MMIC工业开发和标准工艺加工线(Foundry)

本文简要介绍了MMIC的应用和市场潜力,讨论了工业开放Foundry的建设和MMIC工业开发的关键因素,还给出了有关市场上销售的GaAsMMIC放大器和组件的资料。     

MMIC—单片式微波集成电路

由于近年来半导体制造技术的发展，例如氮化物自我排列工艺的成熟，离子掺入控制水平的提高，所以才能生产出MMIC器件。在这种器件内，电阻器采用适合高频率应用的薄膜电阻器，且制作在芯片上，使器件内部的各零件之间几乎无连线，电路感抗可降到最低值，提高了MMIC的高频特性、MMIC工作频率实际可达18GHz以上，频宽高达4GHz。它的用途很广，可应用于所有的发射机或接收机的射频和中频电路。下面分5个方面介绍MMIC。1．典型的MMIC放大电路MMIC放大电路如图1所示，虚线框内的元件都包含在MMIC器件中。为了使V1、V2晶体管具有确…     

GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

从可靠性物理角角度，深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路（GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理，明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化，主要的失效部位是MMIC的有源器件。     

MMIC单片微波集成电路的原理及应用

介绍了MMIC单片微波集成电路的特点和分类，分析了其内部电路原理，列举了几种常用的MMIC的性能指标，给出了典型应用电路，最后就使用中的问题提出了几点建议。     

HMC732LC4B／733LC4B：压控振荡器

Hittite微波公司推出两款新的SMT封装MMIC压控振荡器HMC732LC4B和HMC733LC4B，工作频率在6GHz-20GHz，适合应用于工业、医疗测试测量设备和通信等领域。     

W及以上波段MMIC放大器的研究进展

在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和SbHEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性.针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议.     

MMIC毫米波倍频器的研究

在介绍倍频器工作原理、各种实现方法及其优缺点的基础上,阐明了采用MMIC(单片微波集成电路)工艺实现高性能、高可靠性、小型化毫米波倍频器芯片的技术特点及应用需求,比较了单管和平衡两种不同结构MMIC毫米波倍频器的优点与不足,全面综述了国内外对MMIC毫米波倍频器的研究情况,介绍了MMIC毫米波倍频器的最新研究进展,展望了MMIC毫米波倍频器的发展趋势,提出了一些建议。     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

功率MMIC封装的热分析北大核心CSCD

介绍了一种利用计算流体动力学分析软件和有限元法多物理场分析软件对功率微波单片集成电路(MMIC)封装进行电热及热力特性数值模拟的方法。首先对功率MMIC封装的热传导路径及等效热模型进行了简化分析,基于简化模型对影响热分布和热传导的因素进行分析,并提取其材料和结构参数,建立功率MMIC封装的热模型,并对一款S波段5 W功率放大器MMIC封装进行仿真,得到功率MMIC及其封装的温度分布,仿真结果均与实际测试结果相吻合。所建立的简化模型和热应力分析对功率MMIC及其封装结构的设计和改进具有指导意义。     

MMIC器件在无线收发信机中的应用

文中根据时分双工无线收发信机的框图介绍了放大器、混频器、衰减器和开关等MMIC器件在射频设计中的应用,着重介绍了MMIC放大器,在介绍各种MMIC器件时分别给出了几种器件型号。     

DC～70GHz GaAs超宽带放大器MMIC

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款DC～70 GHz超宽带放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用6级共源共栅结构，拓展了超宽带放大器MMIC的带宽，提高了其增益。在共源共栅PHEMT之间引入一条调谐微带线作为调谐电感，改善了超宽带放大器MMIC的增益平坦度。在片测试结果表明，该放大器MMIC在DC～70 GHz内，小信号增益大于8.3 dB,增益平坦度典型值为±1 dB,饱和输出功率大于13 dBm。在50 GHz以下噪声系数小于5 dB,在70 GHz的噪声系数为8.5 dB。该放大器MMIC的工作电压为8 V,电流为70 mA,包含射频压点与直流压点的芯片尺寸为1.39 mm×1.11 mm。     

MMIC在片测试探头的研究与设计

微波单片集成电路（MMIC）在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导（CPW）探头,测试并分析了探头性能。该探头在2－18GHz范围内插入损耗小于1．5dB,回波损耗大于16dB。     

微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展(续)

3 MMIC技术 在芯片上由GaN HEMT有源器件和无源元件(如MIM电容、薄膜电阻和衬底上的通孔等)所组成的微波单片集成电路(MMIC)和GaN HEMT分立晶体管几乎同步发展,MMIC技术的发展使GaNHEMT器件的电路应用能减少体积和质量,适应高频率的需求和批量生产.目前4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片级GaN MMIC加工线已经成熟,GaN MMIC的工作频率已覆盖微波到3 mm波段,GaN MMIC的性能向高效率、高功率、宽频带和多功能集成的方向发展.     

