钯银合金镀层性能

根据接触电阻,抗腐蚀性,耐磨性和微振磨损试验数据表明,电镀的钯银合金对于连接器来说是一种富有生命力的镀层。含40％银的钯银合金镀层比钯或者钯镍合金镀层性能好,成本低。     

钯和钯合金及其在电子元器件方面的应用

钯及其合金成本低于金 ,导电性能与金相似 ,是在电子工业中广泛应用的代金材料。同时 ,钯及其合金具有特殊的物理化学性能 ,可用于制造各种电子元件。本文对钯及其合金的性能和在电子元器件方面的应用进行了介绍。     

MLCC钯银内电极浆料性能研究

MLCC钯银内电极浆料主要由钯银粉、有机载体和无机添加剂三部分组成.试验表明:钯银粉中钯的含量决定了浆料的烧成温度及成本价格的高低;有机载体的作用是提供浆料一定的流变性能,以满足浆料在MLCC丝网印刷时的工艺要求,有机载体触变性的大小直接影响着浆料丝印图形质量的好坏;无机添加剂的作用是抑制浆料在烧成过程中的过快收缩,选择不同的无机添加剂可以调整浆料在烧成过程中其所形成的电极层与介质层之间的烧成收缩率的匹配,避免MLCC产品由于匹配问题所引起电极开裂等质量问题.     

浅谈镀钯铜线的特性

随着金线价格一路上涨并创下历史新高,大型封装厂正在加大对铜线制程的投入。通过封装厂多年的摸索,发现镀钯铜线是金线很好的替代品。文章分析了镀钯铜线作为键合线材料本身的基本性质,镀钯铜线引线键合的特征和镀钯铜线PCT实验的可靠性。通过分析发现镀钯铜线材料本身有优良的导电和导热特性,同时还有很好的抗氧化性。镀钯铜线在键合过程中需要保护气体的保护,通过硬度实验发现镀钯铜线的硬度较大,因此需要在键合过程中防止弹坑的出现。通过PCT实验证实镀钯铜线具有较好的可靠性。     

镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖

铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬态过程,因此在形成FAB后其表面的钯可能会出现不均匀的分布,后续的塑封环节中低含量的钯区域就会遭受外界的侵蚀,这对焊点的可靠性会有不良的影响。基于此,针对线径20μm镀钯铜线FAB上的钯覆盖区域进行了探究,并采用定制化的化学腐蚀方案来显示FAB上钯膜较厚区域和较薄区域在形貌上的差异。此外还讨论了不同电子火焰熄灭(EFO)工艺参数样品的钯薄弱区形状参数,最后分析了影响FAB表面上钯薄弱区的主要工艺因素,得到了相关工艺参数参考值,对后续工艺的可靠性提升有一定的借鉴意义。     

氧化铝基片对厚膜钯银导体附着力的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中氧化铝基片对钯银导体附着力的影响。试验发现不同厂家或不同批次的氧化铝基片的钯银的附着力有很大的差别，不同的钯银浆料在相同的基片上的附着力也不同。     

钯膜上CVD法制备碳纳米管薄膜的研究

采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,在各种钯膜上制备了碳纳米管薄膜。通过电子显微镜观察了碳管薄膜和钯膜的表面形貌。结果表明,在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管。对溅射的钯膜进行大气气氛下的退火处理,则可生长出稀疏的碳纳米管团聚颗粒。采用在氧气气氛下磁控溅射的钯膜作为催化剂,则可显著提高碳管的生长密度和纯度,从而获得致密均匀的碳纳米管薄膜。     

雷达刷丝导电环钯镍合金镀膜技术研究

描述了针对雷达刷丝-导电环采用钯镍合金镀膜的技术,对铝青铜材质的导电环刷丝面进行电镀,达到耐磨性钯镍合金膜层结构,以满足产品所需要的耐磨和导电要求。研究了钯镍合金溶液的钯离子浓度参数变化,以及参数变化对刷丝面镀层钯镍百分比含量的影响。结合镀金层对实验结果进行分析,讨论了各种现象出现的原因。     

