CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性

对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。     

CMOS运算放大器的部剂量辐射响应和时间退火特性

对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量辐射响应牧场生和抗总剂量辐射水平，并通过研究其照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。     

CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

介绍了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在＾６０Ｃｏγ射线,１ＭｅＶ电子了４,７,３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及＾６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性,探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理,并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。     

PMOS剂量计的长期室温退火

为掌握ＰＭＯＳ剂量计的应用方式并提高其应用精度，研究了ＰＭＯＳ剂量计的辐照剂量记录－阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明：氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因，ＰＭＯＳ剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因素。负偏置条件能较好地保持其辐照记录，在正偏置贮存下的退火较大。     

VT辐照模式pMOS剂量计的标定

对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵敏度为２０ｍＶ／Ｇｙ（Ｓｉ）。同时发现，对６０Ｃｏγ射线的响应灵敏度为对６ＭｅＶ电子束的１．３倍左右。对实验结果进行了分析，认为ｐＭＯＳ剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性，提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。     

硅光电器件两种辐照效应的比较

比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶγ射线辐照后的光电参数的变化，讨论了γ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应，在硅器件的光谱响应范围内，将分光光度法得到的光电流谱用上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。     

Ar离子辐照的非晶态合金表面发泡扫描电镜观测

１５０、１９５和３００ｋｅＶＡｒ离子在室温下辐照非晶态合金Ｃｏ７０．２Ｆｅ３． ９Ｎｄ３．９Ｓｉ１４Ｂ８和Ｃｏ６６Ｆｅ４．５Ｖ２．２５Ｎｉ２．２５Ｓｉ１０Ｂ１５，扫描电镜在一定的辐照剂量范围观测到了表面发泡形成，发泡形成的临界剂量和直径随离能量增加而增加。Ａｒ离子能量高于１９５ｋｅＶ时，发泡和发泡破裂是主要的表面损伤现象，而在１５０ｋｅＶＡｒ离子辐照下，未观测到发泡破裂。     

注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性

比较了CC4007电路栅介质中注F′和未注F′的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F′的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能。表现为在同样辐照偏置下注F′器件比未注F′器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定。     

脉冲总剂量效应测试技术及其损伤规律研究

建立了基于PCI插卡式虚拟仪器的脉冲总剂量效应在线测试系统,详细说明了其工作原理和技术指标。利用该系统研究了脉冲辐照后CMOS器件总剂量损伤以及时间关联的退火响应,包括不同栅偏压对总剂量损伤和退火行为的影响,以及氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移与退火时间的关联情况,并从物理机理上进行了详细的分析。     

PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究

通过对PDSOI CMOS静态随机存储器(SRAM)在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度(25℃和100℃)条件的退火行为进行研究,探讨了SOI工艺SRAM的总剂量辐射损伤机制及辐照环境中功耗电流变化与器件功能之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量...     

预估CMOS器件辐照后热退火效应的加速实验方法

介绍了一种利用等时退火法预估CMOS器件辐照后长时间等温退火行为的加速实验方怯。为了找到两种退火在时间上的相应关系，依据每一步等时退火相当于有相同电荷逃逸水平的等温退火时间。利用典型CC4007CMOS器件的25-250℃等时退火数据预估了100和25℃等温退火的长时间行为，预估结果和实验结果符合得很好。     

CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定

对CNMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行讨论，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100^oC等温和25～250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围分别在0.65～0.76eV和0.75～0.95eV之间；25～250℃等时退火的激发能范围在0.5～1.1eV之间，峰值位于0.81eV。     

Effects of Annealing on Luminescence of ZnO Films Deposited on Si Substrates by RF Magnetron Sputtering

Effects of growth ambience, annealing ambience and temperature on the photoluminescence (PL) emission properties of ZnO films deposited on Si (100) substrates by RF magnetron sputtering have been investigated. After annealing, the crystal quality of ZnO films was markedly improved, and the intensity of UV emission peak increased obviously. By varying the flow rate ratio of O2/Ar, annealing atmosphere in oxygen-deficient or oxygen-rich ambience and heating temperature during deposition, the evolution of peak intensities and positions for blue and green emission is formed. This is attributed to the deposition and annealing parameters that control the desorptions and adsorptions of oxygen atoms on the films, and leads to the changes of concentrations of Zinc and oxygen vacancies in the films.     

几种特殊的滚轧制靶技术

描述了几种特殊的滚轧技术，包括中间退火，双层的材料靶的轧制电容器纸作内衬，气体靶室封窗膜的制备，材料熔化和粉末材料靶的轧制等。     

滚轧法研制自支撑金属靶

文章叙述了用实验室型滚轧机研制了五十多种核靶的工艺过程。靶的厚度范围是0.3—20mg/cm~2,其均匀性用带电粒子能量损失法测量,一般好于96%。背散射测量表明,滚轧过程引入的杂质<0.2μg/cm~2。     

洛川黄土中陷阱电子的平均寿命和ESR年代学

本文采用等温退火的实验方法,特洛川黄土样品在同一温度下加热退火不同的时间,然后在不同的温度下重复实验,得到样品中石英颗粒的E＇中心在室温下的平均寿命为6.66×10~8a,活化能为1.35eV,频率因子为3.67×10~6,证明了洛川黄土的ESR年龄值的可信性。     

滑带土TL测年初探

用热释光方法测定滑坡滑动变形时间的关键是:滑坡滑动过程中产生的温度和压力是否可使滑动带上的某些矿物原贮存的热释光能量完全释放而“归零”。为了解决这具有实验和理论意义的问题,进行了不同条件下高温高压模拟实验和滑带土热释光退火效应的研究。结果表明,滑坡滑动时产生的摩擦增温是滑动面上矿物热释光退火的重要因素。讨论了摩擦增温值与滑动时剪应力大小,滑带土的宽度及滑动距离间的关系,并据此测出湖北巴东黄土坡乡古滑坡滑动变形约发生于距今14万年左右。     

SURFACE SEGREGATION EFFECTS IN AL_2O_3 IMPLANTED WITH HIGH DOSE INDIUM

Implantations of 100 keV In ions to high dose of 6 ×1016 In/cm2 were performed into a-axis oriented crystals of Al2O3 held at a liquid nitrogen temperature. The implantation produced about 80nm thick amorphous surface layer. Isothermal annealing in flowing Ar gas ambient was done at the temperatures of 600, 700, 800, and 900℃ . Rutherford backscattering and channeling (RBS-C), scanning electron microscope (SEM) and reflection high energy electron diffraction (RHEED) have been employed to investigate the annealing behaviors.The indium shows anomalous diffusion in amorphous layer. The migration of indium was composed of two parts: (a) some broadening of In profile corresponding to diffusion within the amorphous layer, (b) segregation of In to surface to form In2O3 which appears as islands on the surface. When the ambient is made oxygen free, the segregated In is lost by evaporation at the surface.     

注砷硅片低能电子束退火

本文报道了用低能大面积电子束处理注砷硅片的实验结果。由四探针和背散射、沟道效应测量结果表明，用本方法退火的样品具有电激活率高和砷原子再分布小的优点。     

Ion implantation damage recovery in GaN

We present a method of ion implantation doping of GaN, which permits reduced residual damage. The method consists of performing implantation in several steps with annealing between each step. Residual damage was analyzed by RBS/channeling and compared to a traditional implantation and annealing procedure. Better lattice recovery is clearly achieved using the alternating implantation and annealing approach. We attribute the efficient recovery to smaller damage amounts introduced during each implantation step, as well as to suppression of secondary defect formation.