卫星应答机用30GHz单片微波集成电路接收机

木文首先介绍了全微波集成电路(MMIC)化接收机的构成,然后讨论了低噪声放大器、宽带相移网络的镜像抑制型混频器、压控振荡器、模拟分频器、倍频器的MMlC电路设计和试验结果,以及利用这些MMIC电路构成镜像抑制型变频器和锁相环型本振,研制全MMIC化接收机的实践.     

单片微波集成电路技术与设计

Ravender Goyal, Artech House(美国)出版1986年6月出版《单片微波集成电路技术与设计》一书着重介绍MMIC设计中计算讥辅助方法。包含了进行快速、有效、准确的MMIC设计的较完整的步骤、借助本书可缩短MMIC的设计周期,特别是将使首次设计精度提高。书中还介绍MMIC在应用方面的进展。本书对有关专业的工程师和大学师、生适用。本书从MMIC必须的基础知识,如传输线理论、驻波、网络参数和噪声参数等开始,作     

混合与单片微波电路的比较——成本问题

近几年来,微波杂志和通俗期刊的读者已经注意到微波研究和发展的一个重要领域——GaAs单片微波集成电路(MMIC)。这些MMIC的工艺和电路设计技巧已影响到很多微波领域的部门,而它们以前是采用普通混合微波集成电路(MIC)或波导元件和系统的。现在,MMIC工艺和电路设计的发展已经表明了高达大约35GHz的惊人结果,其电路设计更多地借助于计算机辅助测试(CAM)和计算机辅助设计(CAD)。到目前为止,大概MMIC最感兴趣的方面是这种单片集成的方式,其中,GaAs MES FET被用于完成多种功能,如:放大、变频、振荡、相移、开关等,特别是在许多情况下,在这些特殊电路范围内,FET优于其它器件。虽然批量生产GaAs MMIC有希望成为一种价格低、性能好、尺寸小和可重复的好方法(这类似于以前的硅集成电路),但对于微波工业,通常还有大量的要求不能满足。另外,混合MIC装配的惊人技艺已在世界范围内建立,而且,对于特殊要求的微波元件,混合MIC可以提供最佳的解决办法。因此,很自然地,许多微波工艺部门持怀疑的态度来看待MMIC,并指出这种特殊方法的缺点。MMIC的设计者们则保持强有力的步调,而致力于混合MIC的设计者们却不断地改善其能力,以生产更多成熟的、小型的和廉价的元件。本文评论了这两种生产微波元件的方法的相对优点和现状,得出了有关这两种竞争工艺前景的几点结论。     

星载30GHz MMIC接收机

为星载转发器的小型、轻量以及高可靠性而研制的单片微波集成电路(MMIC)近期获得成功。所研制的MMIC是低噪声放大器、混频器、电压控制振荡器、摸拟分频器及倍频器。这些MMIC构成图象抑制变频器和PLL稳定的本地振荡器。用这些MMIC制作30GHz接收机的结果,卫星转发器可以获得足够的性能。由于MMIC的研制,可使星     

一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法

通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工作起到了一定指导作用.     

X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件.微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本相对较高,但功率MMIC可实现宽带匹配,同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多,是满足诸如X波段TlR组件应用不可或缺的结构形式.功率MMIC的结构形式主要有微带和共面波导(CPW)两种,相比于CPW结构,微带结构的MMIC芯片面积更小,特别是对于大栅宽器件,微带结构的通孔接地更有利于寄生参量的减小,有利于提高MMIC的性能,因此微带结构也是应用更为广泛的MMIC结构形式.     

BGA612，BGA614，BGA616-缩短无线设计的上市时间

BGA61x系列包括三种在达林顿电路结构中使用的匹配的，通用宽带MMIC放大器，MMIC系列是英飞凌公司出于对特殊的性能和很少的外围器件考虑而开发的世界级和高传输频率，低噪声70GHz B7HF硅一锗工艺技术。放大器的简易性和灵活性简化了设计流程，使得在竞争激烈的现代商业环境中，可以缩短设计周期，并且快速地将产品投入到市场。