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介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺.通过优化并联梳齿结构的几何尺寸,可以使微继电器的阈值电压降低到5V.该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造,同时,使用溅射工艺制作Au接触电极,可以使接触电阻降到100 mQ以下,增加了微继电器的使用寿命.由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容,因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上. 相似文献
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介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺。通过优化并联梳齿结构的几何尺寸,可以使微继电器的阈值电压降低到5V。该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造,同时,使用溅射工艺制作Au接触电极,可以使接触电阻降到100mΩ以下,增加了微继电器的使用寿命。由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容,因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上。 相似文献
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介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺。通过优化并联梳齿结构的几何尺寸,可以使微继电器的阈值电压降低到5V。该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造,同时,使用溅射工艺制作Au接触电极,可以使接触电阻降到100mΩ以下,增加了微继电器的使用寿命。由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容,因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上。 相似文献
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在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧触点施加纵向驱动力使之达到30μm的纵向驱动位移,可以实现机构的双稳态姿态切换,可以通过控制永磁体磁片、悬臂梁和扭梁的尺寸来灵活调控稳态切换所需的驱动力矩.此双稳态机构可与电磁驱动、电热驱动和静电驱动等类型的微驱动器联用构成永磁双稳态MEMS微继电器. 相似文献
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基于热膨胀效应的微执行器进展 总被引:10,自引:2,他引:8
本文首先分析了热驱动微执行器的基本及其相对于静电驱动,磁驱动的优势。接着分析了五种常见的热驱动结构的原理,特点,它们的某些典型应用也随后作了介绍,最后对热驱动微执行器计算机辅助设计的前景进行了展望。 相似文献
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扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构 总被引:1,自引:0,他引:1
在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧触点施加纵向驱动力使之达到30μm的纵向驱动位移,可以实现机构的双稳态姿态切换,可以通过控制永磁体磁片、悬臂梁和扭梁的尺寸来灵活调控稳态切换所需的驱动力矩.此双稳态机构可与电磁驱动、电热驱动和静电驱动等类型的微驱动器联用构成永磁双稳态MEMS微继电器. 相似文献
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微流体系统中微阀的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
依据微流体系统中微阀的驱动机理,将微阀分为有源微阀和无源微阀两大类,然后对这两大类进行细分,将有源微阀分为压电、磁、静电驱动、热驱动、相变、双稳态、外部驱动等类型,将无源微阀分为悬臂梁式、薄膜式、毛细管、扭矩驱动等类型。分别讨论了各种微阀的工作原理和性能,介绍了各类微阀的实验研究进展,指出了这些微阀的特点,突出了微阀作为微流体系统的主要元件之一,起到径流调节、开/关转换、密封生物分子和微/纳粒子等作用。回顾了微阀的发展历程,分析了目前研究过程中存在的问题,提出了微阀今后的研究方向。 相似文献
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介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用平面线圈来代替螺线管线圈,有利于MEMS工艺,并且提出了一种双支撑的悬臂梁结构做为活动电极,具有较高的灵敏性和稳定性.另外,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真分析,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进一步优化. 相似文献
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微型电磁继电器的制作和仿真分析 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用平面线圈来代替螺线管线圈,有利于MEMS工艺,并且提出了一种双支撑的悬臂梁结构做为活动电极,具有较高的灵敏性和稳定性.另外,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真分析,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进一步优化. 相似文献
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This paper reports the design, fabrication and characterization of a bistable electromagnetic microrelay based on non-silicon surface micromachining technology. It mainly consists of an integrated microcoil at bottom with a spacer, and a suspension spring with a permanent magnet on top. Bistable mechanism is realized by the adoption of the SmCo permanent magnet to hold the microrelay at latching position without current. Switching between two stable states is completed by the variation of current direction in the microcoil. The corresponding power consumption is 25 mJ. The fabrication processes of related components are presented. The test result shows that the bistable electromagnetic microrelay can work with low operation voltage pulse of 5 V. The output displacement is about 380 μm while the response time is about 4.96 ms. Besides, the test insertion loss is −0.02 dB and the isolation is −39.91 dB at 30 MHz. 相似文献
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Jong Soo Ko Min Gon Lee Jeong Sam Han Jeung Sang Go Bosung Shin Dae‐Sik Lee 《ETRI Journal》2006,28(3):389-392
In this letter, a laterally‐driven bistable electromagnetic microrelay is designed, fabricated, and tested. The proposed microrelay consists of a pair of arch‐shaped leaf springs, a shuttle, and a contact bar made from silicon, low temperature oxide (LTO), and gold composite materials. Silicon‐on‐insulator wafers are used for electrical isolation and releasing of the moving microstructures. The high‐aspect‐ratio microstructures are fabricated using a deep reactive ion etching (DRIE) process. The tandem‐typed leaf springs with a silicon/gold composite layer enhance the mechanical performances while reducing the electrical resistance. A permanent magnet is attached at the bottom of the silicon substrate, resulting in the generation of an external magnetic field in the direction vertical to the surface of the silicon substrate. The leaf springs show bistable characteristics. The resistance of the pair of leaf springs was 7.5 Ω, and the contact resistance was 7.7 Ω. The relay was operated at ±0.12 V. 相似文献