水热合成PZT纳米晶粉末烧结性及机理的研究

研究水热合成ＰＺＴ压电体纳米晶粉末的烧结性能及其机理。采用ＤＴＡ－ＴＧＡ对这种纳米晶粉末进行了热分析，结果表明，这种结晶粉末的ＰｂＯ挥发温度为９２４．７１°Ｃ，而颗粒之间的反应温度为８１１．２６°Ｃ。与此相反，固相合成ＰＺＴ粉末颗粒之间的反应温度为１２４３．４７°Ｃ，ＰｂＯ的挥发温度为１２１３．２９°Ｃ。水热合成纳米晶结晶粉末的烧结温度比固相法合成低１００°Ｃ左右     

MgF2.SrF2掺杂PZN—BT陶瓷

适量掺入ＭｇＦ２．ＳｒＦ２有效地降低了０．８５ＰＺＮ（Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３）－０．１５ＢＴ（ＢａＴｉＯ３）材料的烧结温度并得到了介电常数－温度特性接近于Ｘ７Ｒ特性标准的瓷料，在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发，用超顺电态的概念来描述。     

ITU G.729CS_ACELP语音编码系统

应用共轭结构代数码激励线性预测（CS－ACELP）算法的G．729协议是国际电信联盟（ITU）颁布的适用于多媒体通信的低比特率线性预测语音编码标准。介绍了G．729语音声码器编解码的基本结构，并对其性能指标：比特率、编解码的复杂度、时延和合成语音质量进行了分析。     

用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质

以B2O3作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系．实验结果表明：杂质硼原子的激活能为0．078eV，室温迁移率为18cm2·V－1·s－1，远小于单晶金刚石的空穴迁移率．并根据实验结果对金刚石薄膜的导电机制、散射机制等作了分析．     

双—（反—4‘—烷基环己烷羧酸）—2,3—二氯—1,4—苯二酯类液晶的合成

合成了双－（反－４－烷基环己烷羧酸）－２，３－二氯－１，４－苯二酯，烷基分别为ｎ－Ｃ６Ｈ１３，ｎ＝－Ｃ７Ｈ１５，ｎ－Ｃ８Ｈ１７。测定了这些化合物的液晶相变温度，并通过磁场法测定了介电各向异性，Δε均为负值。     

PMZN系压电陶瓷材料合成工艺研究

采用溶胶-凝胶工艺制备了钙钛矿结构的锆钛酸铅压电陶瓷材料(PZT)。然后用制得的PZT作为基料，合成PMZN压电陶瓷，探讨了PZT制备工艺对材料结构和性能的影响。结果表明：溶胶-凝胶法合成PZT粉制备的PMZN系压电陶瓷材料具有机电耦合系数高、介质损耗小、介电常数与机械品质因数适中等特点；溶胶-凝胶工艺降低了材料的烧结温度，改善了材料的介电与压电性能，提高了谐振频率。     

铁电液晶（＋）—4—[2—甲基丁基]—4‘—[4—正辛基苯氧（基）甲基]—联苯…

合成了（＋）－４－（２－甲基丁基）－４’－（４－正辛基苯氧（基）甲基）－联苯，经红外光谱、质谱和元素分析等证实了分子结构、测试了相变温度、相态，介电各向异性和电阻率等物理性能。     

金刚石-铜复合薄膜热沉基底

本文介绍用ＣＶＤ法在铜的基底上合成金刚石薄膜,并获得金刚石－铜复合材料的方法,测量了金钢石－铜复合薄膜电阻与温度的关系．得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为０．７～２．５ｅＶ,多晶金刚石薄膜的禁带宽度为２．６～３．１ｅＶ,金刚石－铜复合薄膜的热导率约为铜的２倍     

