多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究

在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此,器件电子发射效率显著提高,在３２．５Ｖ偏压下,发射效率达１３．５％,发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２;工作电流和发射电流的波动性明显减小;器件稳定性得到提高。     

纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜

提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。     

表面传导电子发射显示技术与器件

对表面传导电子发射显示器件的原理、结构及其发展历程进行了分析,重点针对表面传导电子发射性能的改进,从导电薄膜结构方面进行了讨论,并对有可能降低表面传导电子发射显示器件成本的方法进行了简单的分析。     

表面传导电子发射显示器电子发射源制作技术

表面传导电子发射显示器(SED)是最近开发的一种新型平板显示技术,具有高对比度、高灰度级、低功耗等优点。本文介绍了SED的工作原理及SED技术中处于核心地位的电子发射部件制造技术,并将各种电子发射部件制造技术进行了比较。     

表面传导电子发射SED的制作及特性描述

表面传导电子发射（SED）作为下一代平板显示器被发展。表面传导发射习惯于通过喷墨打印工艺制作PdO薄膜（厚度大约10nm）。薄膜应用电压通电活化，从而获得良好特性的发射电子。当阳极电压10KV时，电流密度达到大约30mA／cm^2。而且，36英寸表面传导电子发射显示器（SED），由SCEs和类似于CRT的显示屏组成，同样被发展。     

表面传导电子发射显示器件综述

表面传导电子发射显示是场致发射显示的一种,它由于在视角、动态图像、对比度以及色阶重现等各项图像品质指标上都出类拔萃,功耗较低,被认为是下一代平板显示器件的关键问题.本文主要介绍了表面传导电子发射显示器件的原理,元件制造方法、特点及发展前景.     

表面传导电子发射显示器件概述及研究现状

表面传导电子发射显示（SED）是一种新型平板显示技术,跟现有主流显示技术相比,它在对比度、灰度级、色彩、动态响应及功耗等方面均有优势。本文在简单叙述了SED的发展历史、原理及结构之后,重点介绍了SED的技术核心——电子发射源的结构、各种工艺流程及最新进展,最后是对SED的性能和特点的简介以及市场展望。     

反铁电体电子发射性能的研究

进行了锆钛酸铅反铁电体和铁电体的电子发射对比实验,研究了抽取电压、电极绝缘保护层和相变特性等对反铁电体电子发射性能的影响.通过涂覆绝缘保护层,大幅提高了表面击穿阈值,从而提高了施加场强;通过施加抽取电压,提高了发射电流密度.两种方式均使电流发射密度得到提高,最高达到153 A/cm2.利用相变理论,得到反铁电体相变时的强扩散和表面的半导性使局部或表面相变温度下降, 相变温度的下降有助于电子发射,合理解释了观察到的反铁电体中发射电流密度比铁电体更高和电子发射起始阈值更低的现象.     

36英寸表面传导电子发射显示器

介绍36英寸表面传导电子发射显示器(SED)的工作原理、基本结构、关键制造工艺、主要特性以及SED的发展前景。     

等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究

本文报道了等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的结构设计和工艺过程。该器件的电子发射区域边缘的工艺台阶仅为10nm,其自对准的浅砷注入电流通道区宽度仅为3m。与已报道的其它结构硅雪崩击穿电子发射器件相比较,该器件的电流电压特性曲线有更宽的线性区域和更低的通导电阻。本文也对其电子发射特性作了部分介绍。     

SED的磁控溅射法制作技术试验研究

介绍了表面传导电子发射显示(SED),采取了一种使用PdO膜和ZnO膜磁控溅射制作SED的方法,它具有发射均匀的优点。SED器件的电极厚度、导电膜材料、导电膜宽度对发射性能有很大影响,文中对这些参数进行了讨论。通过参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射。     

Field-emission enhancement of Mo-tip field-emitted arrays fabricated by using a redox method

This work has improved the emission characteristics for Mo-tips of field-emitter array (FEA) through a reduction-oxidation (redox) process. The maximum emission current of the 1600 tips array significantly increased from 23.2 /spl mu/A to 2.36 mA with the turn-on voltage decreasing from 70 V to 48 V after the redox treatment. Scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM) indicate that the main factor improving electron field emission characteristics for the Mo-tips is the increase in enhancement factor (/spl beta/) and, possibly, number of emission sites of Mo films.     