镀钯铜丝芯片键合工艺控制和可靠性研究

随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高。为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力。但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商主要采用镀钯铜丝作为键合丝。对集成电路镀钯铜丝键合生产技术和工艺控制方法进行了探讨,并和金丝及纯铜丝工艺控制进行了比较分析。对镀钯铜丝键合工艺主要失效模式进行了介绍和说明,并就弹坑检测试验方法进行了比较分析和总结。特别是对特殊产品的弹坑检测试验如何才能确保结果准确,进行了实例分析。     

厚膜钯银导体超声丝焊性能的改进

在钯银导体浆料配方中采用钯银比为1:10,高温粘结相中加入适量的氧化物和玻璃(粒度小于5μm),银粉和钯粉经化学细化处理(粒度小于5μm,颗粒呈球形),可使钯银导体的金属丝焊性能得到大的改善。     

利用钯盐还原法的直接电镀技术

概述了利用钯盐还原法的直接电镀技术，适用于Ｃｕ孔金属印制板的制造。     

低温共烧玻璃陶瓷基板用钯—银浆料试制

本文简要介绍了低温共烧技术的有关情况。给出了低温共烧玻璃陶瓷基板用钯－银浆料配方、制备工艺及钯－银浆料性能。着重讨论钯－银浆料对低温共烧基板成品率的影响和如何减少钯－银导电带方电阻以及提高低温共烧基枝上钯－银的可焊性三个关键问题。     

采用钯镍薄膜的声表面波氢气传感器研究

该文对采用钯镍薄膜作为敏感膜的声表面波氢气传感器开展研究,以实现快速的氢气检测。传感器采用双通道差分振荡器结构,其中在传感通道器件声表面波传播路径上以磁控溅射法沉积钯镍薄膜,通过钯镍薄膜对氢气的快速和可逆物理吸附引起声表面波传播速度的变化,进而以差分振荡器频率信号来表征待测氢气浓度。通过传感实验以确定获得快速响应的钯镍的优化厚度。结果表明,在钯镍厚为40nm时,传感器获得的响应幅度与响应速度分别达5kHz和5s。     

纳米钯材料的制备及其在PCB化学镀铜中的应用

以二水合氯化钯为原料,PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂,抗坏血酸（从）为还原剂,在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL）,透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析,结果显示,在PVP分散剂的作用下,得到的纳米钯为粒径8nm～22nm,无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液,可以减少沉铜的工艺步骤,经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级,通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。     

多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结

研究了多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结行为。热重分析（ＴＧＡ）结果表明，在烧结过程中，银／钯内电极浆料发生氧化－还原反应。ＸＲＤ分析表明，由于内电极浆料的氧化－还原反应，在不同的烧成温度下，银／钯内电极具有不同的合金状态。通过计算，可以初步确定内电极的银／钯合金状态和银／钯合金为银／钯比例。这些结果有助于理解多层陶瓷电容器在烧成过程中的银扩散和挥发。     

银钯内电极与多层陶瓷电容器(MLC)的可靠性

银钯合金广泛用作多层陶瓷电容器的内电极。从一个失效分析实例出发，讨论了不同银钯内电极对多层陶瓷电容器可靠性的不同影响。     

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物（IMC）层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。     

无机添加剂对多层陶瓷电容器钯银内电极浆料的影响

为了满足多层陶瓷电容器陶瓷介质与钯银内电极浆料烧结一致性要求,研究了无机添加剂纳米BaTiO3和纳米ZrO2对钯银内电极浆料的烧结过程产生的影响。结果表明所用添加剂使MLCC烧结过程中钯银内电极浆料的收缩与陶瓷介质的收缩保持一致。     

氢气的吸附式纯化技术和钯膜技术之间比较

为了比较Aeronex Gatekeeper纯化器和钯膜技术对移除氢气中的污染物的效率。超纯的氢气需求成倍的增长是第二代硅晶,是化合物半导体制程中必须的,如硅晶体的外延,MOCVD制程和第III-V代化合物。     

钯银导体热老化性能的探讨

高强度的钯银导体具有良好的初始附着力。但是,在常温存放或长时间热冲击的情况下,附着力明显下降,甚至带来灾难。本文从热老化机理入手,对改善老化附着力提出了多种设想。