球撞击坑坑唇宽窄度定义及算法研究

撞击坑是月球表面最重要的特征,对撞击坑正确的识别是必要的。我们提出一种"六位数字十级分级法",以0至9共十个数字量化描述撞击坑的特征。本文主要讨论坑唇宽窄度定义及算法的研究。首先对坑唇宽窄因子进行定性的描述和定量的定义,对撞击坑坑唇因子划分为0到9共10个级别。利用中值滤波、边缘提取等技术对影像进行预处理,通过Sobel算子获取精确边缘点并将其拟合成椭圆。得出坑唇边缘之后,截取坑唇宽和坑半径的长度,然后利用具体的等级划分算法,求出每个撞击坑坑唇宽窄因子的级别。目前已成功应用到数字月球平台。     

单脉冲激光诱导放电表面强化点的实验研究

采用45~#钢作为工件电极,钨合金作为工具电极,在不同放电电流、放电脉宽条件下,于空气中进行了单脉冲激光诱导放电实验.从表面形貌照片来看,放电点大致为圆形,坑表面较平坦,随着放电脉宽、放电电流的增大,强化点坑径、坑深随之增大.通过对实验数据的拟合,得到了强化点坑径、坑深随放电电流和放电脉宽变化的经验公式.获得的经验公式拟合效果好,相关系数高,可用来指导加工工艺的优化设计.     

碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响

为实现图形片的全局平坦化,通过研究碱性阻挡层抛光液各成分对铜和介质(TEOS)去除速率的影响,遴选出一种碱性阻挡层抛光液。在此抛光液基础上添加不同质量分数的盐酸胍,对钽光片进行抛光,选出满足要求的抛光液,并在中芯国际图形片上验证此抛光液的修正能力。实验表明,当磨料质量分数为20%、盐酸胍质量分数为0.3%、I型螯合剂(FA/O I)体积分数为1%、非表面活性剂体积分数为3%时,钽和TEOS去除速率之和是铜去除速率的3.3倍,此种碱性阻挡层抛光液对钽的去除速率为42 nm/min,各项参数均满足工业要求。与商用酸性、碱性抛光液相比,该抛光液对碟形坑和蚀坑有更好的修正能力。     

InSb晶体表面碟形坑缺陷

文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后,经择优腐蚀后呈碟形坑的表面 微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺陷,一部分由扩散诱生。分析后认为由扩散诱生这类缺陷的原因主要为晶片表面粘污,已证实清洗更洁净的晶片,能有效抑制扩散过程中诱生的这类缺陷。     

基于爆炸力学理论下的黄土爆炸作用分析及弹道坑空腔定位研究

在靶场的地下,往往存在着一些弹坑,在靶场运行的过程中,往往需要对这些弹坑的位置进行确定,以使靶场能够更好的运营.本文以草原地区存在的黄土为例,对爆炸振动波的黄土中空腔坑定位进行了研究,通过一定实验方案,得出相应的实验结果,为其他工作者继续进行研究提供了一定帮助.     

不同磨料质量分数对化学机械平坦化的影响

采用自主研发的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究了不同磨料质量分数对铜和钽抛光速率与膜厚一致性的影响;分析了磨料质量分数为2%,2.8%和3.6%时,膜厚一致性对平坦化的影响。抛光结果显示:当磨料质量分数高于2.8%时,抛光液开始对钽进行有效的抛光;随着磨料浓度的增加,抛光液的膜厚一致性提高趋于平缓。磨料质量分数为2.8%和3.6%时,抛光后膜厚一致性变好,碟形坑满足工业生产要求;磨料质量分数为2%时,抛光后膜厚一致性比抛光前恶化,碟形坑相对较大。由此可见,当磨料质量分数为2.8%时,抛光液能有效去除残余铜,并且抛光后膜厚一致性好,有利于实现平坦化,尤其是对提高成品率和优品率有重要的作用。     

