Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．     

Eu：Fe：LiNbO_3晶体光折变效应的研究

测试了Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的指数增益系数，位相共轭反射率和光折变温度效应，以Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作相位共轭镜，实现了实时关联存储。     

Zn：Fe：LiNbO3晶体外泵浦位相共轭激光器

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体,测试了晶体抗光致散射能力和响应时间,以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬＮｂＯ３晶体为位相共轭镜,氦氖气体激活介质,构成了外泵浦位相共轭激光器。     

光折变LiNbO_3晶体中的有效载流子密度

基于双光束耦合的原理及实验结果，计算了纯ＬｉＮｂＯ３和Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体中的有效载流子密度，对结果进行了讨论，指出光折变ＬｉＮｂＯ３中氧空位色心也是载流子施主之一，且被激发的Ｆｅ２＋仅占晶体中Ｆｅ２＋浓度的一小部分。     

双掺杂Zn,Fe：LiNbO3晶体的二波耦合效应的研究

在固液同成分ＬｉＮｂＯ３中，同时掺入６％ＺｎＯ（摩尔比）和０．０５％Ｆｅ２Ｏ３（摩尔比），用提拉法生长了双掺杂Ｚｎ，Ｆｅ，ＬｉＮｂＯ３晶体，这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶体的耦合增益和衍射效率，Ｚｎ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３的光致折射率变化值达１０＾－５，且响应速率达到秒量级，这是双掺Ｚｎ，Ｆｅ两种杂质共同作用的结果。     

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

Ce∶Ho∶LiNbO_3晶体的全息存储特性的研究

报道了Ｃｅ：ＨＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长，研究了晶体的衍射效率、存储时间、图像质量等全息存储性能。用Ｃｅ：ＨＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体作记录介质，实现了实时关联存储。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的生长及二波耦合效的研究

本文介绍了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长，测试了晶体的二波耦合指数增益系数和衍射效率，它具有很高的指数增益系数和衍射效率，并且具有温度增强效应。     

Ce：Fe：LiNbO_3晶体的生长及其二波耦合效应的研究

本文介绍了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的生长，测试了晶体的二波耦合指数增益系数和衍射效率，它具有很高的指数增益系数和衍射效率并且具有温度增强效应。     

CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

含铕三元配合物的合成及发光机理研究

实验合成了用于白光LED的红光荧光粉—Eu-苯甲酰丙酮(BA)-邻菲啰啉(Phen)。通过红外光谱、紫外光谱、荧光光谱、荧光寿命和热重分析,对其结构与性能进行了表征。结果表明:配体与Eu发生配位;配合物的吸收主要源于配体的吸收;配合物在365nm紫外光激发下,在611nm处发出特征红光,表明配合物是一种可用于365nm波长紫外芯片的光致荧光粉;配合物的荧光寿命为5.033×10-4 s,量子产率为68.4%;配合物起始分解温度在250℃附近,满足白光LED的工作温度。同时,通过量子化学计算出配体的单重态与三重态能级,对配合物发光机理进行了探讨分析。     

串联叠加式固态脉冲调制器的设计

介绍了固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点。设计了基于IGBT的串联叠加式固态刚管脉冲调制器,调制器通过充电电源变压器实现电位隔离,采用6路调制单元串联叠加,并利用脉冲变压器升压至40 kV。重点讨论了该类型调制器研制中的关键技术,分析了脉冲变压器铁芯饱和现象并提出解决方法;讨论了吸收电路的计算选取,给出了有无吸收电路时,IGBT的C、E两端电压波形;分析并解决了脉冲波形过冲控制以及电磁干扰噪声抑制问题。     

半导体激光器驱动电路的光功率控制的研究

介绍了数字控制式半导体激光器驱动电路的设计，包括温度控制系统和光功率控制系统。该系统以单片机为核心，结合外围电路，以数字控制技术代替以往的模拟电路，易于控制，精度高。对光功率控制系统也以单片机为核心，配合外围的功率采样电路和电流驱动电路．同时使用PD控制算法，控制电源电流，从而控制激光器光功率输出。在PD参数整定时，采用了工程实验法多次实验调试确定参数。建立数学模型，从而实现软件控制。为了提高控制的精度，把功率范围分为9段，对每一段都整定了一组参数，从而将光功率误差控制在0．02W内。所设计的驱动电路精度高，实时性好，达到了设计要求。     

