星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。     

星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应，瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法，涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。     

深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展

本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展,对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述。不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础。本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型,尤其是ＭＯＳ器件的热载流子退化模型。     

半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长为７００～３５００ｍｍ的光电流测试系统研究了ＳＩ－ＧａＡｓ村谗及其ＭＥＳＦＥＴ器件中的深能级。结果显示在ＳＩ－ＧａＡｓ衬底及其ＭＥＳＦＥＴ器件中存在着相似的深能级,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器的光敏现象的方法。     

MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模

小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应,需要二维模型描述,本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型,模型是横向场Ｅｒ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数,二维分布模型截有较充分的物理过程,可以基本反映电流密度的实际分布,模型可应用于与电流路径相关的ＭＯＳ器件特性的研究,特别重要的应用领域是ＭＯＳ热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模,选和深亚微米ＭＯＳ器件的横向场     

新型电子器件和光学器件的共振隧穿结构

描述了一种新型共振隧穿结构器件，这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器（ＶＳＳＥＦ）中的耦合量子附态的隧穿过程．论证了通过ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＶＳＳＥＦ器件高能态和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格受激态的共振隧穿，描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用，并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用．     

SiGe器件及其研究综述

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况,并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。     

SiGe器件及其研究综述

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况,并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。     

CMOS／BESOI器件的电离辐照特性

采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。     

通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型

本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅ＳＯＩ器件进行了源漏电流的模拟，并对结果进行了分析．     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

开创了第二代硅新技术的Si／Si1—xGex异质器件

综述了国内外Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的发展状况，指出了Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的特点和优越性，分析了该器件的结构机理和制造技术，阐述了该器件的应用前景和对微电子技术将产生的重大影响，并提出了发展我国Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的建议。     

VDMOS场效应晶体管及其应用

ＶＤＭＯＳ场效应晶体管是功率器件中的一种新兴器件，它的应用领域相当广泛，可以说绝大部分用三极管的地方都可以用ＶＤＭＯＳ管取代。文章就ＶＤＭＯＳ场效应晶体管的基本特性、应用基础等作了介绍；最后介绍了笔者应用过的几种典型ＶＤＭＯＳ电路。     

SiGe／Si HBT及其单片微波集成电路的研究

ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率，增益，噪声等方面相对于ＧａＡｓ器件有很大的优势。本文结合本单位在ＳｉＧｅ材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现ＳｉＧｅ单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。     

扩展DS12887一个经验

扩展ＤＳ１２８８７一个经验江苏省淮阴工专电气系赵正敏ＤＳ１２８８７是一种ＣＭＯＳ工艺的ＲＴＣ／ＲＡＭ器件，广泛用于各种具有实时钟及非挥发ＲＡＭ的计算机系统中，图１是该器件用在ＭＣＳ５１系统中的电原理图。我们发现，在没有采用虚框部分时，从ＤＳ１２８８...     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种ＳｉＧｅ器件工艺：低压ＩＣ电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。     

宽温区（27—300℃）MOS器件高温特性的模拟

本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而且模拟和结果基本相符。     

参加《NSC音响器件制作大奖赛》的一点体会

参加《ＮＳＣ音响器件制作大奖赛》的一点体会江西省兴国县商业局贸易公司邓承山笔者有幸参加了《ＮＳＣ音响器件制作大奖赛》，并获得较好成绩，现将制作中的一点体会介绍给广大音响爱好者，供制作时参考。本次参赛使用的器件为ＬＭ３８７６、ＬＭ８３３、ＬＭ１０３６等...     

一种新型电子节能灯用晶体管——双极型静电感应晶体管

本文简要叙述了开发和研制ＢＳＩＴ的市场背景和技术现状，对ＢＳＩＴ器件模型进行了理论分析，对ＢＳＩＴ器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了ＢＳＩＴ器件的工作原理和特性；介绍了ＢＳＩＴ器件的应用和上灯试用情况。     

60MHz声表面波脉压线小批量生产的工艺研究

文章着重介绍某雷达接收机所用的关键器件－高性能６０ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）脉压线生产中的工艺问题以及提高器件的可靠性和成品率。