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SiGe外延层中硼注入和退火 总被引:1,自引:0,他引:1
对采用快速加热、超低压-化学汽相沉积(RTP/VLP-VCD)技术生长的Si0.8Ge0.2/Si应变外延层进行硼注入,注入能量为40keV,注入剂量为2.5×10^14cm^-2。然后,进行不同时间、不同温度的快热退为(RTA)稳态炉退火。结果表明,RTA优于稳态炉退火,其最佳条件下:退火时间为10s,退火温度范围为750℃-850℃,或者退火温度为700℃,时间为40s,基本可消除由注入引起的 相似文献
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在GaN中注入Si^-和Mg^+/P^+之后,在约1100℃下退火,分别形成n区和p区。每种元素的注入剂量为5×10^14cm^-2时,Si的截流子激活率为93%,Mg的是62%。相反,在原n型或p型GaN中注入N^+,然后在约750℃下退火,能形成高阻区(>5×10^9Ω/□)。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在0.8-0.9eV范围内,这些工艺参数适用于各种不同的GaN基电子和光器件。 相似文献
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介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施,获得了大直径(Ф40mm)、大单晶面积(4~10cm2)、径向组分均匀(x≤±0.003)、光电性能良好(77K:ni≤5×1014cm-3、μi≥1.5×10scm2/V.s、≥2μs;300K:0.9mm厚的晶片透过率T≥15%)的碲镉汞晶体。 相似文献
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文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为x=0.330和0.226的两种材料,77K时载流子浓度和迁移率分别为p=6.7×1015cm-3、up=260cm2V-1s-1和4.45×1015cm-3、410cm2V-1s-1。研制了平面型中、长波线列光伏探测器,其典型的探测器D分别为5.0×1010cmHz1/2W-1和2.68×1010cmHz1/2W-1(180°视场下),其中64元线列中波探测器与CMOS电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。 相似文献
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利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为- 1.8×1011 cm - 2和- 1.4×1011 cm - 2,平均俘获截面分别为5.8×10- 20 cm 2 和7.2×10- 20 cm 2,有效电荷中心距分别为3.8 nm 和4.3 nm ,界面陷阱电荷饱和密度分别为6.54×109 cm - 2eV- 1和- 3.8×109 cm - 2eV- 1,平均俘获截面分别为1.12×10- 19 cm 2 和4.9×10- 19 cm 2。 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
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高T_cPTC陶瓷材料的配方研究 总被引:2,自引:1,他引:1
选用国产原材料,在(Ba0.3Pb0.7)TiO3+4%AST+0.08%Mn(NO3)2材料中,添加(0.2~0.4)%(Nb2O5+Y2O3)+0.2%BN+(3~5)%CaTiO3(全为摩尔比)。采用传统陶瓷工艺,经1150℃适当烧结,可获得ρ25c≤104Ω·cm,Tc≥380℃,ρmax/ρmin≥103,Vb≥650V的实用高TcPTC陶瓷材料。 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
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采用室温下Se^+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量,剂量,注入角度及快速热退火温度,时间,获得了高剂量下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5-6)×10^16-cm^-2,平均载流子迁移率为3010cm^2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出3000门GaAs超高速门阵列集成电路。 相似文献
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本文报导在4×622Mb/s)×160km等三个常规单模光纤无中继传输实验系统,以及4.354Gb/s×200km常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果.带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别>+4dBm/信道(4×622Mb/s)和11dBm(单路2.5Gb/s),频率稳定度分别优于6×10-6和4.1×10-6.带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到-46.8dBm(622Mb/s,NRZ223-1PRBS)和-39.5dBm(4×2.5Gb/s,NRZ223-1PRBS).系统各信道误码率分别优于4×10-12~4×10-15. 相似文献
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在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上,从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。.对KK200A半成品晶闸管进行能量3.5MeV和5.0MeV注量为2.5×10^11p/cm^2的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用5.0MeV后用3.5MeV能量注量都为2.5×10^11p/cm^2的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比,发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶 相似文献
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制作光伏型碲镉汞(MCT)探测器PN结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现,低能离子束成结更适合制作长波光伏型MCT探测器。本文报导了低能离子束成结的10.6μm光伏型碲镉汞探测器的性能,衬底为载流子浓度在0.8~6×10 ̄(16)cm ̄(-3)范围的P型MCT材料,离子束能量范围为100~600eV,通过离子束处理,可在P型MCT表面形成一薄层较低载流子浓度的N型区,而制成NP结,利用该技术成结制作的大面积、四象限10.6μmMCT探测器,在-20mV的偏压,80K的温度下,器件的峰值响应率和峰值分别为324.5V/W和1.13×10 ̄(10)cmHz ̄(1/2)/W,每元光敏面积为6.88×10 ̄(-3)cm ̄2。 相似文献
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采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测定了In0.53Ga0.47As/InP异质结光电二极管的DLTS谱。发现存在一电子陷阱,该陷阱能级位于导带底以下0.44eV处,能级密度为3.10×1013cm-3,电子俘获截面为1.72×10-12cm-2。由于深能级的存在,导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。 相似文献