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相似文献
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1.
大尺寸AMOLED显示的技术挑战   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了目前大尺寸AMOLED显示的技术挑战,尤其是背板技术。然后论述了如何采用氧化物TFT新技术与LTPS和a-Si TFT的优势相结合制造大尺寸背板的最佳方案。通过对比传统准分子激光退火(ELA)LTPS和非晶铟-镓-氧化锌(a-IGZO)TFT的器件特性,特别揭示了氧化物TFT的挑战性技术。最后,展示了由a-IGZO TFT背板制造的12.1in WXGAAMOLED显示器原型机。  相似文献   

2.
《中国集成电路》2009,18(1):7-7
韩国三星尖端电子研究所(SAIT)宣布,开发出了高速非结晶氧化物TFT,该TFT的速度为全球最快。通过将原来的氧化物TFI、的单信道结构改成双信道,电子迁移率达到了原来的3倍,约为130cm^2·Sec,并且还降低了阈值电压。  相似文献   

3.
低温多晶硅TFT技术的发展   总被引:6,自引:1,他引:5  
本文综述低温多晶硅(LTPS)TFT技术的最新进展情况。该技术目前的研究前沿是:(1)制作高性能的TFT;(2)在柔性衬底上制作LTPS TFT;(3)驱动有机发光器件的TFT;(4)LTPS TFT的新应用。同时还展望了LTPS TFT技术的未来发展趋势。  相似文献   

4.
《现代显示》2012,(11):47
近日,国内显示领域领军企业——京东方科技集团成功研发出17英寸AMOLED彩色显示屏,这是全球首款融合了氧化物TFT背板技术和喷墨打印技术的大尺寸AMOLED显示屏。同期,国内首款17英寸利用氧化物TFT和真空蒸镀技术制备的AMOLED显示屏,也在京东方问世。这是继今年年初发布国内首款氧化物TFT液晶显示屏后,仅半年时间里,京东方在新型显示领域取得的又一重大进展。  相似文献   

5.
《现代显示》2010,(1):61-61
凸版印刷采用透明非结晶氧化物半导体,试制出了将制造工艺控制在低温状态的涂布型薄膜晶体管"Thin Film Transisto(rTFT)",并成功地驱动了电泳方式的可弯曲显示器(E-ink电子纸)。该显示器通过印刷法涂布氧化物半导体层,其它层采用与普通TFT相同的制造工艺形成。  相似文献   

6.
近日,美国亚利桑那大学柔性电子与显示中心(FEDC)利用混合氧化物薄膜晶体管(TFT)成功制造出了世界上最大尺寸的OLED彩色柔性显示器样机。该显示器由柔性电子与显示中心与美国陆军研究实验室联合开发,尺寸为14.7英寸,达到了该中心此前创造世界纪录型号的两倍。  相似文献   

7.
应用低压多晶硅TFT和高压多晶硅TFT组合开发成功高分辨率(〉300ppi)LCD/OEL显示系统,也就是说,将受激准分子激光结晶化(ELC)TFT用于耐高压显示电路,而将选择扩大激光结晶化(SELAX)TFT用于低功耗高性能显示电路。在这两种混合型的TFT中,扩大激光结晶化(SELAX)TFT成功地整合了显示系统大电流驱动的可靠性。  相似文献   

8.
岳兰  任达森  罗胜耘  陈家荣 《半导体技术》2017,42(6):401-410,474
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能.近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域.综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望.  相似文献   

9.
王晓  葛世民  李珊 《液晶与显示》2018,33(11):925-930
背沟道刻蚀型(BCE)非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管(a-IGZO TFT)具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点,但BCE IGZO器件背沟道易受酸液和等离子体损伤,进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题,随着GOA技术的导入,对TFT器件电学性能的均匀性和稳定性提升的要求也日益迫切,因此开发高信赖性BCE IGZO TFT是技术和市场的迫切要求。本文主要分析了基于IGZO的背沟道刻蚀型薄膜晶体管电学性质,通过优化钝化层材料,色阻材料以及GOA TFT结构等削弱因背沟道水汽吸附引起的器件劣化,偏压温度应力测试结果显示优化后的TFT展现了良好的稳定性——在80℃,栅极30 V负向偏压条件下,2 000 s的ΔVth小于1 V。最终,利用优化的IGZO TFT制作了215.9 mm(85 in)8K4K 120 Hz液晶显示器。  相似文献   

