Cs／InP（100）界面相互作用性质的研究

我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性．ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散．当Ｃｓ的覆盖度大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩散，且Ｃｓ与Ｐ发生弱的化学反应．饱和吸附的Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面在不同温度退火时，一部分Ｃｓ脱附，一部分仍留在ＩｎＰ体内．     

高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究

本研究了ｎ型硅阳极化的高选择和终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离ＳＯＩ结构。采用这种ＰＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｎｓ Ｏｘｉｄｉｚｄｅ Ｓｉｉｌｃｏｎ）技术在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－／衬底上形成的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从１００ｎｍ到数μｍ），且硅岛宽度可大于１００μｍ．ＸＴＥＭ结果显示顶层硅／氧     

掺铒石英光纤中的受激拉曼散射及受激四光子混频

报道了掺铒光纤受激拉曼散射（ＳＲＳ）和受激四光子混频（ＳＦＰＭ）的实验研究。所用光纤长为１０ｍ，泵浦源为ＮｄＹＡＰ倍频５３９．７ｎｍ脉冲激光，脉冲能量为０．１Ｊ，脉宽为５０ｎｓ，获得了从５５２．１～６２２．８ｎｍ的６级受激拉曼散射谱和受激四光子混频的Ｓｔｏｋｅｓ（５４２．９ｎｍ）及反Ｓｔｏｋｅｓ（５３７ｎｍ）谱线。     

InGaAs／GaAs应变层量子阱激光器深中心行为

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所周知的ＤＸ中心外，还观察到有较大俘获截面的深（空穴、电子）陷阱及其相互转化．这些陷阱可能分布在ｘ从０到０．４０和ｘ—０．４０的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层里ｘ值不连续的界面附近．而在ＬＰＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，ＤＸ中心浓度明显减少，且深（空穴、电子）陷阱消失     

纳米硅薄膜结构特性研究

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ），Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱（ＩＲ）等结构分析手段检测了其结构特征．结果表明，纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构．Ｘ射线衍射谱表明除了Ｓｉ（１１１）的２θ＝２８．５°和Ｓｉ（２２０）的２θ＝４７．３°处的衍射峰外，在２θ＝３２．５°处存在着一个强的异常峰．ＨＲＥＭ结果表明存在新的Ｓｉ结晶学结构与ＸＲＤ异常峰相关联．     

Sm在GaAs（100）表面的吸附和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１０）界面形成．高分辨的芯能级谱结果表明，在低覆盖度下（＜０．１ｎｍ），Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面．当Ｓｍ的覆盖度增加时，Ａｓ和Ｇａ的表面发射峰很快消失，表明Ｓｍ与Ｇａ发生置换反应而与Ａｓ形成化学键．同时，Ｇａ原子会向Ｓｍ膜体内扩散且偏析到Ｓｍ膜表面，而Ａｓ－Ｓｍ化合物只停留在界面区域．当Ｓｍ膜厚度达到０．５ｎｍ时，Ｓｍ膜开始金属化．结合理论模型，文中还详细地讨论了界面形成和界面结构．     

HP－UX10．0的技术特点

ＨＰ－ＵＸ１０．０的技术特点孟祥波ＨＰ－ＵＸ１０．０是最新发行的，运行于ＨＰ－ＰＡ家族的服务器和工作站的操作系统。它是ＨＰ公司在工作站和超级服务器上使用的唯一操作系统，在大负载及ＳＭＰ（Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃｍｕｌｔｉｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，对称多处理机）...     

