世亚行贷款公路工程项目投标文件的翻译要点

针对近年来世行、亚行贷款公路项目的增加，山西省各路桥公司亦不断参与的现状，从专业术语、选词、选语态、句子处理等方面阐述了工程项目投标文件的翻译要点，归纳总结了标书翻译的语言特点及汉译英翻译技巧。     

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。     

长钢8号高炉开炉实践

长钢8高炉(1080m3)采用陶瓷杯炉缸,3座改进霍戈文内燃式热风炉,串罐无料钟炉顶、矩形出铁厂,炉前液压矮炮、液压开口机、轮法炉渣粒化处理等一系列新设备、新工艺。通过科学精心的开炉准备和制定合理的全焦开炉方案,在7d内,高炉利用系数达到2.0t/(m3·d),开炉取得了很好的效果。     

长钢4号、5号高炉1号热风炉改造实践

长钢4号、5号高炉1号内燃拷贝式热风炉,通过更换五孔格子砖为优质耐火球,有效提高了热风炉的蓄热面积,提高了送风温度,取得了良好的经济效益,该技术在长钢的成功应用,为内燃拷贝式热风炉改造创造了新的道路.     

长钢高炉提高煤比的措施

对长钢高炉提高煤比的措施进行了总结分析。长钢炼铁厂自2002年10月开始喷吹煤粉的研究和试验，在一年的时间内，顺利实现了无烟煤到烟煤的转换。2003年，通过采取精料、广喷均喷、不断优化高炉操作等提高煤比的措施，高炉煤比提高到130kg／t，焦比大幅度降低，产量增加，生铁成本大幅度降低。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

长钢8号高炉全干法除尘技术应用实践

长钢8号高炉采用全干法布袋除尘工艺，通过合理地控制布袋过滤负荷、煤气入口温度及水分、箱体压差等，布袋除尘系统运行稳定，取得了较好的除尘效果，煤气含尘量控制在5mg/m^3以下。     

SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试

对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。     

X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件.微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本相对较高,但功率MMIC可实现宽带匹配,同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多,是满足诸如X波段TlR组件应用不可或缺的结构形式.功率MMIC的结构形式主要有微带和共面波导(CPW)两种,相比于CPW结构,微带结构的MMIC芯片面积更小,特别是对于大栅宽器件,微带结构的通孔接地更有利于寄生参量的减小,有利于提高MMIC的性能,因此微带结构也是应用更为广泛的MMIC结构形式.     

Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究

研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在退火温度低于 70 0℃时 ,两种接触样品上都不能得到欧姆接触。随着退火温度的升高 ,85 0℃快速退火后 ,在Ti/Al/Ni/Au接触上获得了 1.2 6×10 - 6 Ω·cm2 的比接触电阻率 ,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了 1.97× 10 - 5Ω·cm2 的比接触电阻率。研究结果表明 ,金属与半导体接触界面和Al0 .2 2 Ga0 .78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用 ,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程。对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释。