高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究

本研究了ｎ型硅阳极化的高选择和终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离ＳＯＩ结构。采用这种ＰＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｎｓ Ｏｘｉｄｉｚｄｅ Ｓｉｉｌｃｏｎ）技术在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－／衬底上形成的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从１００ｎｍ到数μｍ），且硅岛宽度可大于１００μｍ．ＸＴＥＭ结果显示顶层硅／氧     

凹陷沟道SOI器件的实验研究

本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．     

YBa2Cu3O7／PrBa2Cu3O7／SrTiO3超薄膜表面螺旋位错的研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究的几种（ＹＢＣＯ）超薄膜的表面结构，这些膜分别生长在ＳｒＴｉＯ３（１００）基底，和具有厚度为４０ｎｍ的ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７缓冲导的ＳｒＴｉＯ３基底上，ＹＢＣＯ超薄膜厚度范围为２．５ｎｍ－２５ｎｍ。在２．５ｎｍ厚的单层膜表面观察到了岛状结构，并在７．５ｎｍ厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了ＹＢＣＯ超薄膜的生长机理。     

多孔硅及其在SOI技术中的应用研究

对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。     

形成SIMOX结构的PIII新技术的研究

本文报道了一种形成ＳＩＭＯＸ结构的等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）的新技术．与传统的离子注入相比，这种新技术具有高离子束流，大面积离子注入，极短的注入时间和低成本等优点．实验中，衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中．在衬底所加的负高压的作用下，氧离子直接注入硅片之中．我们研究了ＰＩＩＩ的工艺条件，用ＰＩＩＩ制得了具有２０到５０ｎｍ厚的顶层硅层和２０到５０ｎｍ厚的氧化硅埋层的超薄ＳＩＭＯＸ硅片，并用ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试．     

用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究

制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。     

深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析

本文从二维模拟热载流子注入电流入手，讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模拟结果表明，对于不同的硅层厚度，沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用，有时甚至是决定性的作用．沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样，是影响薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的重要因素，这也就解释了以往文献中，随着硅层减薄，沟道电场增大，热载流子效应反而减小的矛盾．模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内（６０～１００ｎｍ），器件热载流子效应     

关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究

研究了采用ＮＯ快速热氮ＳｉＯ２ 方法制备超薄栅介质并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄 ＮＭＯＳＦＥＴ,ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。     

超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析

超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。     

超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系

在Ｎ－Ｓｉ〈１００〉衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构．研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系．研究结果表明：在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加．为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ１∝Ｆ２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２，Ｊ２∝Ｆｅｘｐ（－Φ２／ｋＴ）．Ｊ０为低场漏电流．Ｊ１从实验数据可以求出，电子从Ｎ型Ｓｉ〈１００〉隧穿超薄ＳｉＯ     

IR推出FlipFET(tm)功率MOSFET

国际整流公司（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ,简称ＩＲ）推出专用 ＦｌｉｐＦＥＴ（ｔｍ）功率ＭＯＳＦＥＴ器件,所有管脚均位于芯片的同一侧．开创了新一代芯片级封装超精巧功率结构。崭新的功率ＭＯＳＦＥＴ可实现１００％的硅／面积比,特别适合窝电话等空间有限的便反作用式应用系统。 如今,有许多蜂窝电话的智能锂电池组采用双ＳＯ－８ ＭＯＳＦＥＴ。 ＦｌｉｐＦＥＴ技术可大大减少路尺寸,因而能在相同体积的电池组中,将标准锂电池的３小时时通话时间延长半小时,相当于电池容量增加近２０％。 随着第三代因特网多…     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

多孔硅的微观结构及其氧化特性

采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．     

薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究

本文根据所建浮体效应物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系．研究结果表明，降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等，可以有效地抑制浮体效应，提高器件的源漏击穿电压，这些参数在工艺上可以对应采用ＬＤＤ＆ＬＤＳ的ＭＯＳ结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在ＳＯＩ体区的复合寿命等，为从工艺设计上进一步改善ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的器件特性打下理论基础．     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。