质量对工艺参数十分敏感,微小的成型缺陷就会影响其功能特性.文章将BP神经网络和多目标遗传算法——NSGA-Ⅱ(Non-dominated Sorting Genetic AlgorithmⅡ)相结合用于LTCC基板在层压和烧结工艺过程中的工艺参数优化.根据LTCC基板成型过程中出现的微通道变形、互联金属柱错位、基板翘曲三种主要成型缺陷与相关工艺参数的正交仿真实验结果,对神经网络模型进行训练,建立了三种成型缺陷与工艺参数之间的神经网络预测模型.在此基础上,采用多目标遗传算法对三种成型缺陷相关工艺参数进行多目标优化求解,得到了较优的工艺参数组合,用于指导相关产品制作工艺设计.     

LTCC基板抗折强度的研究

抗折强度是反映低烧基板性能的一个非常重要的技术指标。通过试验找出了粉料粒度及配方、热压工艺条件、烧成曲线等与抗折强度的关系,并分析了其机理。试验得到的最佳工艺参数为：粉料粒度ｄ＝１．０～１．５μｍ;ＳｉＯ２／玻璃＝４５／５５;热压条件：Ｐ＝２０ＭＰａ,θ＝１１０℃,ｔ＝４０ｍｉｎ;烧成条件：θｐ＝８５０～９００℃,升温速度＝２．５℃／ｍｉｎ,ｔｋ＝３０ｍｉｎ。采用该工艺可将抗折强度提高到１５３Ｎ／ｍｍ２。     

模糊控制在烧结炉温控系统中的应用

为提高烧结质量,满足现代工业生产工艺需求,以先进的自动化控制设备为核心,以基于友好的人机界面为交流窗口,采用智能控制技术来控制烧结炉运行的烧结工艺正逐步显示出其优良的特性与强大便捷的操作功能。阐述了几种烧结炉温控方式,并在此基础上提出和设计了一种基于模糊PID控制的新方法来控制烧结炉炉温。     

BaCu(B2O5)的添加对Li2MgTi3O8微波介质陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备Li2MgTi3O8微波介质陶瓷,研究了BaCu(B2O5)(简称BCB)的添加对Li2MgTi3O8微波介质陶瓷的烧结性能及介电特性的影响.结果表明:BCB作为低熔点氧化物烧结助剂,可有效降低所制陶瓷烧结温度,而且可以调节τf近零.当添加质量分数3％的BCB,900℃烧结所制陶瓷的综合微波介电性...