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无团聚,纳米ZrO2增韧Al2O3基陶瓷材料 总被引:3,自引:0,他引:3
本文通过微波加热ZrOCl2·8H2O的醇水深液.用HPC作分散剂.制备出无团聚、单分散的纳米水合二氧化锆。然后采用胶体工艺制备出Al2O3-ZrO2先躯体均混合的粉体。用XRD分析ZTA的相结构。用SEM观察断口形貌。结果发现,ZrO2均匀地分布在ZTA陶瓷中。粒径小于500nm,并且主要以t-ZrO2形式稳定存在。最后探讨了ZTA的增韧机制。 相似文献
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等离子喷涂Al2O3+13wt%TiO2陶瓷涂层的 激光重熔处理 总被引:5,自引:0,他引:5
本文用X射线衍射、扫描电镜和显微硬度研究了等离子喷涂Al2O3+13wt%TiO2陶瓷涂层激光重熔处理后陶瓷熔化层的组织结构及硬度变化特征。激光重熔区亚稳相Y-Al2O3转变成为稳定相α-Al2O3:TiO2与Al2O3反应生成TiAl2O3陶瓷熔化层致密,无孔隙、少裂纹或无裂纹;熔化层硬度有较大提高,且随激光能量密度的增大而增大,而涂层设计对其影响很小。此外,激光重熔能极大地提高陶瓷的涂层的耐磨 相似文献
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用X射线衍射等技术分析了激光合成Al2O3-WO3陶瓷材料,结果表明在激光合成样品中形成柱状晶,而常规工艺和N2气氛中烧结样品不含有柱状晶,柱状晶的成分主要是Al2O3。进一步的分析表明Al2O3-WO3陶瓷合成样品的导电相是AlxWO3。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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本文从显微结构分析的角度出发,对BeO陶瓷基片的强度进行了分析,并进一步和Al2O3陶瓷基片进行了比较。 相似文献
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TiO2掺杂对BZN系陶瓷相组成及温度系数影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了TiO2掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系复相区陶瓷的基本组成,即焦绿石立方a相与单斜β相的复相。讨论了不同晶型的TiO2对所得BZN系陶瓷的相组成、相形成及显微结构的影响。给出了不同晶型TiO2掺杂所得的BZN系陶瓷的零温度系数值。 相似文献
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采用XRD、SEM、EDAX、粒度分析等手段研究了在(1-x)SrTiO3xBi2O3·3TiO2(简称SBT)系统中采用化学共沉SrTiO3时,Bi2O3·3TiO2的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数x小于10%时,结构为单相固溶体,εr随x的增加而增加;当x大于10%时,为复相结构,εr开始下降。这个结果与采用SrCO3和TiO2固相合成的SrTiO3烧块时的结果相近,变化趋势一致。但化学共沉SrTiO3之晶粒细小,杂质少,故使所制介质具有非常优异的介电性能。 相似文献
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采用大功率CO2激光器合成出了Al2O3-WO3陶瓷材料。测量其阻-温特性表明合成样品具有线性的NTC热敏电阻特性,微观分析结果证明激光合成样品由Al2O3、WO3、Al2(WO4)3、AlxWO3四相组成,而起导电作用的是AlxWO3这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Al2O3-WO3陶瓷材料所得试样没有线性的NTC热敏电阻特性。 相似文献
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sol-gel法制备微波介质陶瓷材料 总被引:10,自引:1,他引:9
以Zr(NO3)4·5H2O、Ti(OC4H9)4、SnCl4·5H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了Zr-Ti-Sn系微波介质超微粉料。实验表明:温度、湿度、溶液浓度、pH值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Q值的微波介质陶瓷微粉。 相似文献
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