Mo粉对95瓷金属化工程化生产的影响

本文采用两种不同的Mo粉处理工艺,将Mo粉中团聚体打开,获得粒度较小的Mo粉体,然后,找出适合处理后的Mo粉丝网印刷工艺.结果发现,Mo粉通过湿磨工艺处理后,D50可以降至1.78μm.用该种粉体金属化后的95％ Al2O3陶瓷,其金属化层致密、均匀,封接强度较干磨工艺处理Mo获得的金属化封接强度提高了2.5倍,达到350MPa以上.     

“开桶即用”陶瓷金属化专用钼粉的开发与应用

本文概述了陶瓷金属化专用钼粉开发的重要性和现状,汇总并分析了钼粉相关的国家标准、行业采购标准及表征方法;结合“开桶即用”陶瓷金属化专用钼粉的开发与应用,重点探讨了激光粒度测试的重复性和准确性、主含量Mo的测定及钼粉工艺适应性等问题;仅通过金属化工艺微调,即可使专用钼粉获得成功应用,同时提高陶瓷金属化产品质量、节能降耗、替代进口.     

均匀沉淀法制备陶瓷金属化层的微观结构研究

利用均匀沉淀法制备了混合均匀并且钼粉粒度达到纳米级的陶瓷金属化粉末,使用该粉末进行了陶瓷金属化层制备,获得了比较理想的陶瓷金属化层显微结构。同时研究了Mo的含量及烧结温度对陶瓷金属化层显微结构的影响,并将该工艺生产的制品与国内现有制品的微观结构进行了对比。     

活化Mo-Mn法陶瓷金属化时Mo表面的化学态——AES和XPS在封接机理上的应用

在金属化时Mo粉表面是处于金属态还是氧化态是一个很有意义的问题,这对全面理解和深入研究活化Mo—Mn法封接机理至关重要。纵观几十年来封接机理的研究历史,深感对此问题认识不足。几乎国内外的封接专家都把陶瓷——金属封接仅仅看成是陶瓷和金属化层界面的粘接,而忽视了玻璃相和Mo颗粒烧结体这一方面的粘接,这是很不全面的。这方面的代表人物有Floyd等,他认为:通常Ni—Mo界面之间粘接强度最高,Mo层之中粘接强度中等,而金属化层-陶瓷界面之间粘接强度最薄弱,故将着眼点放在后者。事实上,这是相对的,它们随着配方和工艺因素的     

陶瓷金属化Mo粉测试及球磨工艺

陶瓷金属化生产中的Mo粉,通过采用科学的球磨方法,根据经验及理论公式计算球磨过程的各个工艺参数,进行各项生产性试验测试分析,应用于生产,产品的抗拉强度及一次金属化层微观形貌均达到了理想的要求,并经多次试验重复,肯定了这一工艺改进的正确性。     

95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结机理研究

通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理.     

95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结机理研究

通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理.     

陶瓷高熔点金属的金属化

本文从1938年德国人开发的德律风根法(Mo金属化法)开始,及其发展至完善的Mo/Mn金属化技术,直至本世纪八十年代,纵观了整个高熔点金属金属化发展史。其次,详细地介绍了金属化方法——干式金属化法和湿式金属化法。对于氧化铝瓷的成分、金属化膏的组成、高熔点金属的颗粒大小及烧成温度等对接合强度的影响也予以较为详细的介绍。     

氧化铝陶瓷的低温钼金属化研究

采用BaO-Al2O3-SiO2（BAS）微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明：以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。     

95%Al2O3陶瓷的MoO3体系低温金属化机理研究

本文采用由MoO₃加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO₃还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al₂O₃-SiO₂-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。     

MoO3/Mo混合预压制粒制备粗钼粉

介绍一种粗钼粉的制备方式。在钼粉中加入一定比例的氧化钼粉和水,经预压制粒、氢气保护气氛下还原烧结、分级处理,制备出粗钼粉。     

K_(0.9)Mo_6O_(17)新型导电陶瓷的制备与导电性研究

利用湿化学方法,以碳酸钾和钼酸为原料,聚乙二醇为分散剂和螯合剂,制备了K0.9Mo6O17前驱体。在碳粉保护环境及500℃温度下对所得前驱体进行煅烧后,获得了K0.9Mo6O17粉体。最后,利用此粉体制得了导电陶瓷。借助差示扫描量热仪、XRD、SEM、电化学测试系统等仪器研究了材料的相组成、微观结构及导电性。结果表明,K0.9Mo6O17粉体和陶瓷体均具有单斜晶系结构;该多晶K0.9Mo6O17陶瓷材料的室温电导率达到了0.1S/cm,且其电导率随着温度的升高而升高。利用电子跃迁和晶体场理论对K0.9Mo6O17陶瓷的导电机理进行了分析。     

铜钼化合物氢还原制备铜钼复合粉研究

通过对铜钼化合物氢还原过程进行热力学分析,找到了制备均匀细颗粒铜钼复合粉的热力学途径。设计了封闭还原系统,用此系统进行氢气热还原,不仅使氢气得到充分利用,而且容易判断反应终点。通过系统内的特殊装置除水,降低了还原温度,在650℃下还原得到了混合均匀的铜钼复合粉。系统能彻底快速除去反应生成的水分,使反应物的湿度大大降低,确保能得到细颗粒的铜钼复合粉,其平均粒径小于70nm。     

