DFT相位估计算法及噪声敏感频率问题分析

该文利用参数估计方差最小为优化准则,计算出多频正弦信号分段WDFT(Windowed-DFT)相位加权平均相位估计算法的最优加权系数,并给出算法相位估计的方差公式。另外,该文对DFT噪声敏感频率区域问题进行了详细的理论分析。计算机仿真证明了算法的有效性和理论分析的正确性。     

基于粒子群优化的MPSK信号频偏估计算法

针对传统多进制数字相位调制(MPSK)信号非数据辅助(NDA)频偏估计算法存在估计范围有限、估计方差较大、符号个数少时估计性能受限等问题,提出了基于粒子群优化的频偏估计方法。该算法以频偏估计的似然函数为目标函数,模拟群体智能搜索最优解。仿真结果表明,本算法无偏估计范围大,在符号数较少、信噪比较低时,估计方差接近克拉美罗下限(CRLB),性能优于经典的离散傅里叶变换(DFT)算法和Kay算法。     

一种互谱相位在时延估计中的应用方法

时延估计(TDE)是水声领域的重要研究课题,基于时延估计的水声目标被动测向、被动定位技术是水声目标无源定位的重要分支。目前,较为常用的时延估计方法有基本互相关法(NCC)、广义互相关法(GCC)、自适应时延估计(LMS)等。不同于以上方法的思路,该文利用两路信号的互谱相位(CSP)设计了一种时延估计的新方法,该方法将互谱相位进行傅里叶变换,利用其变换域估算相位斜率以求取时延,能够实现多目标分辨、消除时延估计模糊与背景起伏。仿真实验证明,该方法效果要优于基本互相关,广义互相关等方法。     

一种适用于机载/固定站构型 BiSAR 成像的改进相位梯度自聚焦方法

在机载/固定站构型双站合成孔径雷达(Airborne/Stationary Bistatic Synthetic Aperture Radar, A/S-BiSAR)成像中,回波信号方位不变性的假设不再成立;完成距离徙动校正和距离压缩之后,同一距离单元处信号的多普勒调频率具有沿方位向变化的特性.该信号特性导致了传统的相位梯度自聚焦(Phase Gradient Autofocus, PGA)方法对相位误差的估计精度显著下降.针对该问题,该文提出了一种改进 PGA 方法.与传统 PGA 方法相比,该方法通过增加对样本信号的剩余二次相位补偿,有效减小了变化的多普勒调频率对相位误差估计的影响,从而提高了对相位误差的提取精度;此外,该方法考虑了对距离空变相位误差的估计和补偿,使之适用于宽测绘带条件下的 A/S-BiSAR 成像.实测数据的处理和分析验证了该文方法的有效性.     

一种基于瞬时相位方差加权的线谱检测器

针对水下目标未知线谱的检测问题,依据水下目标辐射噪声含有高强度稳定线谱这一特征,该文提出一种基于瞬时相位方差加权的线谱检测方法。该方法利用目标线谱频率单元对应瞬时相位比较稳定,背景噪声频率单元对应瞬时相位比较随机的特点,对各频率单元进行瞬时相位方差加权,可以进一步抑制背景噪声能量干扰,增强目标线谱检测信噪比(SNR)增益,实现对水下目标辐射噪声中未知线谱的检测。理论分析和实验结果表明:该方法可以较好地增强目标线谱能量、抑制噪声、提高信噪比,在抗复杂信道检测、识别领域具有良好的应用前景。     

短序列条件下基于分段多项式建模方法的相位估计性能分析

该文主要对短序列非多项式相位条件下基于高阶模糊函数(HAF)的多项式相位系数估计算法性能进行了较详细的讨论。进一步研究了基于这种算法思想的分段多项式相位建模的瞬时相位估计方法。该方法的思想主要体现为将需估计数据序列进行分段,每个短数据段的瞬时相位采用一个低阶的多项式来逼近,而这些逼近多项式的各阶系数利用HAF或乘积高阶模糊函数(PHAF)的方法进行估计,最终整个数据序列的相位由各段估计出的瞬时相位合并而成。该方法的估计性能很大程度上取决于各分段数据序列的估计精度。文中分析了短序列非多项式相位对HAF及PHAF的影响,并通过仿真实验给出了具有一般性的结论。     

