碲化铅材料及其沉积膜的性质

本文介绍碲化铅薄膜的光学性质和沉积工艺及其与原材料特性的关系。从给出的实验结果可以看出,碲化铅原材料的配比和制备方法对光学薄膜的光学特性有着决定性的作用。为了得到薄膜的最佳沉积工艺条件,本文给出了检验碲化铅材料性质的简便方法。     

碲锌镉单晶生长技术

1 碲锌镉单晶的用途 红外探测器的量子效率与选用的红外敏感材料密切相关。与锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTc)、Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱及氧化物铁电薄膜相比,采用碲镉汞(MCT)材料制备的红外探测器具有很高的量子效率(可达70％)。据有关     

富碲碲化铅薄膜的晶体结构、表面形貌、元素深度分布和中红外光学常数

对由富碲( <1mol.% )碲化铅晶体材料热蒸发制备的薄膜进行了表征.结果表明:薄膜是多晶的,具有NaCl型晶体结构,表面晶粒分布均匀,在膜层的深度方向约 170nm内富碲的组分均匀分布.对比薄膜表面抛光前后的中红外光学常数表明表面散射对薄膜光学性质的影响极小.     

碲锌镉衬底晶面极性对水平液相外延碲镉汞薄膜的影响

研究了碲锌镉衬底（111）晶面的不同极性对水平推舟液相外延生长碲镉汞薄膜的影响。实验结果显示,（111）A面碲锌镉衬底水平液相外延生长碲镉汞薄膜材料组分和厚度均与常规（111）B面碲锌镉衬底碲镉汞薄膜材料相当;碲镉汞母液在采用（111）A面、（111）B面衬底进行液相外延生长的碲镉汞薄膜上接触角分别为（50±2）°和（30±2）°,结合微观模型分析确认碲镉汞母液在碲镉汞薄膜（111）A面存在更大的表面张力;观察并讨论了（111）A面碲镉汞与（111）B面碲镉汞薄膜材料表面微观形貌的差别;实验获得的（111）A面碲镉汞薄膜XRD半峰宽为33.1arcsec。首次报道了（111）晶面选择对母液残留的影响,研究结果表明,采用（111）A面碲锌镉衬底进行碲镉汞水平推舟液相外延生长,能够在不降低晶体质量的情况下,大幅减小薄膜表面母液残留。     

碳纤维增强铝基复合材料界面结构分析

碳纤维增强铝基复合材料界面结构分析王纪文＊李戈扬＊＊王岱峰王永瑞＊李鹏兴（上海交通大学材料科学系，＊材料科学系金属基复合材料国家重点实验室，上海２０００３０）（＊＊中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）碳纤维增强铝基复合材料具有高的比强度、比...     

CdZnTe(211)B衬底对MBE外延碲镉汞材料的影响分析

碲锌镉 CdZnTe（211）B 衬底广泛应用于碲镉汞（HgCdTe）分子束外延生长,其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了 CdZnTe（211）B 衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响,包括 Zn 组分及均匀性、缺陷（位错、孪晶及晶界和碲沉淀）以及表面状态（粗糙度和化学组成）,并且分析了对 CdZnTe（211）B 衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。     

8～14微米碲锡铅光伏探测器及其阵列

作者用气相传输系统在碲化铅基片上生长了Pb_xSn_(1-x)Te合金(X值在0.88～0.75之间)的单晶层。并用这种合金材料制成了灵敏的光电二极管。单晶层组分的一致性良好,这对制造大线性阵列颇为重要。本文将介绍材料的生长,单个和多元器件的制造。     

软X射线衍射色散元件

软Ｘ射线衍射色散元件袁利祥，范正修，殷功杰（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）崔明启（中国科学院高能物理研究所，北京１０００３９）沈孝良（复旦大学分析测试中心，上海２００４３３）纳米量级的多层膜沉积技术和微电子制作技术的结合已使软ｘ...     

碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究

大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料，而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料（111）晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究，结果发现，EAg2腐蚀剂在（111）B面上的腐蚀坑为平底坑，Everson腐蚀剂在 (111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑，进一步的研究还表明，三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究，将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。     

砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析

用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了低能注放（１５０ｋｅＶ）砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况,砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度（ＥＰＤ）比较低的碲镉汞材料中,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型,呈现出浓度随深度的高斯分布。而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中,砷的分布呈多段指数型分布,表面出更复杂的多机制扩散特性。     

CMT器件芯片同步辐射形貌相的计算机图象处理系统

ＣＭＴ器件芯片同步辐射形貌相的计算机图象处理系统姚英，梁宏林，蔡毅（昆明物理研究所昆明６５０２２３）蔡毅（中国科学院红外物理国家实验室上海２０００８３）对器件尺寸的ＣＭＴ材料Ｘ射线形貌、ＨＡＬＬ参数和器件性能的研究表明，ＣＭＴ器件的性能和材料中的结构...     

X射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用

Ｘ射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用唐圣明，徐梅娣，陈思琴，林绥娟（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）铝钛酸铅［Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ＿３，简称ＰＺＴ］是一种新型的铁电薄膜材料，具有独特的电学，光学性能，有很广泛的应用价值。ＰＺＴ薄膜与器件的制...     

MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择

金属有机化合物汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术是制备用于红外焦平面阵列（ＩＲＦＦＰＡ）的高质量碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺（ＩＭＰ）等因素在ＭＯＣＶＤ外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理,并选择适合的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。     

Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究

在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法（vertical Bridgman method, VB）生长的部分碲锌镉（Cd_1-xZn_xTe, CZT）晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析,结果表明,碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位（V_Cd）缺陷与Cd间隙（Cd_i）缺陷导致的。在富Te条件的生长过程中,Cd空位缺陷易于形成,碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空位缺陷,材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中,Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中,促进了Cd间隙缺陷的形成,在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷,导致晶体材料的导电性转变为n型。     

碲镉汞晶片材料参数评价

碲镉汞晶片材料参数评价吴人齐（华北光电技术研究所北京１０００１５）本文讨论了ＨｇＣｄＴｅ晶片材料的几种常规测量方法，认为可用红外透射法测ＨｇＣｄＴｅ组分ｘ值。该测试方法是非破坏性的，不需要做标准样品，而是根据碲镉汞晶片室温透射谱吸收边微商最大值对应的...     

32×32长波碲镉汞红外焦平面信号读出电路

３２×３２长波碲镉汞红外焦平面信号读出电路倪云芝，江美玲，曾萌，王新德，梁平治（上海技术物理研究所上海２０Ｏ０８３）采用ＣＭＯＳ技术，研制成功了一个适用于３２×３２长波碲镉汞光伏探测器列阵的信号读出电路。由于长波ＭＣＴ二极管的结阻抗较低，很难在自身的...     

半导体红外磁光光谱研究

半导体红外磁光光谱研究刘普霖，史国良，陈张海，石晓红，胡灿时，陆卫，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海２０００８３）红外光谱与强磁技术的结合是研究半导体及其它功能材料光电性质的重要实验方法。我们知道，通过对电磁辐射在介质中...     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

变温长波碲镉汞光电导现象研究郑为建，朱惜辰，保红珍（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文报导了ｎ型Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系研究；并考察了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到了一组光电导的实验...     

飞片空腔靶激光状态方程实验研究

飞片空腔靶激光状态方程实验研究何钜华（中国科学院上海技术物理研究所，上海２０００８３）。自然科学和工程技术中许多重大问题，如天体演化、地球内部构造、激光惯性约束聚变、核武器和导弹设计等，均涉及超高温超高压状态下发生的过程，需要这种特殊条件下各种材料的...     

神光Ⅱ靶场调焦准直系统理论模型及实验

神光Ⅱ靶场调焦准直系统理论模型及实验黄宏一，丘悦，蒋敏华，王树森，范滇元（中国科学院上海光机所国家高功率激光物理实验室，上海２０１８００）神光１１装置是“八五”期间由中国科学院、中国工程物理研究院、８６３－４１０主题共同投资的大型工程项目，是用于国防...