激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

含La或Sm的BaNd_(2-y)R_yTi_(4+x)O_(12+2x)瓷的结构与性能

ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷,ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明,其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２,均属斜方晶系,并存在少量的次晶相Ｒ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０等。富钛区ＢａＮｄ２Ｔｉ４＋ｘＯ１２＋２ｘ（ｘ＝０～１．４００）组分和含Ｌａ或Ｓｍ的ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４组分所组成的瓷料,介质损耗显著地降低,介电常数和电容温度系数遵从李赫涅德凯对数混合定律。     

(Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷A位二价金属离子取代的研究

主要研究了用Ｂａ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｃａ＾２＋对钙钛矿结构（ＡＢＯ３）的无铅压电陶瓷（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３（ＮＢＴ）的Ａ位进行部分取代后材料的介电、压电性能。实验表明,Ａ位Ｂａ＾２＋取代使ＮＢＴ的介电系数有明显的增大,而Ｓｒ＾２＋、Ｃａ＾２＋对ＮＢＴ的介电系数影响不大。而３种离子Ａ位的取代,都使ＮＢＴ的高矫顽电场有了大幅度的降低,其中以Ｂａ＾２＋的效果最为明显（２．５～２．０ｋＶ／ｍｍ）     

GaAs／SrTiO3MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究

利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了ＧａＡｓ／ＳｒＴｉＯ３外延单晶薄膜样品,研究了这种新型异结构的晶格振动光学特性。实验结果表明：在钙钛矿型结构的ＳｒＴｉＯ３衬底上外延生长的ＧａＡｓ薄膜具有单晶结构,有与ＧａＡｓ单晶体材料相同的晶格振动特性。     

SiO2对SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质的影响

对ＳｉＯ２掺杂的ＳｎＯ２．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻非线性电学性质进行了研究,并对其微观结构进行了电镜扫描,且对其晶界势垒高度进行了测量,实验表明ｘ（ＳｉＯ２）＝０．３％掺杂的ＳｎＯ．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻的非线性系数ａ高达３０,并且具有最高的击穿电场（３７５Ｖ／ｍｍ）。采用Ｇｕｐｔａ－Ｃａｒｌｓｏｎ缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随ＳｉＯ２的添加而变大的现象进行了理论解释。     

气相扩镓的杂质Rs效应分析

在确定的开管扩镓装置中，以氢气做为镓源Ｇａ２Ｏ３的反应和输运气体，凭借准确的控制扩散条件，镓在ＳｉＯ２／Ｓｉ系统中扩散，可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Ｓｉ和ＳｉＯ２中扩散行为，分析讨论了镓在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩散所产生的杂质Ｒｓ效应，及其氧化膜质量和厚度对Ｒｓ的影响。     

Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究

利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３     

硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究

分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。     

掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

硅酸镓镧晶体电光调制器

用新型非线性材料硅酸镓镧(LGS)晶体制作了电光调制器,研究了单晶硅酸镓镧晶体的电光效应。利用极值法和倍频法测定了硅酸镓镧晶体的半波电压值,计算出电光系数γ11分别为1.85pm/V和1.90pm/V,对比发现倍频法比极值法实用、快速、方便。测定了在0.3～0.6328μm波长内硅酸镓镧单晶的旋光率为21.1°～2.6°/mm。利用自制的高压调制电源进行了调制实验,实验结果表明:有旋光性非线性材料硅酸镓镧晶体是一种新型电光晶体,可用作电光调制器,调制信号稳定。     

La3Ga5SiO14晶体电光调Q高重复频率瓦级紫外激光器

报道了一台激光二极管(LD)双端面抽运Nd:YVO4晶体腔内三倍频355 nm紫外激光器.采用La3Ga5SiO14(LGS)高重复频率电光调Q技术,U型平凹腔结构设计,在腔内用I类相位匹配的LiB3O5(LBO)晶体实现二倍频,Ⅱ类相位匹配的LBO晶体实现三倍频,获得了高效率、高峰值功率、高重复频率的355 nm紫外...     