OFDM中联合IQ不平衡和相位噪声估计补偿新算法

正交频分复用(OFDM)系统中的非理想特性对系统性能影响很大,针对非理想特性中的两个主要部分:同相支路和正交支路(IQ)间的不平衡及相位噪声,提出了一种新的相位噪声和IQ不平衡联合估计算法。该算法首先由一个训练符号利用简单的最小二乘(LS)准则在频域估计出IQ不平衡和相位噪声的复合参数,并从中分离得到IQ不平衡估计值,然后利用估计出的IQ不平衡参数在时域对数据符号做IQ不平衡补偿,最后对IQ不平衡补偿后的数据在频域做相位噪声公共相位误差(CPE)和子载波间干扰(ICI)的估计和补偿。理论分析和仿真结果表明,该算法能简单有效的补偿IQ不平衡和相位噪声带来的性能损失。     

基于多普勒谱优化的HRWS SAR系统通道相位偏差估计算法

方位多通道SAR系统通过抑制多普勒模糊,能够实现高分辨率和宽测绘带(HRWS)对地观测。针对通道间幅相偏差会导致成像结果中出现目标模糊分量的问题,该文提出一种通道相位偏差估计算法。该算法利用通道间相位偏差会造成多通道重构方位谱在主瓣内展宽的特性,通过优化多谱勒谱能够实现通道相位偏差的有效估计。该算法在通道相位偏差估计前不需要进行多普勒中心估计,减小了由多普勒中心估计不准引入的误差,并且在低信噪比的情况下仍然具有良好的估计性能。基于仿真数据和实测数据的实验验证了该文算法的有效性。     

基于DFT相位的正弦波频率和初相的高精度估计方法

提出一种新的基于DFT相位的正弦波信号频率和初相的高精度估计方法.利用分段DFT频谱的相位差消除了初相对频率估计的影响且避免了相位测量模糊问题.给出了频率和初相估计的均方根误差计算公式.理论分析和Monte Carlo模拟结果显示频率估计均方根误差接近Cramer-Rao(CR)下限,初相估计均方根误差略高于CR下限的2倍.阈值信噪比远远低于基于时域瞬时相位的频率和初相估计方法.在信噪比为6dB、采样点数为1024的情况下,频率估计均方根误差约为DFT频率分辨率的1%,初相估计均方根误差约为2度.该方法已用于FMCW液位测量雷达并取得1mm距离测量精度.     

相位噪声对时差估计的影响分析

在到达时间差(TDOA)测量中,两异地接收站所配备的本振都会存在相位噪声,该相位噪声会影响时差测量的性能。该文分析了相位噪声对经典的互相关法时差估计无偏性的影响,同时推导了仅考虑相位噪声时TDOA估计精度的克拉美罗下限(CRLB)。并进一步得到了相位噪声与加性噪声都存在时的CRLB及其相对于加性噪声环境下的CRLB退化系数。仿真结果验证了理论分析的结果。     

Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu-xNi/Ni solder joints during aging at 150 °C

The interfacial microstructure and shear strength of Sn3.8Ag0.7Cu-xNi (SAC-xNi, x = 0.5, 1, and 2) composite solders on Ni/Au finished Cu pads were investigated in detail after aging at 150 °C for up to 1000 h. The interfacial characteristics of composite solder joints were affected significantly by the weight percentages of added Ni micro-particles and aging time. After aging for 200 h, the solder joints of SAC, SAC-0.5Ni and -1Ni presented duplex intermetallic compound (IMC) layers regardless of the initial interfacial structure on as-reflowed joints, whose upper and lower IMC layers were comprised of (CuNi)₆Sn₅ and (NiCu)₃Sn₄, respectively. Only a single (NiCu)₃Sn₄ IMC layer was ever observed at the SAC-2Ni/Ni interface on whole aging process. Based on the compositional analysis, the amount of Ni within the IMC regions increased as the proportion of Ni addition increased. The IMC (NiCu)₃Sn₄ layer thickness on the interface of SAC and SAC-0.5Ni grew more slowly when compared to that of SAC-1Ni and -2Ni, while for the (CuNi)₆Sn₅ layer the reverse is true. Except the IMCs sizes are increased with increased aging time, the interfacial IMCs tended to transfer their morphologies to polyhedra. In all composite joints testing, the shear strengths were approximately equal to non-composite joints. The fracturing observed during shear testing of composite joints occurred in the bulk solder, indicating that the SAC-xNi/Ni solder joints had a desirable joint reliability.     

有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光

自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au),设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件,(ErQ/ADN)×3为多层结构器件,ErQ:ADN为掺杂结构器件)的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN:ErQ(1∶1)掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN:ErQ复合膜做了以下表征:吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.     

