电流密度对叠层片式磁珠的电镀效果的影响

以2012型的叠层片式磁珠作为研究对象,研究分析了电镀过程中电流密度对磁珠的镀层形貌、显微结构及电性能一致性的影响。结果表明,当镀Ni电流较小时,Ni层易附着在磁体端银上扩散,影响产品的外观。当镀Sn电流较大时,Sn层晶核在磁体表面迅速形成并快速生长,出现Sn层的严重扩散。配合采用较大镀镍电流(10 A)和较小镀锡电流(6 A)有利于防止端头镀层的扩散,改善产品外观形貌、并有助于提高阻抗一致性。     

片式电阻器端头电极电镀工艺的优化

对片式电阻器采用三层电极工艺,在Pd-Ag底电极的基础上电镀Ni和Sn层。对电镀工艺参数优化,提高了附着力和可焊性。     

片式MLC三层端电极工艺技术

我厂研制成片式多层陶瓷电容器三层端电极已有五年多了。其中镍和铅锡镀液、制造工艺、微型电镀设备等全部自行设计，并生产出大量适用于ＳＭＴ，如电子调谐器，厚膜电路、电子手表中用的产品。近期又地该工艺的成熟性进行研究，即电镀后产品的电性能提高，镍和铅锡镀液的维护，片式电阻和电感三层端电极材料研制，使片式元件三层端电极技术系统化。     

无铅镀层

<正>目前无铅标准还没有完善,因此无铅元器件焊端表面镀层的种类很多。美国镀纯Sn和Sn/Ag/Cu的比较多。日本的元件焊接端镀层种类比较多,各家公司有所不同,除了镀纯Sn和Sn/Ag/Cu外,还有镀Sn/Cu、Sn/Bi等合金层。由于镀Sn的成本比较低,因此采用镀Sn工艺比较多,但由于Sn表面容易氧化形成很薄的氧化层,加电后产生压力,在不均匀处会把Sn推出来,形成Sn须。     

多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法

为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨。通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证。     

大容量MLCC的工艺设计

采用四层端电极(Ni/Cu/Ni/Sn)结构设计,底层为Ni,电镀Cu/Ni/Sn的工艺方法,制作了大容量MLCC。研究了四层结构和三层结构(Cu/Ni/Sn)对电容量等基本电性能、可靠性和内应力的影响。结果表明:制作1206规格10μFMLCC,C为9.86～10.46μF、tanδ为(360～390)×10–4、绝缘电阻≥1.5×108Ω、耐电压值为175～205V,四层结构与三层结构电性能相当。可靠性测试中,四层结构抗机械和热冲击能力提高了20%,且有利于瓷体内应力释放。     

电子元件、组件

TN6 2003060578片式元件三层端技术/罗维,张学军(成都开华化工研究所)汀电子元件与材料.一2003,22(6)一27一32研制出了ZF41O低应力镀镍、ZF305中性纯锡电镀液和添加剂,并在片式元件三层端电极上获得成功应用.介绍了该工艺的主要性能及具体工艺配方.该工艺解决了片式元件基材腐蚀问题,所镀产品质量稳定可靠,各项指标均符合IEC一384一10标准;实现了片式元件无损电镀工艺的国产化,降低了生产成本.表3参3(刚)TM54 2003060581多层片式2 no压敏电阻器的现状与发展方向/王兰义介电子元件与材料.一2 003,22(7)一42一45基于国内外多层片式Zno压…     

一种MLCC焊接失效分析

为找出某厂生产的多层陶瓷电容器端电极存在焊接失效的原因,运用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对问题批次样品的端电极进行分析。从分析结果可知,在多层陶瓷电容器Cu端电极烧结过程中,Cu端表面有玻璃相溢出,这导致端电极部分区域的Ni层和Sn层电镀异常,最终造成电容器的焊接失效。经过对玻璃相溢出原理的分析,提出可以从铜浆料选择、烧结温度和封端工艺方面来解决该问题。     

金属与导电材料

Y98-61438-259 9912703在有 Sn/Pb、Sn/Ag、Sn 焊料的 Ni、Au/Ni 和 Pd/Ni 衬底上生长的过渡金属化合物=Intermetallic compoundgrowth on Ni,Au/Ni,and Pd/Ni substrates with Sn/Pb,Sn/Ag,and Sn solders[会,英]/Blair,H.D.&Pan,T.Y.//1998 IEEE 48th Electronic Components& Technology Conference.—259～267(AG)     

