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相似文献
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1.
纳米α-Al2O3/W复合粉体的制备   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了非均相沉淀法制备纳米α—Al2O3/W复合粉体的实验过程,以及纳米钨粉对α—Al2O3相转变温度的影响.结果表明:纳米钨粉的存在降低了α—Al2O3的相转变温度.本实验所制凝胶在1000℃真空中煅烧1h可获得平均粒径<50nm的α—Al2O3/W粉体.  相似文献   

2.
应用高温固相法合成了Na的多铝酸盐,并研究了Eu2+在体系中的发光性能.结果表明,Na1+xMgAl11-xO17体系在整个组成范围内保持Na的β-Al2O3结构不变,而对于Na1.67-2xBaxAl10.33O17体系,在x=0.30附近体系结构发生转变,x<0.30,体系形成Na的外β-Al2O3结构的固溶体,x>0.30,体系形成Ba的β-Al2O3结构的有序体;与体系组成和结构的变化相对应,Eu2+的发射能量和发光强度产生相应的变化,在Na的β-Al2O3中Eu2+存在高、低能两种发射中心;通过系列化研究,获得了新的组成的、具有β-Al2O3结构的荧光体Na0.67Ba0.50Mg0.67Al10.33O17:Eu2+,在较低的掺杂浓度(0.05mol)下可以产生较强的发光.  相似文献   

3.
Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO合成MgTiO3陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,XRD分析结果表明:没有添加Al2O3时,合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi2O5相;加入Al2O3后MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外,还出现了MgAl2O4相,这是由于Al2O3和 MgO发生固相反应.MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗.  相似文献   

4.
采用机械活化的3Ti/Si/2C/0.2Al单质粉体为原料,在空气中发生自燃反应,成功地合成了Ti3SiC2基材料. 采用XRD、SEM和EDS等手段,分析了合成产物的相组成和微观结构特征. 结果表明,机械合金化3Ti/Si/2C/0.2Al单质混合粉体,不仅细化了粉体颗粒,而且产生严重的晶格畸变,从而明显提高了粉体的反应活性. 把机械活化的粉体暴露在空气中,会发生剧烈的燃烧反应,并引发自蔓延反应,合成Ti3SiC2,冷却后变成多孔块体产物. 燃烧产物由Ti3SiC2、TiC和微量氧化物组成. 产物中Ti3SiC2含量约为83wt%. 产物表层比较致密和均匀,而内部则粗糙且多孔. 产物的表面是以Al2O3和TiO2为主相的氧化膜,氧化物颗粒大小约为2~4μm. 氧化膜厚度约为5~10μm,比较致密. 内部为Ti3SiC2和TiC材料,板条状Ti3SiC2晶粒长约20~40μm,宽约2~4μm,发育完善. 粒状TiC晶粒大小约为3μm.  相似文献   

5.
Al2O3含量对Al2O3/LiTaO3复合陶瓷介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用热压烧结法制备了Al2O3/LiTaO3 (ALT) 陶瓷复合材料, 研究了Al2O3不同体积含量(5vol%、10vol%、15vol%和20vol%)对LiTaO3压电陶瓷介电性能的影响. 结果表明:随着频率的增加, 不同Al2O3含量的ALT陶瓷复合材料的介电常数和介电损耗均降低, 但降低的幅度不同. 少量Al2O3(5vol%)的添加既能增大材料的介电常数同时又降低了材料的介电损耗, 但是随着Al2O3含量的继续增加, ALT陶瓷复合材料的介电常数和介电损耗都增大, 其居里温度先升高后降低. Al2O3作为第二相不但能促进LiTaO3陶瓷烧结致密,而且对ALT陶瓷复合材料的介电性能也有提高.  相似文献   

6.
TiN-Al2O3纳米复合材料的力学性能和导电性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
以纳米TiN和α-Al2O3粉体为原料,采用球磨混合法制备了纳米TiN-Al2O3复合粉体,通过热压烧结得到致密烧结体.研究了纳米TiN颗粒对Al2O3材料力学性能和导电性能的影响,实验结果表明:在Al2O3基体中加入15vol%TiN纳米颗粒时,Al2O3材料的弯曲强度和断裂韧性分别从370MPa和3.4MPa·m1/2提高到690MPa和5.1MPa·m1/2,随着TiN添加量的增加,复合材料的电阻率逐渐降低,在25vol%TiN时达到最低值(6.5×10-3Ω·cm).  相似文献   

7.
以Ni(NO3)6H2O、Al(NO3)3·9H2O、ZrOCl8H2O和Ce(NO3)6H2O为原料,采用共沉淀法分别制备了NiO/CeO2/γ-Al2O3和NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等方法对催化剂的组成结构进行表征.结果表明,煅烧温度高于600℃时,NiO/CeO2/γ-Al2O3催化剂中的NiO与γ-Al2O3载体发生作用,形成NiAl2O4尖晶石;而NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂中,NiO能够稳定存在,没有NiAl2O4尖晶石生成,且Al2O3与CeO2和ZrO2作用形成一种新的Zr0.30Ce0.45Al0.25O1.87固溶体.  相似文献   

