氧化铝基片对厚膜钯银导体附着力的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中氧化铝基片对钯银导体附着力的影响。试验发现不同厂家或不同批次的氧化铝基片的钯银的附着力有很大的差别，不同的钯银浆料在相同的基片上的附着力也不同。     

铜导体已成功地应用于厚膜电路

采用氧化钌电阻和铜导体之间插入银钯焊区的新工艺,获得了较好的阻值稳定性和导带附着力,使铜导体成功应用于厚膜电路。     

厚膜钯银导体超声丝焊性能的改进

在钯银导体浆料配方中采用钯银比为1:10,高温粘结相中加入适量的氧化物和玻璃(粒度小于5μm),银粉和钯粉经化学细化处理(粒度小于5μm,颗粒呈球形),可使钯银导体的金属丝焊性能得到大的改善。     

应用于微波和RF电路中的厚膜材料和工艺

介绍了应用于微波和 RF电路中的厚膜材料和工艺。无玻璃的厚膜导体材料 (如金、银等 )的电阻率极低。氧化铝 (96% ,99% )、氧化铍和氮化铝陶瓷的高频损耗很低 ,是优良的微波和 RF电路用基板。采用先进的厚膜细线技术 ,使厚膜导体的线分辨率几乎达到了薄膜工艺的水平。新开发的低损耗、低介电常数的低温共烧陶瓷 (L TCC)材料最适合做微波 MCM的基板材料。     

功率电路中加厚型厚膜铜、银导体的应用

欧美国家近年来相继研制开发出了各种适合那些对于印刷、热导率、电特性、丝焊和焊接特性均有苛刻要求的功率电路用加厚型厚膜铜、银导体。按照功率电路热控制要求,烧后导体膜厚度应大于150μm,而且一般均需要印刷在大块面积上。在某些设计中,专供粘焊裸芯片用的组装焊盘的厚度还要求局部性地增大,新的加厚型厚膜技术能在一块基板上同时做到信号控制部分的导体更薄,电路密度更高和使组装功率器件用的焊盘更厚以便于散热,本文叙述了对适合功率电路应用的加厚铜、银导体在性能优化方面的研究情况,例举各类加厚型厚膜导体材料的特性、工艺指南和主要工艺参数。     

加厚型厚膜铜、银导体在功率电路中的应用

国外一些厂家近年来相继研制开发出各种适合那些对于印制，热导率，电特性，丝焊的焊接特性均有苛刻要求的功率电路用加厚型厚膜铜，银导体。按照功率电路的热控制要求，烧结后的导体膜厚度应大于150μm，而且一般的需要印制在大块面积上，在某些设计中，专供粘焊裸芯片用的组装焊盘的厚度还要求局部性的增大。新的加厚型厚膜技术能在一块基板上同时做到使信号控制部分的导体更薄，电路密度更高和使组装功率器件用的焊盘更厚以便于散热。本文介绍适合功率电路应用的加厚铜，银导体在性能优化方面的研究情况，例如各类加厚型厚膜导体材料的特性，工艺和主要工艺参数。     

美国几大电子公司新近发展的厚膜浆料

<正> 当今厚膜混合集成电路发展很快,厚膜浆料的主要研究方向放在: 1.为了节省贵金属,研制薄层导体浆料和贱金属导体浆料。 2.抗银离子迁移的银浆料新配方。 3.发展稳定的各类聚合物浆料。 4.提高电阻的稳定性,可靠性和可焊     

厚膜用铂银导体性能研究

本文主要介绍厚膜用铂银导体的主要性能,以及在稳恒电场环境下可能的电迁移和离子迁移现象试验结果,另外对铂银导体的表面成分进行了分析,并对其使用提出了建议。     

美国杜邦公司厚膜技术简介

<正> 本文系根据1981年杜邦公司来华技术座谈会记录及其提供的资料,归纳整理而成。杜邦公司厚膜浆料发展简况五十年代后期,杜邦公司首先发展了钯银浆料,用其制作的厚膜电路用于IBM360计算机。六十年代又发展了性能优良而稳定的     

厚膜元件与厚膜电路的红外烧结

用红外炉烧结厚膜元件和厚膜电路,可以缩短烧结周期、提高生产效率,节省能源和降低成本。利用红外炉,不仅可以烧结责金属厚膜材料,而且也能够烧成贱金属厚膜材料,如铜导体等。此外,红外炉还适于厚膜多层电路的烧结,可以减小电路在多次重烧过程中的性能衰退和基板变形,以及提高电路的产量、质量和降低成本。本文叙述红外烧结的特点、烧结原理以及厚膜导体,电阻、介质(包括厚膜电容器)和厚膜多层电路的红外烧结。     

采用片状银粉配制厚膜导体银浆料的研究

厚膜导体银浆料是电子元件和微电子产品的良导体材料。普通导体银浆料由于银含量不够高，致使导体电导率较低，增大导体的损耗；而当银含量增加时，普通导体银浆料的粘度太大，致使浆料的使用工艺不方便。本文介绍了对普通导体银浆料这两个性能的改进，取得了较为满意的效果。     