BNBST无铅压电陶瓷的制备工艺研究

设计了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3（BNBST[100x-100a／100b]）无铅压电陶瓷新体系。该体系压电陶瓷具有工艺特性及压电响应好，压电常数高的特点，且有实际应用前景的新型压电陶瓷材料体系。采用传统的陶瓷工艺制备了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3无铅压电陶瓷，研究了制备工艺参数对其物化结构性能的影响。生料的热重-差热（TGA-DTA）分析表明，粉料合成过程中，先是SrTiO3、BaTiO3的形成，然后是（Bi0．5Na0．5）Tio，的形成，同时三者形成固溶体；密度测试表明，陶瓷的体积密度随烧结温度的升高而增大，可较易获得理论密度94％的陶瓷；X-射线能谱分析（EDAX）研究表明，陶瓷的Bi、Na的挥发随着烧结温度的升高而加剧。研究结果表明，要制备性能优良的无铅压电陶瓷，需要精确控制制备工艺。     

Emerging interconnects: a state-of-the-art review and emerging solutions

Aluminium was a primary material for interconnection in integrated circuits (ICs) since their inception. Later, copper was introduced as interconnect material which has better metallic conductivity and resistance to electromigration. As the aggressive technology scaling continues, the copper resistivity increased because of size effects, which causes increase in delay, power dissipation and electromigration. The need to reduce the resistor-capacitor??????? delay, dynamic power utilisation and the crosstalk commotion is as of now the fundamental main impetus behind the presentation of new materials. The purpose of this paper is to do a survey of interconnect material used in IC from introduction of ICs to till date. This paper studies and reviews new materials available for interconnect application which are optical interconnects, carbon nanotube (CNT), graphene nanoribbons (GNRs) and silicon nanowires which are alternatives to copper. While doing a survey of interconnect material, it is found that multiwalled CNTs, multilayer GNR and mixed CNT bundles are promising candidates and are ultimate choice that can strongly address the problems faced by copper but on integration basis copper would last for coming years.     

聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.     

人小肠粘膜免疫酶的定位研究—光镜和电镜免疫组织化学染色法

本文对免疫酶组织化学的样品制备程序和染色方法做了详细的阐述。用直接法、间接法和ABC法,对人小肠免疫酶的定位,进行了光镜和电镜的观察,染色阳性反应显著,获得了满意的效果。并对染色技巧做了分析和探讨。     

钠离子对poly(dT).poly(dA).poly(dT)三螺旋DNA分子呼吸模式的影响

利用分子结构的螺旋对称性,建立了一个包括钠离子的三链DNA分子poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)的晶格动力学模型,计算了poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)的氢键呼吸模式.结果发现钠离子的加入明显地淬灭了位于较低频率的几个最为强烈的Hoogensteen氢键呼吸模式,而对Watson-Crick氢键呼吸模式影响不明显,这说明钠离子能提高poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)三螺旋结构的稳定性.该计算结果很好地解释了poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)的热融化实验.     

Arsenic deposition as a precursor layer on silicon (211) and (311) surfaces

We investigate the properties of arsenic (As) covered Si(211) and Si(311) surfaces by analyzing data from x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and low-energy electron diffraction (LEED) images. We then create a model using total surface energy calculations. It was found that both Si(211) and Si(311) had 0.68±0.08 surface As coverage. Si(211) had 0.28±0.04 Te coverage and Si(311) had 0.24±0.04 Te coverage. The Si(211) surface replaces the terrace and trench Si atoms with As for a lower surface energy, while the Si edge atoms form dimers. The Si(311) surface replaces all terrace atoms and adsorbs an As dimer every other edge site. These configurations imply an improvement in the mean migration path from the bare silicon surface by allowing the impinging atoms for the next epitaxial layer, tellurium (Te), to bind at every other pair of edge atoms, and not the step terrace sites. This would ensure a nonpolar, B-face growth.     

系统级封装新型埋入式电源滤波结构的研究

在高密度小尺寸的系统级封装(SiP)中,对供电系统的完整性要求越来越高,多芯片共用一个电源网路所产生的电压抖动除了会影响到芯片的正常工作,还会通过供电网路干扰到临近电路和其他敏感电路,导致芯片误动作,以及信号完整性和其他电磁干扰问题.这种电压抖动所占频带相当宽,几百MHz到几个GHz的中频电源噪声普通方法很难去除.结合埋入式电容和电源分割方法的特点,提出一种新型高性能埋入式电源低通滤波结构直接替代电源/地平面.研究表明,在0.65～4GHz的频带内隔离深度可达-40～75 dB,电源阻抗均在0.25ohm以下,实现了宽频高隔离度的高性能滤波作用.分别用电磁场和广义传输线两种仿真器模拟,高频等效电路模型分析这种低通滤波器的工作原理以及结构对隔离性能的影响,并进行了实验验证.     

盲多用户检测技术中的恒模算法分析

恒模算法（CMA）是一种广泛应用于阵列处理、均衡和多用户检测中的盲算法。现对恒模算法及其在盲多用户检测技术中的应用进行了分析,并指出其研究方向。