10.
《现代显示》2007,(11):F0003-F0003
本书主要介绍非晶硅(amorphous silicon,a-Si)TFT阵列大规模生产的制造技术,共13章,内容从TFT元件的结构及特点,到TFT的检查与修复,包括TFT阵列制造清洗工艺、成膜工艺、光刻工艺、不尉辑析和检查修复。本书从11可阵列大规模制造的角度,第一次比较全面地介绍了TFT LCD牛产线的TFT阵列制造工艺技术、工艺参数、生产工艺技术管理、工艺材料规格、设备特性、  相似文献   

11.
友达光电(AUO)使用由第6代大尺寸底板生产线的等离子CVD装置形成的微晶硅.试制出了32in电视用TFT液晶面板。 与非晶硅(a-Si)TFT相比,采用μc Si—TFT有可能获得更高的迁移率。另外,还可实现用多晶硅(p-Si)TFT难以实现的、基于第5代以后大尺寸底板的工艺。  相似文献   

12.
野泽哲生 《电子设计应用》2007,(11):44-46,48,49
TFT通常用于驱动电子纸、LCD、有机EL显示屏等,作为TFT的材料,透明氧化物半导体受到了各显示屏生产厂商的瞩目.  相似文献   

13.
《现代显示》2006,(3):61-62
目前台湾友达光电(AU Optronics Corp.)在大型TFT领域的市场占有率位居第3,在中小型TFT领域位居第5,今后”目标是大型和中小型TFT液晶面板分别跻身前3名”。在”台湾FPD厂商畅谈FPD业务及技术战略”会议上,该公司执行副总裁熊晖(Hui Hsiung)谈了今后的战略。他还表示,该公司已撤出LCoS(1iquid crystal on silicon)、FED以及PDP领域。  相似文献   

14.
TFT-LCD是当前平板显示(PFD)的主要品种之一,已成为平板显示技术中的支柱产品。本文从基本原理和特性开始,以丰富的资料较全面地对TFT-LCD显示技术的发展现状作了详实论述,为平板显示业者提供参考。  相似文献   

15.
邵明  孙润光 《现代显示》2005,(11):47-51
近年来,PLED(聚合物发光二极管)和a-Si TFT(非晶硅薄膜晶体管)技术取得了巨大进展,两者的结合有望成为未来平板电视的主流.三星与杜邦公司已经研制成功14.1英寸的非晶硅薄膜晶体管聚合物发光二极管(a-Si TFT AM-PLED)全彩显示面板.本文介绍该a-Si TFTAMpLED的制作过程,讨论它独特的性能和成本优势,并分析未来平板电视的发展趋势.  相似文献   

16.
《光电技术》2009,51(3):26-27
本文给出了制作在有源矩阵场发射显示(AMFED)器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列(p-SiFEA)与薄膜晶体管(TFT)。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射,从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。  相似文献   

17.
本文提出了目前大尺寸AMOLED制造技术的可选方案,例如:多晶硅TFT制造的非激光结晶方法以及采用激光感应热成像(LITI)的彩色图像成型。特别是,已经得出超大晶粒结晶(SGS)方法在灵活性及无电流方面获得了高性能TFT。对于此类大尺寸AMOLED技术的可行性,我们用17英寸UXGA AMOLED显示器进行了演示,其结果显示出了良好的亮度一致性。  相似文献   

18.
引言 LCD正在迅速成为汽车内的标准部件。随着LCD技术的发展,迫切需要采用更好的显示图形内容控制和产生方法。传统上,低成本汽车信息娱乐应用采用基于字符的LCD和真空荧光(VF)显示屏,而低成本彩色薄膜晶体管(TFT)技术很快成为最突出的选择方案,但在现有的低成本应用体系结构中采用彩色TFT有很大的难度。大部分低成本平台没有足够的处理带宽,  相似文献   

19.
为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。  相似文献   

20.
日立公司采用堪与半导体生产线媲美的高水准的洁净室与制造装置,通过计算机控制的自动面板搬运系统,制造出了应用范围小至无绳电话、大到大屏幕电视用面板的多种尺寸的高性能TFT彩色液晶。利用高度先进的生产技术,提供了采用超高级(Advanced-Super)IPS技术的视角宽广的电视用TFT液晶与采用低温多晶硅技术的高精细无绳电话用TFT液晶等世界最高级别产品。  相似文献   

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