ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究

将ＳｎＯ２及ＺｎＯ粉末压制成靶材，采用溅射衍制备了ＺｎＯ／ＳｎＯ２双层薄膜，用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等手段对制得的薄膜进行分析测试，发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在，双层膜中锌、锡有一定的相互扩散，比较了单层ＳｎＯ２及ＺｎＯ膜与双层膜的气敏特性，结果表明双层膜在灵敏度及选择性方面都优于单层膜。     

Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响

本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期稳定性。     

SnO2薄膜的电学气敏特性与光学气敏特性研究

用射频磁控反应溅射法制备了ＳｎＯ２薄膜,并分别测量薄膜在乙醇气体中的电学气敏特性和光学气敏特性。对实验结果的分析表明,ＳｎＯ２薄膜对乙醇气体有较强的电学气敏效应和光学气敏效应。利用ＳｎＯ２薄膜的电学气敏特性适合检测较低浓度乙醇气体,而利用ＳｎＯ２薄膜的光学气敏特性能检测较高浓度乙醇气体。     

掺杂对MOCVD—SnO2薄膜气敏性能的影响

本文在小瓷管上用ＭＯＣＶＤ技术沉积ＳｎＯ２气敏薄膜，研究了Ｐｄ，Ｔｈ掺杂对该ＳｎＯ２元件气敏性能的影响。掺杂Ｐｄ使元件对乙醇，汽油的灵敏度均增大，而掺杂Ｔｈ则仅提高对了对乙灵敏度，对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不肥汽油干扰的乙醇敏感元件。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

SnO2导电薄膜的制备及电学性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２导电薄膜，分析了膜的电学性能与沉积参数的关系，同时测得ＳｎＯ２膜具有负温阻特性，这是一种Ｎ型半导体膜。     

镉、锡复合氧化物及掺银薄膜的气敏光透射特性

ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物是对乙醇气体选择性较好的敏感材料［１］，但灵敏度比纯ＳｎＯ２低。对镉、锡复合氧化物掺微量银后，灵敏度明显提高。掺银薄膜的气敏光透射特性好，可检测乙醇饱和气体的浓度高且重复性好。     

MOCVD法制备薄膜型SnO2气敏元件

本文报道了ＭＯＣＶＤ技术制备的ＳｎＯ２薄膜型气敏元件。这种方法沉积的ＳｎＯ２薄膜耐酸碱性强，膜厚易控制，具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度，响应时间快；而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感，因而具有一定的选择性。元件的稳定性较好。     

SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性

本实验是在单晶硅片上热生长一层ＳｉＯ２，然后用真空淀积的方法获得一层超微粒ＳｎＯ２薄膜，通过对ＳｎＯ２／ＳｉＯ２薄膜电阻与相对湿度关系的测试，发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于ＳｎＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜，测湿范围明显展宽。     

三甲胺气敏元件的研制

本文用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管表面沉积ＳｎＯ２薄膜，通过氢气退火处理，制备了可用于鱼品鲜度检测的三甲胺气敏元件，该元件对三甲胺有较高的灵敏度，响应时间快，工作温度低；对ＮＨ３却不敏感，具有一定的选择性，另外，元件的长期稳定性也较好。     

多弧离子淀积TiO_2气敏薄膜材料

介绍了采用多弧离子镀设备．在玻璃基片上沉积ＴｉＯ２薄膜材料的制备技术。掺杂方法简单实用．采用ＳＥＭ、ＸＲＤ等对薄膜的结构和成分进行了观察和分析，用方形四点探针法测量了薄膜的电导率并对薄膜的气敏性能进行了初步研究。结果表明，ＴｉＯ２膜的组织致密，主要为金红石相结构．ＴｉＯ２薄膜在３００℃下对Ｏ２有较好的选择性．     

溶胶—凝胶法制备纳米SnO2材料

本文介绍了一种新型分散介质在溶胶－凝胶法制备纳米ＳｎＯ２材料中的应用。通过扫描电子显微镜比表面积测试仪和Ｘ射线衍射仪等实验等手段对ＳｎＯ２材料的粒径大小进行测试和分析，结果表明，本实验方法制备的ＳｎＯ２材料粒径最小为１５ｎｍ左右，实验还发现，热处理对ＳｎＯ２材料的粒径大小有很大的影响。     

SnO2 超微粉的合成及其特性研究

采用溶胶乳化方法制备了纳米ＳｎＯ２超微粉末，并超过ＤＴＡ、ＴＧ和ＸＲＤ等实验手段研究了ＳｎＯ２超细微粉的晶化规律，结合红外光谱、紫外吸收光谱对粉末的结构和性能作了进一步分析，实验发现，当热处理温度低于５５０℃时，ＳｎＯ２粉末的平均晶粒尺寸小于１７ｎｍ。     

SnO_2／ZnO UPF的复数阻抗谱研究

对超微粒ＳｎＯ２／ＺｎＯ复合薄膜进行了复数阻抗谱法的分析研究。用实验验证了所提出的内部模拟等效电路，并利用表面科学理论加以定性解释，为超微粒子复合薄膜的气敏机理和导电机理的进一步研究提供了新的实验依据。     

磁镜场对PCVD制备SnO2导电薄膜的影响

本文利用自制的磁常研究了不同磁镜场对等离子体化学气相沉积技术制备的ＳｎＯ２导电薄膜电学性能的影响。     

SnO2气敏薄膜沉积速率的数值模拟

本文依据等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）制备ＳｎＯ２导电薄膜的过程，提出一种数学模型，通过数值计算，讨论了沉积的关键参量一活性粒了沉积速率与过程参数（气压，温度等）的相互关系对结果作了初步分析并与实验进行了比较。     

乙炔敏感元件的研制

以ＳｎＯ２为基体的气敏元件分辨率通常较低，本实验通过制备超细粉体Ｓｎ（ＯＨ）４，掺杂Ｌａ２Ｏ３直接烧结制出灵敏度高，稳定性好，分辨率高的乙炔气体敏感元件，对烷烃类及烟雾等杂散气体分辨率较高。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

金属硝酸氧化法制备的SnO2微粉的气敏特性研究

本文研究采秀金属锡硝酸盐氧化法制备的ＳｎＯ２微粉的气敏性能，发现该方法制得的ＳｎＯ２微粉具有良好的气敏特性，掺杂后做成的气敏元件可燃气体具有很高的灵敏度，可抵抗高浓度可燃气体的冲击，长期稳定性好。     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。