靖安油田延长组低孔低渗储层的扫描电镜研究

本文以靖安油田延长组储层为研究对象，通过扫描电镜、X射线能谱及光学显微镜、X射线衍射等，对碎屑岩储层的岩性、孔隙及成岩作用进行了分析。储层岩石类型主要为岩屑质长石砂岩和长石砂岩组成。储层孔隙类型以原生粒间孔隙和次生溶蚀孔隙为主。成岩作用有压实作用、胶结作用和溶蚀作用。压实作用和胶结作用是导致储层低孔低渗的主要原因。溶解作用所形成的次生孔隙改善了储层的性能。     

“电路分析基础”多媒体教学课件的研制

本文介绍了“电路分析基础”多媒体课件的制作、主要内容及使用方法。整个多媒体课件包含电子教案、实验、计算机辅助分析与仿真、模拟测试和电学名人简介五部分内容。电子教案采用PowerPoint制作,并配有用Flash MX实现的动画演示;实验以网页形式呈现;用Matlab软件和PSpice仿真工具制作了计算机辅助分析程序与仿真演示示例;采用VB和SQL Server数据库等技术制作了模拟测试软件;以Word形式给出了主要电学名人简介。整个课件内容丰富,便于教师和学生使用。     

网络存储技术及发展趋势

网络存储是信息社会的关键技术.本文讨论了网络存储技术及其应用,分析了网络存储技术的应用背景,对传统存储存技术DAS的特点进行了分析,说明了传统存储技术DAS的局限性,分别讨论了目前网络存储两种主流技术NAS和SAN的特点,分析了网络存储技术相比传统存储技术的优势,指出了NAS和SAN逐渐融合和趋势,并对DAS、NAS和SAN三种技术进行了比较说明.结合学术、市场的研究方向列举了网络存储技术的一些发展方向.     

船舶操纵控制嵌入式训练系统设计与实现

嵌入式仿真训练系统将模拟训练与实装训练相结合,利用仿真技术,将模拟训练功能嵌入到真实武器平台中,利用真实武器系统进行高逼真度的训练,是改善训练模式,提高训练效能的有效途径。介绍嵌入式训练系统的原理及当前发展现状;对船舶操纵控制系统模块进行分析,提出了系统改造的总体方案,并就嵌入式训练系统与实际操作之间的安全切换、嵌入式训练系统建模技术、仿真评估及故障仿真等关键技术进行研究。通过嵌入式训练功能加装,可以提高装备训练能力,降低训练成本,并为新研制装备的嵌入式模拟训练系统提供理论支持,具有非常重要的意义。     

因特网的演化--从NGI、NGN到LSI

目前因特网的发展趋势是正在出现公共因特网和运营商的可管理的IP网并存的局面,可管理的IP网与因特网虽然都是基于IP技术,但是它们的基本理念是不同的.因特网将向下一代因特网(NGI)演化,IPv6为其主要特征.可管理的IP网基于IP技术,但是没有接受因特网的全部理念,它将智能由网络边缘移到网络内业务节点处.可管理的IP网结合各种增值业务模块将演化成下一代网(NGN).NGI和NGN以及固网和移动网络的融合发展将形成无所不在的网络,通信连接对象将扩展到"机-机",传感器和执行机构都将成为网络节点,网格将成为一种重要应用模式,网络节点将增加到上万亿个,这种大规模网络(LSI)将是今后网络研究的重点.     

新型CMP用二氧化硅研磨料

介绍化学机械抛光技术的重要性,找出影响其性哪料种类做概要论述,找出其优缺点.并在前人研究的基础上研制出更具优势的抛光研磨料,详细介绍其特点及使用条件,另对它的使用效果进行了简要说明.