ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性

本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论，归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽．     

多孔硅1064nm波长处三阶非线性光学性质

采用日蚀型单光束扫描法测量了在不同孔隙率情况下,多孔硅薄膜在波长（ λ） 为１ ０６４ ｎ ｍ 处的非线性折射率。实验结果表明,孔隙率对多孔硅的非线性折射率影响较小。与单晶硅相比,多孔硅的三阶非线性光学效应没有得到很明显的增强。但在５３２ ｎ ｍ 波长处因诱导吸收引起了非线性折射率较强的增大     

单光束扫描法测量掺染料硫堇(Thionine)有机改性凝胶材料的光学非线性折射率

用溶胶凝胶法制备了掺染料硫堇（Ｔｈｉｏｎｉｎｅ）的有机改性凝胶材料，利用单光束扫描法（Ｚ－ｓｃａｎ）测试样品的光学非线性折射率，获得的ｎ２值约为４×１０－７ｅｓｕ，对实验结果的分析表明，材料的非线性折射来源于有机染料的离域π电子效应     

CdS微晶掺杂TiO2—SiO2复合薄膜的非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了硫脲和硫化乙氨的硫化作用。不同热处理温度、时间的吸收光谱表明，薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ－Ｓｃａｎ技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率。     

双光束扫描法测量灵敏度的研究

本文研究了用双光束扫描法测量材料非线性折射率过程中,泵浦光束与探测光束的共焦参数的相对大小以及两光束束腰相对位置对测量灵敏度的影响。     

用单光束扫描法测量球状电介质悬浮液的非线性折射率

利用单光束扫描法研究了球状电介质悬浮液的非线性光学性质，对直径为０．０５９μｍ，浓度为２．５％的聚苯乙烯悬浮液的非线性光学系数。。进行了测量，给出ｎ２值为４．３×１０－９ｃｍ２／Ｗ．从实验中得出这种悬浮液中。。引起的折射率变化远大于热效应弓；起的折射率变化．     

电介质膜增强的Goos—Hǎnchen位移的微波测量

如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜（介质膜的另一侧为折射率更低的介质，如空气），并且恰当选择基底内光束的入射角，使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射，那么反射光束的Goos—Hǎnchen（GH）位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化，测量结果与理论预言吻合得较好。     

用XPS进行镉的表面化学研究

用ＸＰＳ进行镉的表面化学研究刘朝旺（昆明物理研究所昆明６５０２２３）制作本征Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶，需要使用高纯源材料Ｈｇ，Ｃｄ，Ｔｃ和高纯生长管，还要避免各个工艺中的污染，如避免源材料表面氧化等。根据经验，氧化物在拉晶过程中很容易与石英管...     

掺CdS1—xSex半导体微晶玻璃的简并四波混频

本文用简并四波混频效应研究了ＣｄＳ１－ｘＳｅｘ半导体玻璃的三阶非线性光学特性，实验结果表明这种材料具有大的非线性系数Ｘ＾（３）和快速非线性响应时间。     

色散补偿光纤

本文考察了色散补偿光纤（ＤＣＦ）应用的基本原理，包括品质因数的定义和色散斜率补偿的条件。从理论和试验两方面研究了三包层折射率分布结构的主要设计特点。介绍了三种类型ＤＣＦ的生产结果。结果表明，把振荡扭绞用于光纤能够减少偏振模色散。并证实，采用一种特殊的中间光纤可以降低ＤＣＦ和标准光纤之间的接续损耗。本文比较了测量ＤＣＦ非线性有效面积的两种方法，结果很吻合。此外还报道了非线性折射率ｎ２的测量结果。发现     

新型压电材料-Sr3NbGa3Si2O14单晶的光学性质

采用椭圆偏振光谱法测量了新压电晶体Sr3NbGa3Si2O14（SNGS）在可见光区的折射率，计算了折射率色散系数，拟合得到了Sellmeier方程。并用紫外可见光双光束分光光度计测定了可见光区旋光率以及双折射率。     

16kbpsCVSD与64kbpsPCM编码数字转换算法

本文提出了１６ｋｂｐｓ连续可变斜率增量调制（ＳＶＳＤ）与６４ｋｂｐｓＡ律ＰＣＭ编码数字转换臬法，在无传输误码情况下，采用该转换算法，（１）从ＣＶＳＤ转换到ＰＣＭ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，分段信噪比（ＳＮＲＳＥＧ）恶化小于０．１ｄＢ，信噪比（ＳＮＲ）恶化小于０．０１ｄＢ，多次转换（转换次数≥２）时ＳＮＲ和ＳＮＲＳＥＧ保持不变，即无误差积累；（２）从ＰＣＭ转换到ＣＶＳＤ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，Ｓ     

16kbpsCVSD与64kbpsPCM编码数字转换算法

本文提出了１６ｋｂｐｓ连续可变斜率增量调制（ＳＶＳＤ）与６４ｋｂｐｓＡ律ＰＣＭ编码数字转换臬法，在无传输误码情况下，采用该转换算法，（１）从ＣＶＳＤ转换到ＰＣＭ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，分段信噪比（ＳＮＲＳＥＧ）恶化小于０．１ｄＢ，信噪比（ＳＮＲ）恶化小于０．０１ｄＢ，多次转换（转换次数≥２）时ＳＮＲ和ＳＮＲＳＥＧ保持不变，即无误差积累；（２）从ＰＣＭ转换到ＣＶＳＤ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，Ｓ     

乳浊液非线性光学性质研究

本文利用单光束扫描法，对乳浊液中产生非线性光学现象的两种起源进行了研究，从而确定了它们各自对折射率变化的贡献，并对油／水和水／油两种乳浊液非线性光学性质进行了比较。     

TranStar~(TM)编解码数字传送系统——TranStar多频道视频编解码卡系统指标

瑞波专栏ＴｒａｎＳｔａｒＴＭ编解码数字传送系统——ＴｒａｎＳｔａｒ多频道视频编解码卡系统指标视频ＤＳ３编解码Ｅ３编解码频道数１或２１或２制式ＮＴＳＣＮＴＳＣ阻抗（非平衡）ＮＴＳＣＮＴＳＣ连接头ＢＮＣＢＮＣ反射损耗＜３０ｄＢ＜３０ｄＢ色度幅度非线性＜２...     

乳浊液非线性光学性质研究

本文利用单光束扫描法，对乳浊液中产生非线性光学现象的两种起源进行了研究，从而确定了它们各自对折射率变化的贡献，并对油／水和水／油两种乳浊液非线性光学性质进行了比较。     

MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

（Hg,Cd）Te薄膜的LPE生长条件与纵向组分分布

根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相色延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温国速度及过度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）液相外延薄膜纵向组分分布的影响。     

（Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布

根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜纵向组分分布的影响．     

Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料

报道了采用热壁外延（ＨＷＥ）技术,在Ｓｉ表面生长ＧａＡｓ薄膜。先通过活化剂活化Ｓｉ表面,再采取两步生长法外延ＧａＡｓ单晶薄膜,最后进行断续多层循环退火（ＩＭＣＡ）。经电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｒａｍａｎ光谱、Ｈａｌｌ测量和荧光（ＰＬ）光谱测试分析,证实在Ｓｉ表面获得了的４μｍ厚的ＧａＡｓ单晶薄膜。