排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 234 毫秒
1
1.
2.
常温下纳米TiO2薄膜的制备及其超亲水性研究 总被引:7,自引:1,他引:6
在室温下采用溶胶法制备锐钛矿型纳米TiO2薄膜,研究不同温度处理后薄膜的超亲水性,光催化能力,结果表明:在室温下制备,固化的薄膜具有良好的超亲水性,光催化能力和较高的可见光透射率,且薄膜厚度均匀,温度低于200℃的热处理,对薄膜的光致特性基本没有影响,而在450℃下烘烤1h后,其光催化性能有所下降。 相似文献
3.
用溶胶-凝胶法制备了掺杂Sb的纳米TiO2薄膜.通过水接触角、循环伏安法研究了薄膜的光致超亲水性和电化学性质,薄膜的晶体结构由X光衍射(XRD)分析.结果表明:用该方法制备的纯TiO2薄膜中,TiO2主要以锐钛矿结构形式存在,但也含有少量的板钛矿结构.Sb的的引入提高了薄膜的结晶效率.与纯TiO2薄膜相比,掺入适量Sb(0.2%)后的薄膜具有更好的光致超亲水性和较强的峰电流.经1小时的紫外光照射后,该薄膜的水接触角接近于0°,峰电流达2.94μA。由XRD计算得薄膜的晶粒大小为(13.3~20)nm. 相似文献
4.
以锌锡氧化物(ZTO)薄膜作为沟道层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为介质层低温(100℃)制备了顶栅共面结构的薄膜晶体管(TFT),并研究了ZTO沟道层成膜过程中氧分压对器件性能的影响。结果表明,ZTO沟道层具有稳定的非晶结构、较高的可见光透明性(在400~700nm范围内平均透过率大于等于89.61%),且增大氧分压有利于其可见光透明性的提升。霍尔测试结果表明,增大氧分压(由3.5×10-2Pa增大到7.5×10-2Pa)会降低ZTO电子载流子浓度(由4.73×1015cm-3降低到6.11×1012cm-3),致使基于ZTO沟道层TFT器件的能耗降低(表现为关态电流的降低和耗尽型器件阈值电压的正向移动)。此外,增大氧分压还有益于沟道层/介质层界面状态的优化,即亚阈值摆幅减小。 相似文献
5.
6.
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能.近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域.综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望. 相似文献
7.
在室温下采用溶胶法制备锐钛矿型纳米TiO2 薄膜 ,研究不同温度处理后薄膜的超亲水性、光催化能力。结果表明 :在室温下制备、固化的薄膜具有良好的超亲水性、光催化能力和较高的可见光透射率 ,且薄膜厚度均匀。温度低于 2 0 0℃的热处理 ,对薄膜的光致特性基本没有影响 ,而在 4 5 0℃下烘烤 1h后 ,其光催化性能有所下降。 相似文献
8.
ZnO 薄膜包装材料溅射制备工艺与阻隔性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
目的为了解决普通聚合物包装塑料对水、氧的阻隔能力不足,以及包装内容物货架时间短等问题,研究氧化锌(ZnO)沉积复合薄膜制备工艺与阻隔性能之间的关系,探索其应用于包装材料的可行性。方法采用射频磁控溅射技术(RF),以ZnO为靶材,在PET塑料表面沉积制备氧化锌薄膜包装材料,并详细分析射频溅射功率、沉积时间与工作气压对ZnO复合薄膜微观形貌、沉积速率以及阻隔性能的影响。结果当溅射功率为150 W,沉积时间为30 min,工作气压为0.8 Pa时,ZnO薄膜均匀且致密,阻隔能力最强,其氧气透过率(OTR)降低为1.23 m L/(m2·d),水蒸汽透过率(WVTR)降低为0.382 g/(m2·d)。与相同厚度下的PET原膜相比,所制备的ZnO高阻隔薄膜的透氧率降低了49.5倍,透湿率降低了17.6倍。结论射频溅射参数通过影响复合薄膜的微观形貌、致密程度、沉积速率以及沉积层厚度等方面对其阻隔能力会产生较大影响。 相似文献
9.
10.
射频磁控共溅射制备光催化Ag-TiO2薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频磁控共溅射法制备Ag-TiO2复合薄膜,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2的比例.所制备的Ag-TiO2薄膜为锐钛矿结构.通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag-TiO2薄膜光催化及光电化学特性.实验结果表明:掺1.5% Ag的Ag-TiO2薄膜在紫外光照射下能增强亚甲基蓝溶液的降解并得到更大的光生电流.这种光催化的增强主要是由于光生电子-空穴对的复合被抑制的结果. 相似文献
1