脉冲激光淀积庞磁阻L_(1-x)Sn_xMnO_3薄膜的光电子能谱

１９９３年发现，钙钛矿结构稀土过渡金属的氧化物的磁电阻可达１０’一１０’％称之为庞磁电阻（Ｃｏｌｏｓｓａｌｍａｇｎｅｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）．这类氧化物材料，特别是它们的薄膜，在制备高密度磁数据存储器件和磁传感器等方面有十分重要的应用价值，因而受到人们的高度重视．这里，我们仍用脉冲激光淀积技术在ＬａＡＩＯ。卜０）衬底上外延生长了Ｌａｏ。ＳｎｏｌＭｎＯ。薄膜．薄膜的晶体结构由Ｘ射线８／２９扫描确定．我们着重用角分辨Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了Ｌ。．ｓｓｎｏｌＭｎＯ。薄膜的表面电子态和最顶层表面…     

Defect Structure of MOCVD Grown Epitaxial (0001) GaN/Al_2O_3

ＤｅｆｅｃｔＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＭＯＣＶＤＧｒｏｗｎＥｐｉｔａｘｉａｌ（０００１）ＧａＮ／Ａｌ２Ｏ３Ｘ．Ｈ．ＷｕＬ．Ｍ．ＢｒｏｗｎＤ．ＫａｐｏｌｎｅｄＳ．ＫｅｌｅＳ．Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓＪ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ（ＭａｔｅｒｉａｌｓＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ，...     

InCl分子B~3∏_1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣｌ分子 Ｂ３∏１→Ｘ１∑＋荧光光谱进行了分析和归属,并对Ｂ３∏１（ｖ’＝０）→Ｘ１∑＋（ｖ＂＝０）的时间分辨谱进行了观测．首次得到ＩｎＣｌ分子Ｂ２∏１态（ｖ＇＝０）无碰撞辐射寿命 ０≈３５３ｎｓ;无辐射弛豫速率常数ｋＱ≈１．９８５×１０－１０ｃｍ３ｍｏｌｅｃ－１ｓ－１及电子跃迁矩｜Ｒｅ｜２＝ ０．４０Ｄ２．     

SOI／SIMOX材料导电类型反型的研究

采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎｏｆＯｘｙｇｅｎ）样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明，该样品表层硅膜的导电类型由ｐ型反型为ｎ型。ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，ＳＩＭＯＸ样品中氧施主的电离能为０．１５ｅＶ，与早期文献报导的实验值一致。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究

本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）．当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ．本文将这种对量大于Ｓｉ单晶能隙的光发射归因于多层膜中ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ子层的量子尺寸效应．     

采用成品率模型技术设计3．3V800nV_（rms）噪声／增益程控CMOS麦克风前置放大器

采用成品率模型技术设计３．３Ｖ８００ｎＶ＿（ｒｍｓ）噪声／增益程控ＣＭＯＳ麦克风前置放大器＝Ａ３．３－Ｖ８００－ｎＶ＿（ｒｍｓ）ｎｏｉｓｅ，ｇａｉｎ－ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅｐｒｅａｍｐｌｉｆｉｅｒｄｅｓｉｇｎｕｓｉｎｇｙ...     

创新推出8倍速DVD-ROM套件

创新公司的ＤＶＤ－ＲＯＭ套件又将升级,配备８倍速ＤＶＤ－ＲＯＭ的ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ即将上市。ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ套件包括一个８ＸＤＶＤ－ＲＯＭ和一块采用Ｄｘｒ３技术的ＭＰＥＧ２解压缩卡,能提供效果上佳的硬件ＭＰＥＧ２解压缩的影音播放效果。创新的ＤＸＲ３（ＤｙｎａｍｉｃＸｔｅｎｄｅｄＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ３）技术,除了能完成硬件ＭＰＥＧ２解压缩外,还可将ＤＶＤ影片普遍使用的ＡＣ－３５．１声道数码音效输出,再通过ＡＣ－３解码器由５．１声道音箱输出相当于影院的效果,该卡还配有Ｓ／ＰＤＩ…     

Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究

利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３     

A Method of Structuring Parameter Curves

ＡＭｅｔｈｏｄｏｆＳｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇＰａｒａｍｅｔｅｒＣｕｒｖｅｓＬｕｏＷｅｉｍｉｎ（Ｘｉ’ａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｘｉ’ａｎ，７１００６１，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ）ＹｅＺｈｅｎｇｌｉｎａｎｄＭ...     

LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究

本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质     

(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面

用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。