铌酸锂声表面波器件性能的改进

制作在铌酸锂(LiNbO_3)上的许多声表面波(SAW)器件都有会恶化器件性能的机械损伤,它由SAW图案中各种金属区之间的电场造成。本文讨论了这种电场形成的原因,并指出,用高阻值金属链连接金属化区可消除这个问题。     

电波传播

Y2000-62004-57 0007695铌酸锂中 10GHz 声表面波的产生、传播与衰减=Gen-eration,propagation,and attenuation of 10GHz rangeSAW in LiNbO_3[会,英]/Yamanouchi,K.//Proceed-ings of 1998 IEEE Ultrasonics Symposium,Vol.1.—57～62(Z)     

声表面波器件的工艺技术

本文讨论工艺技术,以声表面波器件用的微米和亚微米线宽的叉指电极为议题,概括了国外声表面波器件工艺技术的现状,从声表面波器件实际需要的角度分析了曝光系统、制版方法、实用光刻胶、多层掩模、无机光刻胶、干法刻蚀技术、铌酸锂的刻蚀技术及干法显影等问题,评述了发展声表面波器件的工艺技术途径。     

声表滤波器热释电效应的研究

该文分析了热释电效应产生的机理,极化强度与温度变化的关系,进而分析了钽酸锂和铌酸锂的热释电效应,这两种材料是制作声表面波滤波器的基片材料。取3只128°铌酸锂白片样品数进行试验,当温度变化时,热释电效应引起静电放电一般约为6V,但有1只器件在温度变化到-50℃左右时,会出现振荡波形峰-峰值约在25V的最大波形,这些静电会对声表面波器件本身或后级电路造成严重影响。通过分析静电放电失效模式,提出了器件防静电的方法。最后,验证了声表面波滤波器使用还原基片用于防静电的方案。     

声表面波速度的计算

石英和铌酸锂晶体具有优良的压电性能,常用来制作声表面波(SAW)器件(如延迟线、滤波器、振荡器、卷积器、声光器件等)的基底.该文推导表面波晶体声学基本方程和表面波力学边界条件方程,使用一种新的计算表面波声速的循环迭代法,分别对石英、铌酸锂2种晶体,在最佳的退耦声弧矢面,即yz平面内,系统计算沿不同方向的声表面波速度,并绘制出倒速度曲线.     

用于集成光迥路的平面声-光调制器改进后的性能

本设计讨论了利用在钛扩散铌酸锂波导中传播的制导光波与声表面波的互作用所制作的高效率声-光调制器.配经表明,利用弯曲的声表面波换能器将声束聚焦可以获得高效率的调制器.     

声表面波速度的测量方法

组装了一套脉冲回波重叠法系统,测量了铌酸锂、钽酸锂,锗酸铋等晶体的声表面波延迟时间,声速,机电耦合系数和温度系数。在30兆赫的声同步频率下,测时精度达0.6毫微秒,用本文样品测量声表面波速度的相对误差最大值不超过5×10~(-4)。     

压电晶体切向对声表面波陀螺刻度因子的影响

刻度因子是陀螺的重要指标,而压电晶体切向对声表面波(SAW)陀螺刻度因子有重要影响。首先以铌酸锂作为分析声波波传特性的基板材料,建立不同的波传角度和不同的切面与各种模态SAW波速的物理数学模型,接着探讨旋转扰动时二次旋转欧拉角与X切、Y切及Z切等铌酸锂晶体中的陀螺效应,分析不同切向刻度因子的变化规律。根据计算结果,铌酸锂晶体中X切Y传(XY)、128°Y切X传(128°YX)、30°ZX、ZX和150°ZX对应的声表面波陀螺刻度因子最大,同时也得出了适合应用于声表面波陀螺的相对敏感切向为声表面波波速接近于慢横波时对应的切向。     

铌酸锂芯片上的太赫兹集成和时空超分辨成像

飞秒激光与铁电晶体铌酸锂作用可以激发出太赫兹波段的声子极化激元。当铌酸锂的厚度减小至亚波长量级时,晶片就成为一个将太赫兹波产生、传输、调控、探测、与物质或微结构相互作用等过程集于一体的集成化芯片,为太赫兹波的研究和应用提供了平台。同时,利用时空超分辨成像技术可以对芯片中太赫兹波的传输以及与微结构作用过程进行可视化和定量分析。回顾了一些基于铌酸锂芯片的工作,比如太赫兹波传输特性的研究、频率可调谐太赫兹波源的产生、微结构对太赫兹波的调控等,这些工作说明亚波长铌酸锂芯片是一个很有前途的太赫兹集成器件。     