厚膜金导体的可靠性试验

介绍了厚膜金导体可靠性试验方面的一些研究结果。对金的电化学迁移以及厚膜金导体的热试验进行了分析 ,并讨论了在工艺过程中应注意的一些问题。     

厚膜导体机理述评

<正> 厚膜导体在厚膜混合微电子技术中是消耗最多的材料。本文从材料的角度对厚膜导体的烧结、结合、电导、老化、迁移机理进行述评,希望能为这一领域的基础理论研究提供帮助。 一、烧结机理 1.金属粉末的烧结 Au、Ag、Pd、Pt、Cu、Ni、Al粉末是厚膜导体常用的导电相。含有金属粉末的     

微型喷嘴雾化直写技术制备厚膜导体研究

采用微细雾化喷射沉积直写的方法在陶瓷基板上制备银厚膜导体。主要研究了施加气压、喷嘴到基板距离、直写速度以及雾化气压对导体线宽的影响规律,分析了微型喷嘴雾化直写厚膜导体机理,并优化了工艺参数,得到了最佳工艺参数范围:施加驱动气压控制在0.05~0.10 MPa,喷嘴到基板距离0.4~1.2 mm,直写速度在15 mm/s以下,雾化气压0.14~0.24 MPa,所得线宽350~750μm,单层膜厚1.5~10μm。     

无公害钯—银无玻璃导体浆料的研制

本文概述了无玻璃导体材料的粘结机理，导体种类、特点及应用，同时介绍了一种试制的钯—银无玻璃导体浆料．本文采用混合还原法制各钯—银合金粉，以微量氧化物(如CuO、NiO等)与瓷基体(Al2O3或BeO等)成分反应生成离子键化合物，牢固地将金属粒子粘附在瓷基体上，导体的附着力、可焊性及导电、导热性得以改善，且不含铅、镉、汞和高价铬等有害元素，符合电子材料无公害化要求，值得重视，以期在我国微电子技术领域和无线电元件生产中应用．     

优于95%Al_2O_3的55%Al_2O_3陶瓷基板的研制——试论55%Al_2O_3多层陶瓷母板制造工艺

本文介绍55％重量Al_2O_3和45％重量玻璃作基板材料,采用扎膜成型;银95％重量和钯5％重量作导体材料,用丝网漏印法布线;在880～920℃烧成的多层陶瓷基板。其性能不仅优于95％重量Al_2O_3瓷和M_0、Mn作导体材料烧成的多层基板,而且工艺简单,成本更低。它是制作集成电路基板的一种较理想的陶瓷材料。     

节约丝网印刷电容器贵金属电极的探讨

丝网印刷电极早已成为被广泛采用的电子元件制作工艺之一.在许多情况下,由于工艺过程的需要,电极材料必须采用贵金属,如银、金、钯、铂等.就我厂而言,仅用于电容器的电极,白银的使用量即以吨计.根据理论分析和实践的结果表明,大幅度减少丝网印刷贵金属的使用量是可能的,对电容器的产品质量也是有益的. 一、电容器电极的极限方阻和极限膜厚电容器电极的平面电阻为: R=ρ(l/(bδ)) (1) 式中:l为电容器电极膜电阻的长度;b为电容器电极     

国内外厚膜电路专用设备发展概况

<正>近十几年来,工业发达国家厚膜电路,厚膜混合电路年增长率为14％～19％,成为电子产品中增长速度最高的品种之一,大体与半导体集成电路中的MOS电路增长速度相同。而在近几年,国外厚膜电路发展速度则更有超过半导体集成电路的趋势,年增长率达到20％～30％。随着厚膜电路(包括厚膜混合集成电路,下同)应用的推广普及,这种趋势还会持续一段时期。 我国厚膜电路研制起步并不晚,当时主要用于军品、计算机。后来半导体集成电路蓬勃发展,使厚膜电路生产受到很大冲击。     

多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结

研究了多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结行为。热重分析（ＴＧＡ）结果表明，在烧结过程中，银／钯内电极浆料发生氧化－还原反应。ＸＲＤ分析表明，由于内电极浆料的氧化－还原反应，在不同的烧成温度下，银／钯内电极具有不同的合金状态。通过计算，可以初步确定内电极的银／钯合金状态和银／钯合金为银／钯比例。这些结果有助于理解多层陶瓷电容器在烧成过程中的银扩散和挥发。     

影响厚膜导体附着力的几种因素

厚膜导体是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分,在电路中起有源器件的互连线、多层布线、电容器电极、外贴元器件的引线焊区、电阻器端头材料、低阻值电阻器、厚膜微带等作用.在厚膜混合集成电路的生产过程中,为了评价成膜基片的性能及焊接的效果,在做剪切强度测试时,经常会遇到焊盘脱落现象,这给厚膜电路的产品质量带来很大隐患.文章通...