国外厚薄膜电路水平综述——厚薄膜电路发展概况(一)

<正> 1.国外的生产情况 厚薄膜混合集成电路(简称厚薄膜电路)是把IC半导体或分立元件组装到厚薄膜基片上的微型电路。混合集成技术经过二十     

银导带-铝丝超声键合系统初探

<正> 一、引言目前混合集成电路的集成度不断提高,工艺也日臻完善。芯片移植的技术国外已在生产中广泛采用,并把它列为工艺能力的重要标志之一。由于采用了芯片移植和微型载片移植技术,使混合集成电路步入了中大规模混合集成的领域。厚膜混合集成比薄膜混合集成价廉,制造方便,独石电容、小型云母电容等也可通     

全国厚薄膜电路技术交流会在南京举行

<正> 全国厚薄膜电路技术交流会十一月八日至十三日在南京举行。会上来自全国大专院校、研究所和工厂的六十多名专家、工程技术人员,就我国厚薄膜电路的开发、生产和应用等问题进行了交流,并就厚薄膜电路应用于彩色电视机和电子计算机进行了讨论。 厚薄膜混合集成电路(HIC),是应用集成技术把IC半导体或分立元件组装到     

H-WYJ17型3A厚膜稳压电源

<正> 厚膜混合集成稳压电源是功率集成电路的一大门类。现在国产的集成稳压电源有厚膜电源、薄膜电源、固体电源及固体三端子电源等,它们的特点是小型、轻量、集成度高、可靠、使用方便。我厂生产的厚膜混合     

日本混合集成电路的产值产量统计

<正> 一、生产厂家日本生产混合集成电路的厂家共有40家。其中生产厚膜混合集成电路的有22家,生产薄膜混合集成电路的有2家,二者兼有     

光探测器与光学系统

本文介绍了将一个基于 GaAs 的放大器同一个大面积的高性能基于 InP 的薄膜金属一半导体一金属(MSM)光电检测器相集成的技术。薄膜集成是一种混合集成方案,它能使 InP 检测器与 GaAs 电路间的寄生参数减至最小。GaAs 集成电路是采用批量生产的TriQuint 半导体制造工艺来生产的;这证明了可采用标准的基于 GaAs 的 Foundry 电路制作长波长、高集成度、高速、低成本的光电接收机。参7     

一种无线键合的互连技术

混合集成电路分两种：薄膜混合集成电路和厚混合集成电路，薄膜是蒸 发或溅射在微晶玻璃片上或99%陶瓷片上沉积金属膜，通过光刻形成薄膜图形，厚膜通过浆料印刷在96%陶瓷片上经烧结形成必要的厚膜图形。这种成熟的技术已经用在科研生产中。     

微电子组装技术述评——兼议我所微组装技术发展方向

微电子组装技术是从电路集成到系统集成的关键技术,它的支柱是高性能、高集成度集成电路和微细高密度多层互连基板。而后者又可分为优质薄膜多层布线板和优质厚膜多层布线板,其中又包括若干支撑技术和基础技术。 本文介绍了微电子组装技术的各个方面和几个发展阶段;建议充分发挥本所在高性能、高集成度集成电路及其技术方面,特别是LSL、VHSIC、ASIC等十大系列产品的优势和LSI的工艺优势,加速开发优质薄膜多层布线技术;重视开发优质厚膜多层布线技术和相关的系统集成封装技术及计算机辅助设计技术。在开发系统集成技术方面应根据我国和我所的实际情况,狠抓二次集成技术。这应是我所微电子组装技术的发展方向。     

一种同轴结构的微电子器件——同轴天线前置放大器

薄膜混合集成电路具有体积小、重量轻、可靠性高的特点，因而在民用、工业及军事装备中获得广泛应用。本文介绍一种同轴结构的薄膜混合集成微电子器件——同轴天线前置放大器的设计思想、关键制作技术、结构特点及制作工艺。     