Q.931协议的实现技术

用户－网络接口是实现ＩＳＤＮ的关键技术之一，介绍了用户－网络接口中第三层协议Ｑ．９３１，并论述了实现Ｑ．９３１协议的关键技术。     

硫化镉纳米微晶掺杂Na2O-B2O3-SiO2系统玻璃的制备及光学性质的研究

本文采用Sol－gel方法制备了掺杂CdS纳米徽晶的Na2O－B2O3－SiO2系统玻璃,研究了这种玻璃材料的合成反应机理和结构特性．利用各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽．CdS微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的,可以利用CdS微晶的非均匀宽化系数来评价微晶的尺寸分布．报道了此种玻璃的三阶非线性极化率X（3）＝6.5×10－12esu．简要分析了影响这种材料三阶非线性极化率的因素．     

Nb／C_（60）／p型Si结构的特性

研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．     

浅施主杂质态在n－Hg_（1－x）Cd_xTe磁致金属－绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数．观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹＂ＨａｌｌｄｉＰ＂．基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和＂Ｈａｌｌｄｉｐ＂的起因．     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xTe的巨法拉第旋转和激子能量

在９０～３００Ｋ温度范围测量和研究了组分为０．２≤ｘ≤０．６的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化．利用单振子模型获得了激子能量与组分的关系．还研究了法拉第旋转随温度的变化，得到激子能量的温度系数为－７．３×１０－６ｅＶ／Ｋ（ｘ＝０．３），首次从法拉第旋转测量获得了该晶体的居里温度．     

双环己基酯类铁电液晶的合成与性质

以顺式结构的４－（４′－烷基－反－环己基）－环己烷羧酸为原料，合成了四种新型铁电液晶化合物，用ＩＲ、ＭＳ及ＮＭＲ仪确定了这些化合物的结构，用ＤＳＣ及偏光显微镜确定了这些化合物的相变温度和相态，讨论了化合物结构与性质的关系。     

超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系

在Ｎ－Ｓｉ〈１００〉衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构．研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系．研究结果表明：在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加．为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ１∝Ｆ２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２，Ｊ２∝Ｆｅｘｐ（－Φ２／ｋＴ）．Ｊ０为低场漏电流．Ｊ１从实验数据可以求出，电子从Ｎ型Ｓｉ〈１００〉隧穿超薄ＳｉＯ     

浅施主杂质态在n—Hg1—xCdxTe磁致金属—绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻，纵向磁阻和霍尔系数，观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Ｈｑａｌｌｄｉｐ”。基于电子在浅施主杂质上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和“Ｈａｌｌｄｉｐ”的起因。     

VCD vs.DVD

兴盛大家族出众两新秀ＣＤ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｃ）通称激光盘，包括唱盘和视盘。随着激光技术的发展，这种直径为１２ｃｍ，厚１．２ｍｍ的小型数字化光盘，自八十年代初问世以来受到各界热烈关注，市场十分看好。特别是在１９８１年，飞利浦公司和索尼公司制定了ＣＤ－ＤＡ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｃ－ＤｉｇｉｔａｌＡｕ－ｄｉｏ）的红皮书标准之后，激光盘有了统一的标准，极大地推动了ＣＤ技术的前进步伐。于是，在短短十几年里，ＣＤ家族出现了大量的新面孔，如ＣＤ－ＣＡ（目前较流行的激光唱盘）、ＣＤ（带影像的唱盘）、ＣＤ－Ｒ…     

ITU—T G.729 CS—ACELP语音编码系统的性能分析

在介绍ＩＴＵ－Ｔ Ｇ．７２９编码系统的基础上,通过实验仿真,着重分析了系统的性能指标。经非正式听音测试,Ｇ．７２９编码合成语音接近３２ｋｂｉｔ／ｓ ＡＤＰＣＭ编码质量,ＭＯＳ分约为４．０。     

Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。     

H.26L性能分析与算法优化

在相同的码率控制策略的最优参数配置下，对H．26L，MPGE－4 ASP校验模型系统进行计算机仿真，实验表明，对于CIF和QCIF格式的图像，在压缩效率上H．26L要高于MPGE－4 ASP。相同峰值信噪比条件下，H．26L目标码率约为MPEG－4 ASP的1／3－1／5，然而H．26L的运算复杂也远高于MPEG－4 ASP。本文采用整像素和亚像素运动估值的快速算法，使运算复杂度的约降低到原来的1／3。