超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究

理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明：边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流.     

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.     

对数型凸度圆柱滚子超精研导辊工艺适应性研究

本文研究了对数型凸度圆柱滚子超精研导辊工艺适应性问题:(1)建立了两导辊间流动的圆柱滚子中心轨迹方程;(2)建立了导辊的母线及其轨迹的函数表达式。据此编程,可算出按一种规格圆柱滚子设计的导辊超精加工其他滚子所产生的误差。     

平面连轩机构动态参数的计算机辅助测试装置的研究

针对误差对平面连轩机构运动特性及动力学特性的影响，采用先进的计算机辅助测试技术、传感技术、数据处理及输入输出技术，研制了一种集曲柄滑块和曲柄摇杆的运动学参数、动力学参数及速度波动为一体的测试装置。实践表明该实验装置具有功能强大、人机界面友好、使用方便等优点。     

视窗95下的多能压缩工具MicroHelp Zip

MicroHelp Zip for Win- dows 95（以下简称Zip 95）是MicroHelp Inc.公司继Uninstaller for Windows系列之后新推出的又一优秀的基于Win 95环境的文档压缩工具。通过它,用户可方便的实现文档的压缩打包、扩展压缩包、为压缩包增加新文件、创建自扩展压缩包、创建文件或驱动器的备份等功能。Zip 95全面支持Win 95的网络协议,并通过     

一种机械故障监测的信息融合

在叶片振动故障监测过程中，单传感器的间断相位法只能测得叶片振幅值信息，本文应用两个传感器的信息融合技术，通过多源信息的综合、分析和推理，得出了叶片振动频率信息，提高了传感器系统的有效性，消除了单个传感器的局限性。     

嵌入式SRAM的优化修复方法及应用

为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性.将优化的SRAM64K×32应用到SoC中,并对SRAM64K×32 的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片, 芯片面积为5.6mm×5.6mm, 功耗为1997mW.测试结果表明:优化的SRAM64K×32 在每个晶圆上的成品率提高了9.267%,功耗降低了17.301%.     

X 波段氮化镓合成固态放大器

Based on a self-developed A1GaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate, an X-band GaN combined solid-state power amplifier module is fabricated. The module consists of an AIGaN/GaN HEMT, Wilkinson power couplers, DC-bias circuit and microstrip line. For each amplifier, we use a bipolar DC power source. Special RC networks at the input and output and a resistor between the DC power source and the gate of the transistor at the input are used for cancellation of self-oscillation and crosstalk of low-frequency of each amplifier. At the same time, branches of length 3λ/4 for Wilkinson power couplers are designed for the elimination of self-oscillation of the two amplifiers. Microstrip stub lines are used for input matching and output matching. Under Vds = 27 V, Vgs = -4.0 V, CW operating conditions at 8 GHz, the amplifier module exhibits a line gain of 5.6 dB with power added efficiency of 23.4%, and output power of 41.46 dBm （14 W）, and the power gain compression is 3 dB. Between 8 and 8.5 GHz, the variation of output power is less than 1.5 dB.     

X波段四路合成氮化镓功率放大器

本文利用自主研制的SiC 衬底的,栅宽为2.5mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了X波段氮化镓合成固态放大器模块。模块由AlGaN/GaN HEMT器件,Wilkinson功率合成/分配器,偏置电路和微带匹配电路构成。为了使放大器稳定,在每一路放大器的输入端和输出端加入了RC 稳定网络,在栅极和直流输入之间加上稳定电阻,并且利用3/4 λ 枝接的威尔金森功率合成/分配器,从而有效消除其自激和低频串扰问题。在连续波条件下(直流偏置电压为Vds=27V,Vgs=-4.0V),放大器在8GHz频率下线性增益为5dB,最大效率为17.9%,输出功率最大可为42.93dBm,此时放大器增益压缩为3dB。四路合成放大器的合成效率是67.5%。通过分析,发现了放大器合成效率的下降是由每路放大器特性的不一致、功率合成网络的损耗以及电路制造误差所造成。     

多径传播环境下的无源UHF RFID系统电波传播模型

针对自由空间模型在预测射频识别系统识别距离时存在的偏差,综合考虑射频识别系统应用的多径传播环境,建立一种无源超高频射频识别系统电波传播模型,并重点分析了前向链路路径损耗的主要影响因素及其计算方法。基于该电波传播模型,探索性地提出实际环境下的无源超高频射频识别应用模拟思路。仿真和测量结果表明,该模型在预测无源超高频射频识别系统识别距离时更为准确。