凹面磨坑机样品台的改造

在利用电子显微镜进行陶瓷,半导体等材料(包括横断面)的研究工作中,使用凹面磨坑机配合离子减薄仪,制备电镜样品,可以大大缩短制样时间,而且能得到高质量的电镜样品。一般电镜试样制备时,首先将块状样品用金刚石锯或机械方法切成厚度为200～300μm的薄片,然后,将薄片用胶或腊粘在玻璃片或金属托盘上,用氧化铝或金刚石磨料在平玻璃板上磨到100μm左右,将这样的试样用超声波钻切成Φ3mm的圆形薄片,放入离子减薄仪中减薄,上述的样品一般需减薄20～25小时以上。如果将上述磨好的试样,在放入离子减薄仪之前,用凹面磨坑机,在100μm厚的试样上,磨出凹坑,其坑的底部剩余厚度为20～30μ,如图1所示,对于硬试样,坑底     

光存储技术研究进展

本文简述了光存储技术的研究进展,分析了几种提高光存储效率的解决方案,列举了几种典型的多阶光存储技术.认为多阶光存储技术利用信号处理与编码调制技术,可以在现有技术的基础上增加信息存储维度,有效提高信息存储容量和数据读取速度,具有广阔的发展空间.     

HgCdTe外延材料表面腐蚀坑特性的研究

文中对Schaake[ 1 ]和Chen[ 2 ]两种腐蚀剂在{111}B的HgCdTe外延材料上形成的腐蚀坑特性进行了研究。通过实验确定了两种腐蚀剂的最佳腐蚀时间,实验结果发现两种方法都在外延材料表面产生了两种不同类型的腐蚀坑, Schaake腐蚀坑是一种为三角形,另一种为腰果状,而Chen腐蚀坑是侧向腐蚀面坡度不同的两种三角形。实验进一步证明Chen的较陡三角形腐蚀坑和Schaake的两种腐蚀坑具有位错腐蚀坑的特性,并且我们发现大部分位错具有穿越特性,而且位错线方向与〈111〉方向具有一定的角度。实验观察发现,宏观缺陷附近的腐蚀坑密度会有比较大的增值。     

对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究

用ThomasSwan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错     

对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究

用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错.     

InSb(111)A面腐蚀坑成因分析

采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了InSb晶片(111)A面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑,并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀坑形貌的成因进行了分析,结果显示1类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷,2类特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。     

(111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比

通过对材料减薄，并采用红外透射显微镜观察的手段，实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的（111) A和（111) B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系，深度腐蚀的实验也发现，表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μm的表层内，这表明大部分腐蚀坑所对应的不是通常认为的穿越位错. 进一步分析的结果表明，不同腐蚀剂形成的腐蚀坑所对应的缺陷有可能是不同类型的位错，甚至也可能起源于微沉淀物，通常将碲锌镉材料的腐蚀坑所对应的缺陷简单地归结为材料的位错是缺乏实验依据的.     

PCB设计对焊点强度及坑裂失效的影响

采用正交试验设计的方法,讨论了PCB基材的树脂禽餐、焊盘类型,以及焊盘大小对焊点强度和坑裂失效的影响。结果表明：在3个方面的因素中,PCB基材的树脂含量对焊点强度的影响程度最大。有阻焊膜限定的焊盘类型（SMD）要比无阻焊膜限定的焊盘类型（NSMD）的焊点强度要高,且不容易发生坑裂失效。     

(111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比

通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的实验也发现,表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μm的表层内,这表明大部分腐蚀坑所对应的不是通常认为的穿越位错.进一步分析的结果表明,不同腐蚀剂形成的腐蚀坑所对应的缺陷有可能是不同类型的位错,甚至也可能起源于微沉淀物,通常将碲锌镉材料的腐蚀坑所对应的缺陷简单地归结为材料的位错是缺乏实验依据的.     

电梯顶层高度和底坑深度计算软件开发

电梯的顶层高度和底坑深度是否满足相关国标要求,是电梯安全运行的重要保证,以往的计算中一般都用手工计算或画图软件模拟,容易遗漏计算项并且费时费力;本文介绍了利用C#.net和Access设计电梯顶层高度和底坑深度计算软件的设计过程和方法。