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文章简单介绍校准件端口尺寸的测量方法,主要分析了影响其测量不确定度的各个因素,并对引入的测量不确定度的各分量进行评定,给出完整的端口尺寸的测量结果。 相似文献
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介绍了一种工作在60 GHz频率的具有输出端口间高隔离和全端口匹配特性的小型化变压器巴伦芯片,该芯片采用0.18-μm锗硅BiCMOS工艺设计并加工。通过在60 GHz变压器巴伦的输出端口之间引入隔离电路,提高巴伦的隔离度性能并改善输出端口匹配性能;在此基础上,提出了一种基于左手材料传输线的隔离电路,能大大改善传统隔离电路中分布式传输线尺寸大的问题;为了进一步实现巴伦的小型化,在设计中采用了负载电容补偿技术,同时能改善变压器巴伦输入端口的匹配性能。设计的巴伦芯片经过电磁场仿真,其结果与在片测试结果有较高的一致性,验证了提出的设计方法,设计的巴伦芯片具有全端口匹配和输出端口间高隔离度的特性。基于实测结果,在60 GHz频率处,设计的巴伦芯片实现了超过25 dB的输出端口隔离度和优于18 dB的输出端口回波损耗,且占用尺寸极小,仅为0.022 mm2。 相似文献
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对水平/垂直极化波模式进行分析,并基于分析设计了一种双频段正交模耦合器。对一个正交模耦合器来说,各个端口的端口匹配和隔离尤为重要,引入模式正交的极化隔离能增加隔离效果。改变金属膜片的尺寸与位置,能够使得正交模耦合器中端口R5.75所输入的水平极化波从端口WR42匹配输出,而不影响端口R5.75所输入的垂直极化波。增加圆波导至波导WR28之间的匹配段,能够匹配加入膜片之后正交模耦合器的垂直极化波的输出。基于上述分析,设计了一种双频段正交模耦合器。 相似文献
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针对电磁感应加热在数据线端口焊接中的应用,针对该模型进行了有限元仿真研究,分析了在交变磁场中金属导线上的磁场分布、涡流分布和功率损耗。结果表明,在该尺寸模型中所产生均匀分布的交变磁场,能使得实例中的19根数据端口导线上涡流损耗分布均匀,有利于提高焊接工作的加工质量和效率。 相似文献
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应用CCD的钢管内径检测仪 总被引:1,自引:0,他引:1
应用CCD的钢管内径检测仪马宏(长春光机学院光电工程系,长春130022)在钢铁工业中,为了保证产品质量,提高生产效率,降低成本,不仅需要经常检测钢管的外径,有时还需要检测钢管的内径。本文介绍了一种应用CCD(电荷耦合器件)测量钢管内径的光电尺寸检测... 相似文献
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在天线的设计过程中,天线表面的电流分布将对天线的性能产生重要影响。本文介绍了一种双圆柱体结构全向天线阵列的表面电流及等效端口导纳矩阵的计算方法,根据这个算法,本文计算了在一定物理尺寸下该天线阵列的电流分布和端口导纳矩阵。数值计算显示这种算法是可行的,结果是令人满意的。 相似文献
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双圆柱体结构天线阵列的电流计算方法 总被引:1,自引:0,他引:1
在天线的设计过程中,天线表面的电流分布将对天线的性能产生重要影响。本文介绍了一种双圆柱体结构全向天线阵列的表面电流及等效端口导纳矩阵的计算方法,根据这个算法,本文计算了在一定物理尺寸下该天线阵列的电流分布和端口导纳矩阵。数值计算显示这种算法是可行的,结果是令人满意的。 相似文献
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金属网的无源互调(PIM)是大功率星载网状天线的一项重要性能参数。传统的金属网无源互调测试主要采用空间辐射法,但空间辐射法需要的金属网样件尺寸大,测试效率低。对此,提出一种基于三端口模块波导测试系统的金属网无源互调性能测试方法。为验证测试方法的有效性,搭建了基于三端口模块的金属网PIM性能测试系统,并对传统型和改进型2个金属网样件进行了PIM性能测试。测试结果表明,改进后的金属网PIM性能提升了50 dB以上。本文提出的金属网PIM性能测试方法使用的三端口测试系统集成度高,性能稳定,系统搭建效率高。相比传统的空间辐射测试法,本文方法的测试样件尺寸减小了一个数量级,为快速研究新型低PIM金属网提供了有力支持。 相似文献
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为提高微波腔体滤波器的设计效率,文中提出了一种基于多端口参数提取和空间映射法的滤波器快速设计
方法。通过添加额外内部端口提取腔体滤波器电磁模型的Y 参数,从而计算出耦合矩阵,再结合空间映射法将求解滤
波器理想尺寸问题转换为逼近理想耦合矩阵问题。最后设计并加工了一款四阶同轴腔体滤波器,在初值偏差很大的情
况下,经过四次迭代即可得到满足指标的滤波器物理尺寸,实物调试结果和仿真结果一致性良好,从而证明了文中方法
的快捷有效。 相似文献
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本文介绍了一种采用波导来实现的环形电桥的设计与实现方法。它是在基于微带环形电桥的奇偶模分析的基
础上,用矩形波导代替微带线,实现了Q 波段的环形电桥,环路电桥的输入输出端口均为BJ400 波导。其中为了改
善输入端口的反射,在输入端口的不连续性处加入了一个销钉,销钉的尺寸由HFSS 优化仿真确定。实测结果得到,
在43-46GHz 范围内,环形电桥的反射小于-20dB,输出端口的传输系数均大于-3.4dB,隔离度大于20dB。从测量结
果可以看出,与微带线的实现方式相比,波导环形电桥具有更小的传输损耗。 相似文献
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为获得非单一辐射方向图,设计辐射电长度为3倍波长的同轴辐射天线。应用电磁场有限元分析方法分析天线与物料耦合时端口驻波比,确定同轴辐射天线内导体尺寸为479 mm,辐射天线端口驻波比不高于1.6;2.45 GHz时辐射天线效率高达95%。应用多物理场分析方法研究了热变形的天线端口驻波比变化情况,结果表明聚四氟乙烯护套最高温度为126℃时轴向最大变形量为0.1 mm,径向最大变形量为0.05 mm,辐射天线端口驻波比变换量不超过0.65%,该变化量在可接受范围内。对加工完成的天线应用物料水进行实测,三根天线的端口驻波比不高于1.54,大功率测试结果显示,三根天线满足基本使用要求。 相似文献
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针对氮化镓大功率放大器,由于传统1/4λ枝节线的电桥互耦造成放大器的直流自激和低频自激,在传统1/4λ传输枝节的Wilkinson电桥的基础上,结合氮化镓器件尺寸,设计出以3/4λ传输枝节的Wilkinson电桥为功率分配器/合成器。其输出端口尺寸为27.2mm。在8GHz~9GHz内,插入损耗<1dB,输出端口隔离度>14dB,端口回波损耗>9dB。利用实验室自制的SiC材料衬底的2.5mm栅宽GaN HEMT器件为放大单元,设计完成了两路合成放大器,在8GHz连续波条件下,放大器饱和输出功率为41.46dBm,合成效率为82.3%。通过分析发现,放大器合成效率的下降主要是由每路放大单元特性不一致和功率合成网络损耗所造成的。 相似文献