LGS声表面波双模温度传感器研究

该文研究了基于硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）压电衬底的声表面波(SAW)谐振器的瑞利波模式谐振频率和体声波模式谐振频率的温度特性,并利用这两种模式构建了一种宽温度范围的具有线性输出特性的温度传感器。研究结果表明,基于LGS衬底的谐振器的瑞利波模式和体波模式的谐振频率均与温度成二次函数关系,且二阶频率温度系数接近,利用此特性构建的双模温度传感器测试结果和热电偶测试结果基本一致。该文提出的这种双模温度传感器可获得全温度范围的线性输出特性,可应用于LGS高温SAW温度传感器。     

激光二极管连续抽运电光调Q Nd:YVO4激光器

报道了全固态激光器连续抽运高重复率电光调Q的实验和理论分析结果。用LGS（La3Ga5SiO14）晶体作电光调Q元件，在激光二极管（LD）端面抽运Nd：YVO4激光器中实现了较高重复率的电光调Q输出。实验中在10^4Hz重复率下，抽运功率为28w时，平均功率超过5W，脉冲宽度为7ns，峰值功率为70kW，并对不同重复率时的脉冲输出进行了比较，在低重复率下，脉宽〈6．5ns，峰值功率超过100kW。在理论上，通过对连续抽运时的电光调Q速率方程进行修正，并考虑放大自发辐射（ASE）的影响，对调Q激光器的储能过程和脉冲输出特性进行了模拟，所得结果和实验数据能够很好地吻合。最后，利用LasCad软件对晶体的热效应进行了模拟，并利用临界稳定腔方法对热焦距进行了测量，测量和模拟结果基本一致。     

加电旋光晶体La3 Ga5 SiO14中光的传播方程的研究

为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的表达式,并利用几种简单的光学器件在实验上得到了很好的验证。利用光的传播方程和实验的结果,推算出硅酸镓镧晶体电光系数1γ1=2.1×10-12m/V,与以前测量的结果吻合得很好;找到了利用旋光晶体制作电光开关应该满足的条件,给出了一种制作方法,在实验上得到了很好的实现,从而证实了旋光晶体作为电光开关材料的可行性。     

放大自发辐射对全固态激光器调Q性能的影响

为定量分析放大自发辐射(ASE)对调Q激光器性能的影响,在调Q激光速率方程中引入放大自发辐射项,并在合理的近似下求解,给出了激光二极管(LD)端面抽运电光调Q运转的固体激光器反转粒子数的建立过程,分析了放大自发辐射对激光上能级储能效率的影响及考虑放大自发辐射时调Q激光器输出脉冲宽度和脉冲能量随抽运功率的变化关系。结果表明,由于放大自发辐射的存在,上能级储能效率降低,且在一定的抽运功率下,调Q输出脉冲宽度变宽,脉冲能量下降。用LGS(La3Ga5SiO14)晶体作电光调Q元件,在激光二极管抽运的Nd∶YVO4激光器上进行了实验,实验结果与理论分析结果基本吻合。     

Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method

In this publication, the results of development of the technology of the epitaxial growth of GaN on single-crystal langasite substrates La₃Ga₅SiO₁₄ (0001) by the plasma-assisted molecular-beam epitaxy (PA MBE) method are reported. An investigation of the effect of the growth temperature at the initial stage of deposition on the crystal quality and morphology of the obtained GaN layer is performed. It is demonstrated that the optimal temperature for deposition of the initial GaN layer onto the langasite substrate is about ~520°C. A decrease in the growth temperature to this value allows the suppression of oxygen diffusion from langasite into the growing layer and a decrease in the dislocation density in the main GaN layer upon its subsequent high-temperature deposition (~700°C). Further lowering of the growth temperature of the nucleation layer leads to sharp degradation of the GaN/LGS layer crystal quality. As a result of the performed research, an epitaxial GaN/LGS layer with a dislocation density of ~10¹¹ cm^–2 and low surface roughness (<2 nm) is obtained.     

沿[001]c极化0.70Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.30PbTiO_3单晶的声表面波传播特性研究

以室温下弛豫铁电单晶0.70Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.30PbTiO_3(PMN-30%PT)的材料参数为基础,研究了该晶体沿[001]c极化情况下,不同切型的声表面波传播特性.研究发现,X-切型的PMN-30%PT单晶是一种具有低相速度和高机电耦合系数的材料,同时存在许多能流角为零的传播方向,综合来看,X-切型的127°左右方向是声表面波的最佳传播方向.     

A3BGa3Si2O14晶体的结构、光学性质的系统研究

用提拉法成功地生长了具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的A3BGa3Si2O14(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta)系列单晶；用X-射线粉末衍射证明了其单晶结构，并在200-3200nm间测其透过谱。     

镓杂质R_S效应的研究与分析

在确定的开管扩镓装置中,以氢气作为镓源Ga2 O3的反应和输运气体,凭借准确地控制扩散条件,控制Ga在Si O2 / Si系统中扩散,可获得良好的杂质RS效应.根据Ga在Si和Si O2 中的扩散行为,研究和分析了镓在裸Si系和Si O2 / Si系扩散所产生的杂质RS效应机理,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对RS的影响