添加铜钼镍对NdFeCoB合金磁粉性能的影响

采用HDDR方法制备了磁各向异性NdFeCoB合金磁粉,并研究了添加Cu、Mo、Ni对其磁性能和磁各向异性的影响。结果表明:加入少量的Cu、Mo可以增加该合金的剩磁Br和矫顽力Hci,但随着其含量的增加,Br与Hci降低,当铜摩尔分数x为0.1时,Br达到最大值1.12T;钼摩尔分数y为0.7时,Hci可达到752.4kA/m;磁各向异性(以取向度cosθ计)会随x的增加而增加,在x为0.7时cosθ达到0.73;随着Mo摩尔分数y的增加,cosθ先增大后减少。随着Ni摩尔分数z的增加,Br变化很小,Hci降低,cosθ增加。     

Mo对高硬度镍基合金激光熔覆层组织和耐磨性的影响

采用激光熔覆技术, 在45#钢表面进行了镍基合金粉末添加Mo的熔覆试验,通过对激光熔覆工艺参数及Mo含量的优选,获得了成形良好、无裂纹、组织致密的熔覆层。对熔覆层横断面进行了显微硬度测量和显微组织分析,对各种Mo含量的熔覆层试样进行了摩擦磨损试验。结构表明:Mo能够提高高硬度镍基合金激光熔覆层的韧性、耐磨性,细化熔覆层的组织,降低熔覆层的裂纹敏感性。Mo对Ni60镍基合金激光熔覆层的改善归因于Mo对熔覆层组织的均匀细化、对粗大针状脆性硬质相的抑制以及对韧性相成分的提高作用。     

Copper-matrix molybdenum particle composites made from copper coated molybdenum powder

Copper-matrix molybdenum particle composites containing 33 ~73 wt.% Mo were fabricated by hot pressing copper coated molybdenum powder. For comparison, corresponding composites fabricated by hot pressing a mixture of copper and molybdenum powders were also made. The former method gave composites of lower porosity, higher hardness, higher compressive yield strength, lower coefficient of thermal expansion, lower electrical resistivity and higher thermal conductivity than the latter method. These differences are partly due to the separation of the molybdenum particles by the copper coating in the former case. In contrast, molybdenum particle clustering occurred in the latter case when the Mo content exceeded 53 wt.%.     

纯Cr粉末激光熔覆性能研究

利用激光在PCrNi3Mo钢上熔覆纯Cr粉末。结果表明,激光熔覆层与基体发生了冶金结合。熔覆层具有较高的硬度和良好的耐磨性。     

DC-controlled solid-state X-ray image converter

A thin solid-state X-ray panel of sandwich-type structure using photoconductive (PC) and semiconducting electroluminescent (EL) powder layers has been developed. The PC layer and the semiconducting EL layer are connected electrically in series. Both ac and dc voltages are applied across the combination. The X-ray sensitivity of the converter depends on the dc voltage drop across the PC powder layer and on input X-ray intensity. Gamma and input latitude of the converter performance are widely controllable by adjusting the dc voltage applied across the panel. The ac supplies excitation for the EL phosphor. The light output intensity at a low X-ray intensity level is substantially improved without deteriorating the picture resolution. For X-ray intensity of 30 mR/min, 80 kV peak, the converter produces light output about 800 times as bright as a conventional fluoroscope screen does, and Mo wire of 200-µm diameter is observed. However, seconds are required for image buildup and cutoff. Converted X-ray images using an experimental converter are also shown.     

Threshold-Voltage Reduction of FinFETs by Ta/Mo Interdiffusion Dual Metal-Gate Technology for Low-Operating-Power Application

In this paper, Ta/Mo interdiffusion dual metal-gate technology, which has an advantage in realizing dual gate work functions without etching of metals from the gate dielectrics, has been introduced for a FinFET. Gate-first fabrication of the FinFET was successfully implemented by optimizing the deposition and patterning of the Mo and Ta/Mo metal gates on the ultrathin fin channels. The Ta/Mo-gated n-MOS and Mo-gated p-MOS FinFET exhibit symmetrical values of Vth (0.31/$-$0.36 V), which are desirable for FinFET CMOS circuit operation with enhanced current drivability, because the threshold voltage (Vth) is reduced due to Ta diffusion in the Ta/Mo gate. It was experimentally found that the Ta/Mo interdiffusion process causes no degradation in integrity of the gate dielectric or the carrier mobility. It was also confirmed that the Ta/Mo interdiffusion process is appropriate for a scaled gate length down to 100 nm.      

激光熔覆MoSi2金属硅化物复合材料涂层显微组织

MoSi_2以其高熔点(2030℃)、高使用温度(>1600℃)、良好的导热性和导电性等优良性能,被认为是继镍基高温合金之后极具竞争力的新型高温结构候选材料之一。但是,MoSi_2的低温脆性和中温氧化碎裂(PEST)难以克服。本文以Mo、Si合金粉末为原料,采用激光熔覆技术,在纯镍基材上制成MoSi_2金属硅化物复合材料涂层。分析了涂层的显微组织,测试了涂层的显微硬度。