高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究

论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2 μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波（SAW）器件生产要求,同时降低了化学品、去离子水的消耗量及对环境的污染。     

用于光纤陀螺的LiNbO3集成光学器件

本文报道用于光纤陀螺(FOG)的LiNbO_3集成光学(IO)器件及其技术。介绍制作LiNbO_3波导的扩散和质子交换两种技术,叙述了国内外近年研制和生产的FOG用多功能集成光学芯片及LiNbO_3相位调制器,给出了它们的结构、性能和封装(光纤耦合)技术。对国内外发展状况的综述表明,在这个技术领域,国内研制的器件的性能,已接近国外80年代末的水平。     

半导体器件和集成电路封装的发展趋势

随着表面安装技术(SMT)的迅速发展,电子元器件正在朝着片式化、编带化方面发展。本文仅就表面安装器件(SMD)及IC封装的目前状况以及涉及到的封装的新工艺、新材料的未来发展作了详细报导。尤其对高可靠、高密度多层陶瓷封装技术以及新型陶瓷材料作了详细评述,并对今后我所封装方面的研制、开发工作提出了建议和设想。     

镀金引线SMD焊接工艺方法探讨

随着武器系统高可靠性要求的不断加强和国产电子元器件基础水平的不断提高,越来越多的陶瓷封装军用SMD开始应用于型号产品。该类器件的引线多采用镀金工艺,焊接时必须进行除金处理。用四种焊接工艺方法对镀金引脚器件焊接,对比分析器件焊点的焊接质量,得出镀金引脚器件最佳焊接工艺方法。     

基于LTCC技术的表贴式封装SAWF

提出一种基于低温共烧结陶瓷(LTCC)技术的封装形式,将声表面波滤波器(SAWF)做成表面贴装器件(SMD).该封装结构可实现SAWF基片表面上方2个换能器间的隔离,提高SAWF的阻带抑制,其器件适合于高密度组装,进而可演变成SAWF集成在电路模块的LTCC多层电路板上,即直接将SAWF的裸基片掩埋在LTCC多层电路板内,实现器件—电路—体化.     

SMT中的先进微电子封装技术概况

微电子封装中的SMD是SMT三大要素的基础,而IC封装,又是SMD的基础与核心.概览SMT中的先进微电子封装技术,重点介绍BGA、CSP、FC及MCM等先进封装及需要关注的问题.     

基于陶瓷微热板的高温气体传感器研究

针对目前商用陶瓷气体传感器功耗大、封装困难等缺点,提出一种陶瓷微加工微热板式气体传感器的结构和无内引线封装的方式。通过光刻剥离的方法,在氧化铝陶瓷基底上制作出Pt微加热器及接触电极。采用激光微细加工技术,制作出不同结构参数的陶瓷微热板器件。从温度同加热功率的关系、热响应时间和微加热器稳定性等方面对微热板进行了测试和评价...     

一种环氧树脂封装方法

全陶瓷器件的封装大多采用环氧树脂进行密封,而对批量生产的器件来说,必须在保证封装气密性的同时又能高效地操作。文中介绍了一种封装实例,选用室温为固态、90℃以上为液态的环氧树脂,在管帽上先涂敷环氧树脂,设计了一套特种夹具,采用加压固化法保证封装器件的气密性,实现了全陶瓷器件封装的批量生产。     

离子注入铌酸锂平面波导双折射特性的研究

为了获得折射率信息,采用UT00-FPD型椭偏仪对5mm×10mm×1mm铌酸锂晶体及注入镓的铌酸锂晶体波导的双折射特性进行了测量.首先对铌酸锂晶体测量结果进行建模及数据处理,得到晶体在190nm～1700nm之间的双折射特性;在此模型的基础上,进一步对注入镓的铌酸锂晶体波导进行了建模和数据处理,得到了波导层的双折射率的分布.所得表征结果为铌酸锂晶体波导在光子器件中的应用提供了有用的信息.     

微电子封装技术在对SMT促进中的作用

SMD是SMT的三要素之一,并为SMT的基础;而微电子封装技术,特别是先进IC封装技术又是SMD的基础与核心,并深刻地影响着SMT其它要素--SMT设备和SMT工艺技术的发展与提高,从而推动SMT向更高层次发展。重点论述了微电子封装技术,特别是先进IC封装技术对SMT的挑战与推动。     

微电子封装技术对SMT的促进作用

SMD是SMT的三要素之一,并为SMT的基础;而微电子封装技术,特别是先进IC封装技术又是SMD的基础与核心,并深刻地影响着SMT其它要素--SMT设备和SMT工艺技术的发展与提高,从而推动SMT向更高层次发展.这一期重点论述微电子封装技术,特别是先进IC封装技术对SMT的挑战与推动.