8.
以沉淀法制备的纳米TiO2/Cr2O3复合粉体为原料,采用氨解法在800℃、氮化8h制备了纳米Ti0.8Cr0.2OxNy粉体。对纳米TiO2/Cr2O3复合粉体和合成的氧氮化物粉体用俄歇电子能谱(AES)、氮吸附比表面积(BET)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、电子探针显微分析(EPMA)等方法进行了表征。结果表明:沉淀法可以制备出组成均匀的纳米TiO2/Cr2O3复合粉体,该复合粉体在800℃氮化8h可得到粒度为20~30nm的纯立方相Ti0.8Cr0.2OxNy纳米粉体,其比表面积达4674m2/g。  相似文献   

9.
添加Y2O3-Dy2O3的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文探索了以自蔓延高温(SHS)法合成并经抗水化处理的AlN粉为原料,以Y2O3-Dy2O3作为助烧结剂的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构.结果表明,晶界处存在Dy4Al2O9、Y4Al2O9、DyAlO3、Dy2O3和DyN等第二相物质,随烧结温度变化,第二相的种类、数量和分布不同,显微结构也随之变化,从而影响AlN的热导率.在1850℃下,可获得热导率为148W/m·K的AlN陶瓷.  相似文献   

10.
以[AlO4Al12(OH)24(H2O) 127+(简写为Al13)溶液为铝源, 采取湿化学的方法合成尖晶石及尖晶石氧化锆复合粉体. 采用27Al NMR、DSC-TG、XRD和FTIR等研究前驱体结构、反应过程及微结构演变. 将氯化镁、氢氧化钠混合研磨后加入Al13溶液中, 得到由Mg6Al2CO3(OH)16·4H2O 和 β-Al(OH)3组成的前驱体, 经过600℃煅烧形成尖晶石, 更高温煅烧产物仍为尖晶石单相. 以Al13、MgCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O为原料制备的前驱体经600℃煅烧, 同样获得尖晶石和四方相氧化锆. Al13粉末和尖晶石氧化锆复合粉体的FTIR谱显示, 归属于[AlO6]的吸收谱带由608cm-1移至 601cm-1, 归属于 [AlO4] 的吸收谱带由761cm-1 移至 723cm-1. 前驱体中形成的AlOMg键合是以Al13为铝源合成尖晶石和尖晶石氧化锆复合粉体具有低温合成的主要原因.  相似文献   

11.
以磷酸、B4C、SiC和Al2O3粉料为原料, 采用一种新颖的水热法对炭/炭(C/C)复合材料基体进行了抗氧化改性. 重点研究了水热反应温度对改性试样的物相组成、微观结构及抗氧化性能的影响. 采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及X射线光电子能谱(XPS)对改性后试样进行了表征. 结果表明:经过水热改性处理, 炭/炭复合材料表面缺陷被玻璃相B2O3、HPO3和微晶Al(PO3)3所组成的涂层所覆盖, 材料的抗氧化性能明显提高; 抗氧化性能在120~200℃范围内随着水热改性温度的升高而提高; 在200℃水热改性后的炭/炭复合材料在700℃的空气中氧化10h后的质量损失仅为2.31%.  相似文献   

12.
SiC颗粒尺寸对Al2O3-SiC纳米复合陶瓷的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用非均相沉淀法制备含有不同粒径 Si C 颗粒的 Al-Si C 复合粉体, 粉体呈 Al 包裹 Si C 的形貌, 经热压烧结获得致密烧结体通过 S E M 观察, Al 基体晶粒尺寸随着加入 Si C 颗粒粒径的减小而减小但减小的趋势比 Zener 模型预测的弱力学性能随着加入 Si C 颗粒粒径的减小而得到改善, 这主要同 Si C 颗粒对基体的弱化作用减弱及基体粒径变小有关  相似文献   

13.
以化学共沉淀法制备的纳米TiO-Al复合粉体为原料,采用原位选择性氮化的方法制备了纳米TiN-Al复合粉体.应用化学热力学原理分析、计算了氮化反应的条件和机理,研究了氮化条件对氮化反应的影响.实验结果表明,氮化反应在700℃时开始进行,在900℃保温5h,氮化反应进行完全,TEM照片显示纳米TiN 颗粒均匀分布于Al3基体中,粒径为50~70um.  相似文献   

14.
固相反应法制备Nd:YAG透明陶瓷   总被引:13,自引:0,他引:13  
以Y(NO3)3和NH3·H2O为原料,并在Y(NO3)3溶液中添加少量(NH4)2SO4,采用沉淀法制备出化学组成为Y2(OH)5(NO3)·nH2O的先驱沉淀物.先驱沉淀物在1100℃下煅烧4h,得到了平均粒径为60nm的氧化钇原料粉体.Y2O3粉体与Al2O3、Nd2O3超细粉球磨混合后,采用固相反应工艺,经1700℃真空烧结5h,制备出透明的Nd:YAG陶瓷,同时对Nd:YAG透明陶瓷的光学性能进行了研究.  相似文献   