Uniform electron emission from a nitrogen-doped diamond-basedelectron emitter fabricated by the sintering technique

A nitrogen (N)-doped diamond-based electron emitter has been fabricated by the sintering technique prior to the chemical vapor deposition process in order to improve the uniformity. There are no spatial differences in reflective electron energy loss spectra (REELS) from the diamond-based electron emitter, suggesting that uniform surface conditions are obtained. The uniform electron emission from the obtained electron emitter is confirmed through emission current vs anode voltage characteristics measurements. It seems that the uniformity of the emitter surface results in uniform electron emission from the diamond electron emitter     

碳纳米球薄膜的场发射特性

利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜。利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的。在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1V/μm,当电场增加到10V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7mA/cm2。通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性。     

Field Electron Emission from Diamond—like Carbon Films

A low turn-on field electron emission from diamond-like carbon films has been observed for the first time to author‘s knowledge,Carbon films were prepared by micowave plasma chemical vapor deposition(CVD).Special pretreatment ceramic substrates were used.The characteristics of the film have been identified by using X-ray diffraction(XRD),and Raman spectrum.The field emission experiment has been performed in a vacuum chamber with a base pressure of about 10^-5Pa.The turn-on field of 1.2V/μm,and the current density of 1.25 mA/cm^2 at electric field of 6V/μm were obtained.     

纳米絮状碳膜的制备及场发射特性

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。     

纳米石墨片的制备及场发射特性

将可膨胀石墨粉放入家用微波炉中进行微波辐照,使石墨粉发生燃烧膨胀,将燃烧的产物用无水乙醇超声后旋涂于硅片上,用扫描电子显微镜(SEM)观察其形貌,得到仅几纳米厚的准二维结构的纳米石墨片。对其进行场发射特性测试,结果显示其具有优异的场发射性能,其开启场强为5.9V/μm,对应的电流密度为0.01mA/cm2。在场强为10.25V/μm时,得到最大发射电流密度为5.9mA/cm2。该纳米石墨片制作方法简单、快捷,可成为一种优异的准二维场发射电子源。     

低能电子束照射电介质样品的二次电子特性简

 为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明,相对于电子束脉冲照射模式,电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下,随着电子束照射,二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射电子束电流的影响较小,但随样品厚度的增大而增大.本文结果为提高扫描电镜成像质量、降低带电效应提供了理论指导,而且提供了依据二次电子特性研究样品参数的新思路.     

Improving the emission characteristics of a carbon nanotube film in NaCl electrolyte

Screen printing is undoubtedly the most cost-effective process for the fabrication of large-sized carbon nanotube field emission display (CNT-FED). A novel post-treatment method in NaCl electrolyte was presented to solve the problem of poor field emission characteristics of printed CNT films. Compared to those of untreated films, the turn-on electric field of the treated film decreased from 2.4 to 1.4 V/μm and the total emission current of the treated film that has the same printing area as the untreated one increased from ∼100 to ∼1800 μA. Scanning electron microscope (SEM) and Raman spectrum study revealed that field emission characteristics are enhanced by two factors. Firstly, the NaCl electrolyte treatment appeared to render the CNT surfaces more activey by exposing more CNTs from the CNT film. Secondly, the numerous defects of CNTs of the CNT film were increased by electrical current energy.     

金刚石镶嵌非晶碳膜表面微尖对场致发射的增强作用

用微波等离子体化学气相沉积设备,在金属钼衬底上沉积出了表面存在大量微尖的金刚石镶嵌非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、金相显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）及Ｒａｍ ａｎ谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现：在笔者的实验范围内,金刚石薄膜表面微尖对场致电子发射具有增强作用,且薄膜表面微尖数目越多,场发射电流密度和发射点密度越高,场发射的发射阈值越低。最后建立了一个二次场增强模型对实验结果进行了解释