半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据。     

半导体激光器的输出模谱

利用半导体激光器多模速率方程组的隐式解析解，考虑到实际激光器的峰值增益波长与峰值谐振波长往往不一致的情况，从理论上对不同电流下半导体激光器的输出模谱进行了研究。     

优化反射率以增强半导体激光器输出功率

在考虑了俄歇效应的情况下，用行波速率方程组研究了半导体激光器的输出功率与端面反射率的关系。给出了在不同偏置电流下使激光器输出端输出功率最大所需要的端面反射率。利用主动监控法在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器端面上完成了这种功率增强膜的镀制，在所选择的６０ｍＡ工作电流处，镀膜后激光器的输出功率增加了１３０％。     

一种固体软启动开关控制电路

给出了一种固体软启动开关控制电路,用于控制通过与非线性负载町耦合的半导体开关元件的峰值电流。     

吸收区偏置对稳半导体激光器输出特性的影响

文章从两段式吸收型双稳半导体激光器的速率方程组出发，数字模拟了在不同的吸收区偏置下，ＴＡＢＬ的输出功率、输出波长和输出电流环宽度等重要特性的变化，并对获得的结果进行了分析。     

吸收区偏置对双稳半导体激光器输出特性的影响

文章从两段式吸收型双稳半导体激光器（ＴＡＢＬ）的速率方程组出发，数字模拟了在不同的吸收区偏置下，ＴＡＢＬ的输出功率、输出波长和输出电流环宽度等重要特性的变化，并对获得的结果进行了分析。     

大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制

研制了一种大电流、窄脉宽的半导体激光器驱动电源,该驱动电源激励半导体激光器用于驱动砷化镓光导开关。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关,为半导体激光器提供一个前沿快(1.2 ns)、脉宽窄(15 ns)、峰值电流大(72 A)的脉冲驱动电流,并可根据需要调节电路中的参数,获得不同前沿、不同脉宽、不同峰值的电流脉冲。半导体激光器输出的激光脉冲功率可达75 W,上升前沿约3 ns,抖动均方根小于200 ps,可稳定触发工作在非线性模式下的砷化镓光导开关。     

由输出光脉冲选择半导体激光器泵浦电流

从实践的需要出发,用速率方程组探讨了如何选择半导体激光器的泵浦电流以产生预先设定的光脉冲,并以高斯、整形等形状的光脉冲为例,推导了所需泵浦电流的解析表达式。     

特种快速大功率半导体切断开关的研制

介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果.面积为0.28 cm2的开关(59只串联)在300 Hz连续工作模式中,切断电流为1.9 kA,电流切断时间为9.56 ns;在1 000 Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73 kA,电流切断时间为10.86 ns;在负载为470 Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270 kV,宽度约为10 ns.     

半导体功率器件开关特性测试仪

本文介绍一种实用的半导体功率器件开关特性测试仪，其最高测试电压为１ ０００Ｖ，最大测试电流为２．５Ａ７００Ｖ。     

大功率XeCl准分子激光器放电开关的实验研究

本文报道了一台输出功率大于100W、重复频率达300Hz的XeCl准分子激光器的放电开关系统进行实验结果，比较了激励电路放电开关系统中带磁开关和无磁开关两种情况下闸流管的动态放电参数，证明了带磁开关的开关系统有利于激光器高重复频率工作和大功率输出。     

Design and performance analysis of double-gate MOSFET over single-gate MOSFET for RF switch

In this paper, we have designed a double-gate MOSFET and compared its performance parameters with the single-gate MOSFET as RF CMOS switch, particularly the double-pole four-throw (DP4T) switch, for the wireless telecommunication systems. A double-gate radio-frequency complementary metal-oxide-semiconductor (DG RF CMOS) switch operating at the frequency of microwave range is investigated. This RF switch is capable to select the data streams from antennas for both the transmitting and receiving processes. We emphasize on the basics of the circuit elements (such as drain current, threshold voltage, resonant frequency, resistances at switch ON condition, capacitances, and switching speed) required for the integrated circuit of the radio frequency sub-system of the DG RF CMOS switch and the role of these basic circuit elements are also discussed. These properties presented in the switches due to the double-gate MOSFET and single-gate MOSFET have been discussed.     