15.
非均相沉淀法制备Al2O3-YAG复相陶瓷   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文测量了YAG粉体的ξ电位,通过调节pH值获得均匀分散的YAG水悬浮液.采用非均相沉淀方法获得YAG分布均匀的Al-YAG复合粉体.通过热压烧结得到致密烧结体,YAG的加入对烧结温度的影响不大.Al-5vol%YAG复相陶瓷的抗弯强度为485MPa,断裂韧性为4.2MPa·m1/2,均高于单相Al陶瓷,数据的重复性好于球磨混合所制备的样品.通过TEM观察,YAG颗粒均匀分布于整个样品中,表明通过非均相沉淀制粉可以获得YAG颗粒分布均匀的Al-YAG复相陶瓷.  相似文献   

16.
以TiO2、Al、C(石墨)为原料,首先采用高能球磨引导铝热反应合成了Al2O3-TiC 纳米复合粉体,然后采用放电等离子体烧结纳米复合粉体制备了Al2O3-TiC复合材料.结果表明,在氩气氛围下高能球磨3h后,原料粉末就发生了铝热反应,合成的Al2O3-TiC复合粉体粒子尺寸大约在100nm左右.采用SPS技术在1450℃保温4min烧结的试样致密度达99.6%,并且结构精细(大部分晶粒<1μm),两相分布比较均匀,有较好的力学性能和电导性能,抗弯强度为650±21MPa.,硬度为19.1±0.2GPa,断裂韧性为4.5±0.2MPa·m1/2,电导率为2.3828×105Ω-1·m-1.  相似文献   

17.
Al2O3-SiO2复合膜的制备与结构表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
以异丙醇铝和正硅酸乙酯为主要原料,用溶胶-凝胶法制备无支撑体Al2O3-SiO2复合膜.应用XRD、DTA-TGA、IR、BET等测试手段对复合膜的物相组成、热稳定性、孔结构进行表征.并且讨论了化学组成和煅烧温度对复合膜孔结构的影响.研究结果表明:550℃煅烧10h的复合膜物相组成为无定形的SiO2和γ-Al2O3晶体,粒度大小在2-4nm之间,化学组成为Al2O3/SiO2=3:2的复合膜在不同煅烧温度时,400℃煅烧的物相为γ-AlOOH和,γ-Al2O3,550-1150℃煅烧的物相为γ-Al2O3,1220℃煅烧的物相为γ-Al2O3和α-Al2O3,1300℃煅烧的物相为莫来石相和α-Al2O3;化学组成不同的复合膜主要是由Al-O网络和Si-O网络构成,没有形成Al-O-Si网络结构;复合膜具有良好的热稳定性;化学组成和煅烧温度对复合膜的孔结构有一定的影响.  相似文献   

18.
采用不含有机模板剂的晶化液在平均孔径为2μm的多孔α-Al2O3管上合成了ZSM-5 沸石膜.纳米ZSM-5沸石晶种的摩尔组成为9TPAOH:25TEOS:0.25 Al2O3:480H2O.多孔α-Al2O3载体管外表面用这些粒度为100nm左右的晶种悬浮液浸涂、干燥后,依据纳米ZSM-5 沸石晶种的DTA/TG进行煅烧,在不含有机模板剂的摩尔组成为67Na2O:Al2O3:240SiO2: 6000H2O晶化液中合成了ZSM-5膜.XRD确定膜晶体为ZSM-5沸石,SEM表明沸石膜无缺陷,膜厚度约为8μm.制备的ZSM-5沸石膜H2的渗透率为1.50×10-6mol·m2·s-1·Pa-1,理想分离因数αH/N2为3.85左右.  相似文献   

19.
用高纯Al粉体和Y2O3粉体(Al-Y2O3粉体)为原料采用固相反应法制备了YAG陶瓷. Al-Y2O3粉体高能经过球磨, 煅烧生成YAG粉体, 再真空烧结制备高致密YAG陶瓷. 采用DTA-TG对球磨Al-Y2O3粉体进行分析, 采用XRD、SEM对球磨的Al-Y2O3粉体、YAG粉体及YAG陶瓷进行了表征. 实验表明: Al-Y2O3粉体在~569℃时, Al粉强烈氧化, 并与Y2O3粉反应, 600℃煅烧出现YAM相, 随煅烧温度升高出现YAP相, 1200℃煅烧生成YAG粉体. 成型YAG素坯在1750℃保温2h真空烧结出YAG相陶瓷, YAG陶瓷相对密度可达98.6%, 晶粒生长均匀, 晶粒尺寸为810μm.  相似文献   

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