NEC试验超高速光纤传输

<正> NEC用每秒1.2千兆bit的超高速InP光电集成电路(OEIC),成功地进行了千兆bit领域内的长波长光纤传输实验。传输距离是过去0.08μm波段光纤的12倍,可能进行12公里或更长距离的传输。发光用OEIC由一个1.3μm波长的半导体激光器和三个作驱动用的异质结双极晶体管组成,被集成在350μm×900μm的芯片上。这个电路用液相外延制成,当批量生产时可考虑采用MOCVD法。受光用OEIC由一个PIN光电二极管和三个放大用的FET组成,被集成在600     

光纤传输系统使用光电集成电路

日本NEC公司已研制成功一种以铟-磷为主要材料的光电集成电路(OEIC),用于发送和接收光信号。这种电路能以1.2Gbit/s的速率转换电光信号。该OEIC包括一块实施光发射的350×900μm基片和一块实施光信号接收的600×600μm基片。前者集成了四只光发送元件,即1.3μm的半导体、三只供激励用的双极晶体管;后者集成了四只光信号接收元件,即PIN光电二极管和三只用于放大的场效应晶体管。     

1.1～1.6μm光通信系统用的p-i-nFET混合光接收器

<正> 最近美国邮电研究中心报导了具有高达1.6μm 波长响应的低电容的汽相外延 InGaAs/InP p-i-n 光电二极管和 p-i-n FET 混合光接收器的制备。以前该研究中心报导过波长1.3μm 的 InGaAs/InPp-i-n 光电二极管和 GaAsMESFET前置放大器混合集成的光接收器,其典型的接收灵敏度在140和 280Mbit/sec 下达到-44和-40dBm,误码率为10~(-9)。     

长波长1.3μm32km光缆数字通信系统试验成功

长波长1.3μm 23km(无中继)光缆数字通信系统于今年九月在上海由电子工业部计三所试验成功。该系统用LD作光源,PIN/FET组件为光检测器件。系统主要技术指标是: 光波长—1.3μm;传输速率—2.048Mb/s;平均发送光功率—odbM;光接收灵敏度—54dbM;误码率—优于1×10~(-9);传输距离—32km。     

前均衡CMOS光电集成接收机概念的提出和模拟

提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法--前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μm CMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μm CMOS光电集成接收机.     

前均衡CMOS光电集成接收机概念的提出和模拟

提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法--前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μm CMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μm CMOS光电集成接收机.     

光电子集成和光子集成器

光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)和一个     

超高速光传送集成电路

日本电气公司研制出一种1.2Gb超高速光传送光电集成电路.这种用于光发射和光接收的光电集成电路,把长波长半导体激光器和三极管集成到一块集成块上.发光用的发光集成电路用基片上的磷化铟,把1.3μm带的半导体激光器和驱动此激光器的3个双极晶体管,以及光接收用的光电二极管和3个场效     

新品纵览

MS9020D为手持式光测量仪器,由一个LC或LED光源和一个光功率计组成,其中可选的4种LD光源、7种LED光源、8种传感器和一种反射损耗测量单元都是插入式结构,非常便于现场更换。MS9020D覆盖0.66μm、0.85μm、1.3μm和1.55μm波段,测量光损耗范围高达67dB,回波损耗范围0到     

半导体集成光学技术

半导体集成光学器件,或者更广泛地说成半导体集成光电器件,愈来愈引人注目,这主要是由于它有利于: (1)降低成本和大批量生产; (2)高可靠性和小型化; (3)改善速度和噪声特性; (4)实现光学外差探测系统,光学开关系统和光学处理器等新的功能器件。目前,在半导体芯片上制造集成光电器件的可行性已由LD/FET,LD/HBT,PD/FET,LD/modulator等的研制成功而得到证     

高灵敏度CMOS光电集成接收机设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.     

高灵敏度CMOS光电集成接收机设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.     

在半绝缘InP衬底上制作用于单片集成的InGaAs PIN光电二极管

用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的InGaAs PIN光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10~(-6)A/cm~2。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值。在-5V工作电压下测得光电二极管的外量子效率在1.3μm波长处大于90%。在1.5μm波长处的外量子效率大于83%,这些器件的上升时间小于35PS,半峰值处全宽(FWHM)小于45PS。     

垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现

设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片. 测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求. 探测器的频率响应带宽为1.11GHz,光电集成接收机的3dB带宽为733MHz;在误码率为10-12条件下,对波长为850nm的输入光信号,灵敏度达到-9dBm.     

一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现

设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片. 测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求. 探测器的频率响应带宽为1.11GHz,光电集成接收机的3dB带宽为733MHz;在误码率为10-12条件下,对波长为850nm的输入光信号,灵敏度达到-9dBm.     

CMOS单片光接收机的带宽设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,分析和模拟了这个光电集成接收机的带宽,用低成本的0.6μm CMOS工艺设计出1.71GHz带宽和49dB跨阻增益的接收机,并给出测试结果.     

使用在InP衬底上的GaAs OEIC进行了1.2Gbit/s—52.5km光纤传输

日本电气公司在InP衬底上研制成InP光电器件与GaAs电子器件单片集成的1.3μm光通信用发射与接收OEIC。用这种电路块进行了1.2Gbit/s NRZ光信号52.5km光纤无中继传输,接收灵敏度为-26dBm,并保证了4.5dB的光传输余量。发射机芯片含一     

NTT设计400Mb/s1.5μm系统

日本电报电话公司(NTT)在原有的F-400光纤系统的基础上设计出传输波长为1.5μm的新型通信系统,原系统传输波长为1.3μm,它是纵贯日本本土的远距离电话通信系统的主干线。该公司为了增加陆上系统的中继距离,并避免水下系统使用中继器,正在努力开发更长波长的光纤系统。新系统采用的是1.5μm分布反馈型激光二极管,常规1.3μm零色散单模光纤和铟镓砷雪崩光电二极管。该系统在陆上的无中继传输距离为80公里,用于海底通信时无中继传输距离达120公里。这就可以在陆上