中国电子科技集团公司第四十三研究所

中国电子科技集团第四十三所组建于1968年,是我国最早从事微电子技术研究的国家一类研究所,也是我国专业设置最为齐全的混合集成电路专业所。主要从事厚膜、薄膜混合集成技术（HIC）、多芯片组件技术以及相关材料、电路及专用设备的研究和制造。     

中国电子科技集团公司第四十三研究所

四十三所组建于1968年,是我国最早从事微电子技术研究的国家一类研究所,也是我国专业设置最为齐全的混合集成电路专业所。主要从事厚膜、薄膜混合集成技术（HIC）、多芯片组件技术以及相关材料、电路及专用设备的研究和制造。     

H—W_J~Y型厚膜稳压电源的性能和应用

<正> 我厂设计、生产的H-W_J~Y型系列厚膜混合集成稳压电源是厚膜混合集成电路的典型产品之一。在国内最先采用厚膜功率集成技术和工艺,应用于通用性很广泛的直流稳压电源之中,因而可以使得原来由分立元器     

混合微波集成电路概况

混合微波集成电路(HyMIC)以膜形成的方法,可以分为厚膜微波集成电路和薄膜微波集成电路两种类型。在两种膜电路的制造中,对厚膜材料和薄膜材料作了选择。应用混合微波集成电路的技术,已制造了适于X波段和Ku波段的各类部件。对近几年发展的“中膜(mid-film)”技术也作了简要的介绍。     

2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

杜洛埃有机介质上集成薄膜电阻工艺研究

杜洛埃有机介质广泛应用于高频微波集成电路,由于材料表面固有特性而增加了集成薄膜电阻的难度。通过改变杜洛埃介质表面的形貌获得良好的平滑表面,并采用薄膜电路制造工艺,实现了在无铜箔的杜洛埃介质上制作微波混合集成电路。已成功实现了功分器、微波天线等产品的制作。对集成薄膜电阻的性能进行了详细工艺分析和讨论。     

CCD混合集成驱动电路的失效率预测

本文根据已知的CCD混合集成驱动电路的设计数据、用途和结构,采用混合集成电路失效率的预测模式,对最近研制的GHG4801Z型CCD二次集成驱动电路的失效率进行了预测,从而估计出其可靠性等级。     

射频集成电感器的快速傅立叶变换模拟及制备

应用磁像法和快速傅立叶变换（FFT）法对单片微波集成电路（MMIC）的薄膜平面射频集成电感器进行了电磁学模拟，并把模拟结果和有限元法（FEM）模拟的结果进行了比较。根据模拟结果，对薄膜平面射频集成电感器结构参数和加工参数进行了优化，改进了薄膜平面频集成电感器的工艺方案。最后结合薄膜平面射频集成电感器薄膜的高频损耗分析，讨论了平面薄膜集成电感器薄膜微细加工技术。     

氧化铬彩色版的制作工艺

<正> 前言制版工艺在半导体器件、薄膜混合集成电路的研制和生产中,所处的位置相当重要。制版质量的好坏,直接影响着产品的性能和成品率,甚至是成败的关键。在半导体器件向大规模集成电路飞速发展的今天,使得对制版工艺的要求越来越高。薄膜混合集成电路近年来也在不断发展,一方面集成度在提高;另方面基片尺寸在增大,电阻、引线尺寸在缩小(宽度方面)。过去采用的金     

硅片作基体的片状镍铬薄膜电阻器

<正> Ni-Cr薄膜电阻器是用氧化的硅片作基体,真空蒸发一层Ni-Cr合金膜并用直接光刻工艺获得所需的电阻图形。组装后再用超声波切割进行随机动态调阻。它具有温度系数小、阻值高、长期稳定性好,微波特性好等特点。用于薄膜半导体混合集成电路,并适合作为表面装配技术中的片状元件。我们试制了250～300Ω/口的Ni-Cr电阻器。并用于混合集成的选频开关电路中。