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介绍了电压瞬变和浪涌的含义、区别和防护,以及防护电压瞬变和浪涌的半导体器件——瞬变电压抑制二极管(TVS)和控制维持电流型硅防护浪涌器件(CSSPD)的特点、性能及应用。 相似文献
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防护电压瞬变和浪涌的半导体器件 总被引:10,自引:0,他引:10
介绍了电压瞬变和浪涌的含义、区别和防护,以及防护电压瞬变和浪涌的半导体器件-瞬变电压抑制二极管(TVS)和控制维持电流型硅防护浪涌器件(CSSPD)的特点、性能及应用。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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基于0.5 μm CMOS 工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管.利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab 数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I –U 特性曲线;基于Silvaco TCAD 工艺器件仿真平台,经DC 仿真验证所建模型的准确性.仿真结果表明,2 种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS 二极管瞬态电压抑制时的电特性. 相似文献
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纳米硅二极管的电输运特性 总被引:4,自引:0,他引:4
用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10^3-10^-1Ω^-1cm^-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定性解释。 相似文献
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从文献中摘出了6H碳化硅(6H-SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n^-1二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二管开关性能较高,同时由于6H-SiCp-n结内建电压较高,其正向功率损耗比S 相似文献
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随着个人数据处理和通信技术的发展,设备的小型化推动着VLSI向低压、低功耗的工作方式转化。但硅VLSIA电路在室温(T=300K)下工作,会受到各种因素的限制,如静态漏电流、穿通、速度等。文章从MOS器件的物理角度,阐述低压、低功耗MOS集成电路中器件结构的设计,并给出了器件的模拟特性。 相似文献
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本文介绍了多孔硅(PS)二次阳极氧化(A0)过程中的电致发光现象,所设计的M/PS/Si/M肖特基结构的二极管也观察到了电致发光,本文还对它们的发光机理做了粗略地讨论。并提出要使多孔硅电致发光器件实用化,还有许多问题有待进一步解决。 相似文献
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高帧速自扫描光电二极管面阵 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对多路并行输出的高帧速自扫描光电二极管面阵(SSPA)的研究,分析了影响面阵帧速和响应度的主要因素。设计并制作出32×32位多路并行输出的SSPA实验样品。其性能参数为:FPS(帧速)≤2000帧/秒时,Vos(最大输出电压)=240mV,R(响应度)=1.09V·1x-1·s-1;FPS=10000帧/秒时,Vos=150mV;FPS=15000帧/秒时,Vos=100mV。 相似文献
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采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测定了In0.53Ga0.47As/InP异质结光电二极管的DLTS谱。发现存在一电子陷阱,该陷阱能级位于导带底以下0.44eV处,能级密度为3.10×1013cm-3,电子俘获截面为1.72×10-12cm-2。由于深能级的存在,导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。 相似文献
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利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点(Q.D)特征制成隧道二极管结构,在液氮温区(〈100K)在其σ-V,I-V及C-V特性曲线上呈出共振隧穿峰,库仑台阶和量子振荡现象,说明,对无序分布着量子点阵列,只要其粒子尺寸足够小,同样会发生量子功能作用,估计了室温范围呈出这种量子功能作用的可能性。 相似文献
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nc—Si:H/c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 总被引:3,自引:2,他引:1
采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了ns-Si:H/c-Si量子点二极管。在10 ̄100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出,当反身偏压为-7 ̄-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒长大小不一的Si微晶粒子,由于微晶粒子中能级的量 相似文献
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Jim Lepkowski William Lepkowski 《电子设计应用》2006,(3):133-135
引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面… 相似文献