集成区含阶梯缓变InGaAsP层的具有超高fmax,fT的双异质结双极晶体管

本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉｃ和集电极－发射极间电压ＶＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高频性能。结果表明，减小发射极宽度比减小其长度能更有效地提高ｆｍａｘ，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超高的ｆｍａｘ和ｆＴ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆｍａｘ的增加归结为基区电阻和降低了     

集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f＿（max）、f＿T的双异质结双极晶体管

本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉ＿ｃ和集电极－发射极问电压Ｖ＿ＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高性能。结果表明，减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉ＿ｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超出超高的ｆ＿（ｍａｘ）和ｆ＿Ｔ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）的增加归结为基区电阻和降低了的Ｂｃ结电容乘积的降低。     

AlGaAs／GaAs HBT表面效应的二维数值分析

采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ中外基区表面复合的集边效应，即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近，与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合，提高电流增益。     

Npn型HBT准中性均匀基区的HHTM一维解析模型

从异质结构流体动力学模型方程（ＨＨＴＭ）出发，经适当近似，得到了Ｎｐｎ型ＨＢＴ准中性均匀基区饱和电流密度的解，定义了一个判别基区是否存在准弹道输运的判别因子─－弹道比ｒＢ，指出为了实现基区准弹道输运，应使ｒＢ《１．对（Ａｌ，Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓＮｐｎ型ＨＢＴ而言，这一条件意味着基区宽度Ｗａ《１００ｎｍ。因此为了实现准弹道基区输运，应将（Ａｌ，Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓＮｐｎ型ＨＢＴ的基区宽度从目前的５０～１００ｎｍ降低到３０ｎｍ以下。     

一种新型的双极功率器件—BST

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维电场解析解，可知深Ｐ＋多晶硅基区的引入对有源Ｐ基区产生明显的电场屏蔽效应，该基区屏蔽效应随Ｐ＋基区深入Ｎ－区中的深度Ｌ的增加以及相邻Ｐ＋基区间距２Ｄ的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应，使得ＢＳＴ的特征频率ｆＴ、电流增益ｈｆｅ和ＣＥ击穿电压ＢＶｃｅ０都较常规ＢＰＴ大为提高，较好地解决了常规ＢＰＴ中存在的主要矛盾。实验验证了理论分析的结果。     

重掺杂对硅锗基区带隙的影响

重掺杂对硅锗基区带隙的影响＝ＥｆｆｅｃｔｏｆｈｅａｖｙｄｏｐｉｎｇｏｎｂａｎｄｇａｐｉｎＳｉＧｅｂａｓｅｒｅｇｉｏｎｓ［刊，英］／Ｍａｎｎｉｎｇ，Ｂ．Ｍ．…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３，１１（３）．－１１９０～１１９２根据实验器...     

N型GaN的持续光电导

本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明,未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比,样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加,提高了ＧａＮ中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特     

2英寸高均匀性GaAs多层外延材料

用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时,Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小,迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ,发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变,Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．     

单片GaAs HBT p－i－n二极管可变增益放大器、衰减器和开关

单片ＧａＡｓ　ＨＢＴ　ｐ－ｉ－ｎ二极管可变增益放大器、衰减器和开关在ＧａＡｓＨＢＴ工艺中，人们可以用现有的材料层制作ｐ－ｉ－ｎ二极管，并可将其与ＨＢＴ集成在同一块单片上。ＨＢＴ器件结构的轻掺杂集电区层可用作ｐ－ｉ－ｎ的本征层；重掺杂基区和第二集电区可...     

MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究

采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Ｓｉ在ＧａＡｓ中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高Ⅴ／Ⅲ束流比可以抑制Ｓｉ的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于１０１２ｃｍ－３，７７Ｋ下迁移率大于１．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ的高纯、高迁移率ＧａＡｓ材料。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

fmax为66GHz的HBT

ｆｍａｘ为６６ＧＨｚ的ＨＢＴ最近Ｄ．Ｂ．Ｓｌａｔｅｒ等人报道了一种高ｆｍａｘ的ＰＮＰＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ。这种ＨＢＴ结构是用低压有机金属汽相外延技术生长的。其发射极帽层、梯度层、发射极层和下收集极层采用碳掺杂，而基区采用碲掺杂。他们通过采用薄...     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

低导通电压的收集极朝上的Ge／GaAs异质结双极晶体管

低导通电压的收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管日本ＮＴＴ研究所最近报道了一种收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管，这种晶体管能满足高频低功耗工作的要求。通过采用重掺杂Ｂ的Ｇｅ基区和新开发的自对准工艺，降低了基区电阻和寄生参量，其本征基区...     

GaAs的中子嬗变掺杂

文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程，并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果。     

Hole Mobility in Poly (N-vinylcarbazole) Thin Film Based on Silicium

ＨｏｌｅＭｏｂｉｌｉｔｙｉｎＰｏｌｙ（Ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）ＴｈｉｎＦｉｌｍＢａｓｅｄｏｎＳｉｌｉｃｉｕｍ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＷＡＮＧＸｉａｏｗｅｉ③，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂ．ｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅ...     

MBE System for Growth of Com pound Materials

ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅｉｍｐｏｒｔｅｄＭｏｄｕｌａｒＧｅｎⅡＭＢＥｓｙｓｔｅｍｒｅｖｅａｌｅｄｉｎｔｈｅｆｒｏｎｔｃｏｖｅｒｆｒｏｍＥＰＩＭＢＥＰｒｏｄｕｃｔｓＧｒｏｕｐｉｎ１９９５．Ｉｔｈａｓｃａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ７５ｍｍａｎｄ５０ｍｍⅢ－Ⅴｃｏｍｐｏｕｎｄｍａｔｅｒｉａｌｓ．ＧａＡｓ,ＡｌＧａＡｓ,ＩｎＧａＡｓ,ＩｎＡｌＡｓｌａｙｅｒｓｗｉｔｈｇｏｏｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓａｈｖｅｂｅｅｎｇｒｏｗｎ…     

Diffusion of Zinc in In_xGa_(1-x)As, InP and GaAs

ＤｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆＺｉｎｃｉｎＩｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ，ＩｎＰａｎｄＧａＡｓ￥ＺＨＵＡＮＧＷａｎｒｕ；ＺＯＵＺｈｅｎｇｚｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＦｅｎｇ；ＳＵＮＦｕｒｏｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉ...