热壁外延ZnSe单晶薄膜

介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。     

利用分子束外延方法在GaAs衬底上制备CdTe单晶薄膜

利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整度和洁净度是影响外延层晶向的两个关键因素。我们已在所得到的CdTe缓冲层上成功地生长出Hg_(1-x)Cd_xTe单晶薄膜。     

过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层.通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件.     

金刚石薄膜气相外延生长

本文介绍了用微波化学气相沉积法,以丙酮、氢体系为研究对象,以 SDA级、毫米级人造金刚石单晶为基体,金刚石(100)、(110)、(111)晶面的气相外延生长的研究,对单晶外延生长条件进行了初步的探讨,使用RED、SEM、MLRS等检测手段,对生长的外延层进行检测。     

ALE ZnSe单晶薄膜的PL性质

最近,日本茨木电气技术研究所的 T.Yao 等人第一次报导了用原子层外延方法(ALE)生长的不掺杂 ZnSe 单晶薄膜的光致发光性质。光谱显示出很强的激子发射,并由此说明了薄膜质量。单晶薄膜生长所使用的衬底是(100)取向的 GaAs 片。ALE 生长采用 MBE 设备。     

用热壁外延技术在CdTe衬底上生长CdTe薄膜

利用热壁外延技术在CdTe衬底的(111)A面和B面生长了CdTe薄膜。源温度和衬底温度分别在670～800℃和600～760℃之间,生长速率为0.8～1.3μm/h。X射线衍射和荧光分析表明,CdTe外延层为[111]方向生长的高纯单晶薄膜,外延层表面组分和纵向组分均勺;回摆曲线峰半高宽的典型值为1.38′,表明外延层为高质量的CdTe单晶膜。     

用简化的单晶生长工艺制造半导体激光器

日本索尼公司发展用单晶生长工艺制造840nm AlGaAs/GaAs半导体激光器,在室温下,阈值电流为0.88mA,是多层量子阱结构。在有源区中,多量子阱有6nm厚度的GaAs层。     

铝酸钇和铝酸钆单晶中点缺陷的研究

铝酸钇和铝酸钆单晶作为激光器件材料,近来已引起人们很大的兴趣。在这种材料中用Er~(3 )和Nd~(3 )作为激活离子已经产生感应辐射。有关这种材料的生长试验表明,制造光学质量的晶体还有赖于解决控制材料中的这些问题。铝酸钇单晶属于钙钛矿结构,铝酸钆属于菱形共生结构。本工作的目的在于研究控制生长过程中以及在不同环境中进行热处理时,铝酸钇单晶和铝酸钆单晶中所产生的点缺陷的形成     

用国产有机源和外延设备的MOCVD法生长碲镉汞单晶工艺通过技术鉴定

研制多元碲镉汞红外探测器关键之一是制造均匀性好、电学参数好、大面积的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其中x值要在0.2以满足制造军事上应用最多的8～14μm红外探测器的要求。用单晶生长碲镉汞已成熟,但不能满足大面积均匀单晶之要求,液相外延法虽较成熟(国内还在研制,尚未鉴定),但难以获得x≈0.2,     

石墨烯上生长GaN纳米线的研究

在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和透射电子显微镜(TEM)等表征手段对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构进行表征.结果表明,在1 100℃条件下,同时有石墨烯插层和催化剂的衬底表面能够获得低应力单晶GaN纳米线.石墨烯、催化剂对于获得低应力单晶GaN纳米线有重要的作用.     

MOVPE生长的GaN中有关Zn的电致发光特性

GaN是制造发蓝光器件的理想材料之一。在蓝宝石(0001)(C-面)衬底上用HVPE法(氢气气相外延法)己生长出GaN单晶。但是,要获得具有无裂痕的表面平滑的高质量GaN薄膜是相当困难的,这是因为在外延膜和衬底之间的热膨胀系数不同以及存在着较刀的晶格失配。在用MOVPE生长GaN之前预先沉积的AlN薄膜缓冲层对改进表面形态及未掺杂GaN膜的结晶质量有明     

InAsSb材料的LP-MOCVD生长

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料.分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长.采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43％.通过调节过渡层材料来减小界面处的应变,提高材料的生长质量,利用光致发光谱对材料做了检测分析.给出了InAsSb材料的LP-MOCVD生长的参数分析和测量分析,为以后生长和分析InAsSb材料提供了很好的基础.     

PbS分子束外延

本文介绍了一种自行设计的、能连续制备多层外延膜的简易分子束外延装置,并用此装置在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te衬底上生长了PbS单晶薄膜。利用扫描电镜、X-射线分析,红外反射光谱等检测手段,对单晶膜的表面形态及结晶质量进行了观察和测试分析。     

合金贮氢瓶的超纯氢在彩电集成电路外延工艺中的应用

彩电集成电路(彩电IC)是彩电重要元件,但目前这种元件不少是进口的,因此彩电IC国产化是一项重要的工作.制造彩电IC中的外延工艺需高纯H_2,我们将本所贮氢瓶的超纯氢,用于外延工艺中,效果良好,制造出型号与日立HA11215图象通道相当的彩电IC,并于1985年12月通过了上海市级鉴定.1.工艺简介外延是制造彩电IC起初阶段的一项重要工艺,质量好坏对后面工艺有很大影响.所谓外延就是在原始硅片(n型或P型)上外延一层高电阻率的单晶层.在这个单晶层上可以制造     

MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状北大核心

简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。     

用原子层外延技术生长异质结器件

原子层外延(ALE)是金属有机化合物气相外延生长的一种方式。用这种方法并用单层沉积工艺实现了自限单层超薄外延层的均匀生长。本文介绍了用ALE生长GaAs、AlAs单晶及GaAs/AlGaAs异质结和器件。得到的数据证明了ALE生长超薄膜层的单层均匀性。还讨论了生长速率对反应物流量和温度的依赖关系。对ALE外延层厚度进行解理角(Cleaved corner)透射电镜(TEM)分析,证明沉积过程具有“数字式”特性。ALE法生长的GaAs量子阱的低温光致发光(FL)呈窄线本征发光,其线宽可与用常规MOCVD法生长器件的最佳值相媲美。具有ALE生长有源区的量子阱激光器的阈值电流低至400A/cm~2     

用多层加热器LEC方法和同时掺镓和砷生长半绝缘低位错磷化铟单晶

用多层加热器VM-LEC工艺和同时掺镓和砷拉制了直径为2in的半绝缘低位错磷化铟单晶。熔体中镓和砷的浓度小于10~(19)～10~(20)cm~(-3)就能有效地把位错减小到1～5×10~3/cm~(-2)。镓和砷的掺入没有影响电阻率和光荧光谱。在单晶上生长的外延层中没有观察到失配位错。     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.     

用分子束外延法在CdTe上生长InSb膜

研究了用分子束外延在(001)取向CdTe衬底上异质外延生长InSb。用双晶x-射线衍射法和俄歇电子光谱法证明在225-275℃的生长温度下InSb单晶层几乎可以互相密合地生长在衬底上而没有界面反应。