±60 kV三电极场畸变气体开关静态特性研究

在高功率脉冲Marx发生器中,气体开关具有连接储能器件与负载作用。文中为一种高能量输出、高频Marx发生器,设计了一种三电极场畸变气体开关。开关电极采用同轴结构,具有体积小、放电电流大和工作电压范围宽等优点;通过实验对不同气压和电极间距下场畸变气体开关电极静态特性进行了测试,实验结果表明,场畸变气体开关自击穿电压随SF6气压的增长从线性增长到非线性增长;工作电压范围随场畸变气体开关两主电极之间距离的增大而增大,最终趋于平缓;击穿电流和电压的分散性都随着工作气压的增大而增大。     

准分子激光电源磁脉冲压缩开关的磁芯复位研究

为了解决高重复率下准分子激光电源磁脉冲压缩开关的磁芯复位问题,以理论分析为指导,结合磁开关工作特性,设计了一种磁芯精确复位电路,该电路可快速精确复位饱和后的磁开关。将此复位系统应用于准分子激光器脉冲电源测试其性能,复位电流在磁开关饱和后200μs内平息振荡。结果表明,这一磁芯复位系统可满足4kHz重复率下脉冲电源的复位要求。此研究对今后高重复率准分子激光电源的设计是有帮助的。     

40 Gb/s超快非线性干涉仪的实验分析

全光非线性开关是全光3R再生的关键技术。在对一种全光开关[超快非线性干涉仪(UNI）]的传输函数进行分析后，得到了超快非线性干涉仪窗口的数学描述。在此基础上通过实验得到了40Gb／s的全光开关。并结合实验条件，具体分析了影响超快非线性干涉仪开关窗口的几个因素：增加半导体光放大器(SOA)的注入电流，增大控制脉冲的平均功率和调节连续光功率到最佳值。都能有效地改善输出窗口的形状和消光比，并对这种现象在理论上进行了初步分析。可以利用上述结论指导超快非线性干涉仪实验，从而使超快非线性干涉仪系统得到最大程度的优化。     

直流开关电源的欠压浪涌抑制技术

针对开关电源在欠压浪涌中存在的诸多问题,分析了瞬态欠压浪涌的工作机理、抑制方法,以及由此引起的负载端启动电流或浪涌电压的处理思路,给出了处理直流开关电源欠压浪涌的合理解决方案。     

砷化镓0.5μm PHEMT开关标准工艺研究

采用PCM技术对砷化镓0.5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成品率逐步提升;同时采用REM技术对该工艺制作的PHEMT开关器件、无源元件进行可靠性的预先估计,实现了对该标准工艺的可靠性评估。研究数据表明,砷化镓0.5μmPHEMT开关标准工艺PCM成品率达到90%,开发的单片开关和衰减器成品率不低于80%;砷化镓单片开关在最高工作温度85°C、置信度90%下失效率λ小于400Fit,完全满足产品的使用要求。     

毛细管放电装置主开关结构对产生软X射线激光的影响

流过毛细管的电流,将直接影响箍缩过程中等离子体的状态,进而影响软X射线激光的产生。由于主开关的导通电感将影响电流波形,因此提出了使用不同结构的主开关电极来改变毛细管电流波形的方案,以寻找最适合毛细管放电软X射线激光产生的电流波形。实验用三种不同结构的主开关电极,观察了主开关导通电感的改变及其对电流波形的幅值和脉宽的影响。根据导通电感的估算结果,利用脉冲功率理论,计算了电流幅值和脉宽的改变情况,并与实验结果进行了比较。实验观察了电流波形的改变对软X射线激光尖峰信号的影响。实验结果表明,放电间隙为3 cm的圆环-圆盘型主开关最适合软X射线激光的输出。     

光控阵列实验系统用光开关及OTTD的设计

介绍和分析了实验系统的OTTD中采用的光开关及其性能特点;设计了一种结构简单、高速响应、大电流、低能耗的光开关驱动电路;研究了OTTD的结构与设计,包括OTTD的网络构架设计、延时位数、光开关个数的确定,以及时延光纤的时延值设计,并通过理论计算和计算机仿真了离散时延开关网络对光控阵列扫描波束的个数和位置的影响;最后给出了时延测试典型值。     

准分子激光器脉冲磁压缩开关的设计分析

本文从理论上详细分析了高功率准分子激光器中脉冲磁压缩开关的工作机理,并在此基础上归纳出脉冲磁压缩开关的设计原则,对实际应用有一定的参考价值.