多层片式压敏电阻器的最新发展动向

介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。     

柔性端电极MLCC工艺研究

为了得到高可靠性、高抗弯曲性能的多层片式陶瓷电容器(MLCC),采用银、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂以及无水乙醇等原材料制备柔性端电极浆料。研究了固化工艺和表面处理技术对柔性端电极MLCC的电性能和可靠性的影响。结果表明:柔性端电极浆料在250℃温度以上固化至少30 min,保证了树脂层良好的连接性及可镀性;电镀前采用抽真空和填充技术进行预处理,保证了柔性端电极MLCC的耐热冲击性能和抗弯曲能力。     

片式元件三层端电极技术

研制出了ZF410低应力镀镍、ZF305中性纯锡电镀液和添加剂,并在片式元件三层端电极上获得成功应用。介绍了该工艺的主要性能及具体工艺配方。该工艺解决了片式元件基材腐蚀问题,所镀产品质量稳定可靠,各项指标均符合IEC—384—10标准;实现了片式元件无损电镀工艺的国产化,降低了生产成本。     

低温烧结Z5U多层陶瓷片式电容器

以低温烧结的Pb(Fe(2/3)W_(1/3))_(0.41)(Fe_(1/2)Nb_(1/2))_(0.49)Ti_(0.1)O_3-Bi_2O_3/Li_2O系陶瓷介质制造出低温烧结的Z5U多层陶瓷片式电容器(MLC)。该Z5UMLC可在830℃,2h烧成,因而可用含银量高甚至100%银的导体作内电极,从而使成本大大降低。     

MLCC端电极Sn镀层的焊接失效分析

针对多层陶瓷电容器(MLCC)端电极Sn镀层的可焊性失效问题,运用SEM和能谱仪对Sn镀层进行微观结构和成分分析,找出了失效的主要原因,并提出了改进意见。在对MLCC三层端电极中的底层Ag端浆的烧渗过程中,由于烧渗工艺不合理,Ag浆中出现玻璃料物质的溢出,造成电镀Sn时Sn层不连续、不致密,以至MLCC端电极的可焊性变差。通过设计合理的烧渗银温度曲线可较好地解决MLCC端电极Sn镀层的焊接失效问题。     

镀Pb/Sn低金属离子浓度研究

1、前言在传统镀Pb/Sn工艺中,金属离子浓度都较高,普遍存在抗蚀性能及深镀能力差,成本高等问题。本人在生产控制过程中,发现镀Pb/Sn工艺中,当金属离子浓度较低的情况下,板件的抗蚀性能及退锡速度都较理想,而当镀液总金属离子较低时,由于板件的带出及Sn~2的氧化都将减少,从而节约成本。所以对于低金属离子浓度之镀Pb/Sn工艺进行系统研究,确定较佳工艺参数,提高镀层质量,节约成本并提高离子之可操作范围。     

Au20Sn/Au微焊点抗时效性能的研究

通过加速时效方法研究Au20Sn/Au微焊点钎焊工艺参数与镀Au层的消耗和Au20Sn/Au界面化合物(IMC)生长速率的关系。结果表明:焊点在150℃时效条件下,钎焊温度一定时,高温液态停留时间由30 s增至90 s,镀Au层消耗速率变化速度和界面IMC层生长速率变化速度均逐渐增加。在高温液态停留时间90 s时,相比于钎焊温度300℃的焊点,320℃时镀Au层消耗速率变化速度降低了24.50%,界面IMC层生长速率的变化速度提高了56.09%。同时随时效时间的延长,热沉侧出现一层(Ni,Au)3Sn2相,但芯片侧和热沉侧界面IMC的类型并没有发生变化。     

添加剂对PMN—PT基低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。     

Sn3.8Ag0.7Cu和Sn37Pb焊点界面显微结构研究

利用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）研究了Sn3.8Ag0.7Cu（Sn37Pb）/Cu焊点在时效过程中的界面金属间化合物（IMC）形貌和成份。结果表明：150℃高温时效50、100、200、500h后,Sn3.8Ag0.7Cu（Sn37Pb）/Cu焊点界面IMC尺寸和厚度增加明显,IMC颗粒间的沟槽越来越小。50h时效后界面出现双层IMC结构,靠近焊料的上层为Cu6Sn5,邻近基板的下层为Cu3Sn。之后利用透射电镜观察了Sn37Pb/Ni和Sn3.8Ag0.7Cu/Ni样品焊点界面,结果显示,焊点界面清晰,IMC晶粒明显。     

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力.     

镍内电极多层陶瓷电容器的进展

介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。Ni内电极MLCC的可靠性已经达到空气烧结Ag／Pd内电极的水平。Ni内电极MLCC技术的成熟将使MLCC大容量、低成本、小型化取得更大进展并将取代部分Ta和Al电解电容器。