脉冲激光辐照下半导体薄膜中温度场的计算

利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密度以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及ａ－ＳｉＨ薄膜的晶化效果的影响。     

铝硅合金激光熔凝处理后的电化学腐蚀现象

利用２ｋＷＣＯ２激光器对不同合Ｓｉ量的ＡＩ－Ｓｉ合金进行了搭接扫描熔凝处理，通过ＳＥＭ和ＴＥＭ对激光熔凝处理后Ａｌ－Ｓｉ合金的组织结构进行了观察，通过测定在不同介质条件下的阳极极化曲线，讨论了激光熔凝处理对ＡＩ－ｓｉ合金耐蚀性的影响。结果表明，激光处理可改善Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％Ｈ２ＳＯ４和１０％ＨＮＯ３溶液中的耐蚀性，而对Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％ＨＣｌ和５％ＮａＣｌ溶液中的耐蚀性没有明显的促进作用。     

铁基抗高温磨损激光熔覆涂层强韧设计和研究 Ⅱ:Fe-Cr-C-W-Ni激光熔覆层的微观组织及性能

利用ＯＭ、ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了Ｆｅ－Ｃｒ－Ｃ－Ｗ－Ｎｉ激光熔覆涂层熔覆态及其高温时效态的微观组织结构。结果表明激光熔覆层组织细小,具有强韧两相组成（奥氏体和Ｍ_７Ｃ_３碳化物）的微观结构特征,高温时效处理组织中有Ｍ_（２３）Ｃ_６、Ｍ_６Ｃ、Ｍ_２Ｃ等新碳化物形成。显微硬度和冲击磨损实验证实了激光熔覆态和峰值时效态熔覆层均具有良好的力学性能。     

低成本的MCM技术

本文全面地介绍了为降低ＭＣＭ成本，国际上开发出的最新工艺及材料，包括ＭＣＭ－Ｆ、ＭＣＭ－Ｅ／Ｆ、ＭＣＭ－Ｌ／Ｏ、ＬＴＣＣ－Ｍ、ＩＢＳＳ、ＬＡＰ、ＬＣＰ、ＦＣＡＰ等。指出研究的出发点是以ＭＣＭ－Ｌ的成本而获得ＭＣＭ－Ｄ的性能。而ＭＣＭ－Ｄ成本构成中最贵的是薄膜层的加工，因此设法用其他方法取代传统的薄膜加工就成了焦点所在。大量的工作是围绕着改善迭层材料及工艺而改善ＭＣＭ－Ｌ的性能进行的。ＬＡＰ是ＭＣＭ     

扫描间距对激光熔凝强化组织性能的影响

介绍利用横流ＣＯ２激光器,对ＫＡ系列转子轴颈的激光熔凝强化应用研究。用扫描电镜分析了硬化层及过渡层的组织形貌,用显微硬度计进行横截面的硬度测量,用磨擦磨损实验机对不同扫描间距试样进行了耐磨性测试,结果表明：在相同工艺参数下,扫描间距１２ｍｍ的试样相对耐磨性最高。扫描间距对激光熔凝强化组织性能的影响@夏元良$大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室!大连　116024@徐军$大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室!大连　116024@李刚$辽宁工程技术大学机械工程学院!阜新　123000@黄大文$辽宁工程技术大学机械工…     

AZ31B镁合金CO2气体激光熔凝的微观组织与磨损性能

以AZ31B镁合金为对象,对其进行CO2气体激光表面熔凝处理,采用金相观察、X射线衍射分析、硬度测试及摩擦磨损试验等手段,研究了激光熔凝层及原始镁合金的微观组织结构及磨损性能。激光功率P＝3 300 W,扫描速度v＝360 m/s时熔凝层是由α-Mg和β-Mg17Al12组成,且熔凝层的相含量比母材多。熔凝层的微观组织以树枝晶为主,枝晶组织发生了明显的细化。由于细晶强化、固溶强化和析出强化的共同作用,熔凝层的显微硬度提高了大约2倍。原始镁合金的磨损以磨粒磨损和氧化磨损为主,而熔凝层以磨粒磨损为主,熔凝层的耐磨损性能也得到了改善。     

Rt／Si 快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反庆形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５－－２０ｍｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０－－６００快速退火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基热垒接触。     

8mm和S-VHS录像带的数字音频记录

随着数字音频记录介质的飞速发展,生产厂家和消费者对录像带的重放音质和视频记录性能予以同等的重视。为了满足这种需求,研究人员为Ｈｉ８和Ｓ－ＶＨＳ摄录机用录像带开发了１６脉码调制（ＰＣＭ）立体声数字音频记录格式。这些格式记录１６位ＰＣＭ声音、卫星广播和高清晰度电视的ＰＣＭ声音。目前市场上的Ｓ－ＶＨＳ和８ｍｍ录像带采用１６位ＰＣＭ记录标准。生产厂在９０年代初便开始提供带有这种音频格式的Ｈｉ８摄录机和盒式录像机。１带１６位ＰＣＭ音频格式的视频记录８ｍｍ视频系统使用的录像带在４０ｍｍ直径的磁鼓上包绕２２０…     

6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。     

Ti-6Al-4V合金Si粉激光表面合金化组织与耐磨性研究

钛合金因具有比强度高、抗蚀性优、低温性能及耐热性好等优点,在航空、航天、海洋、石油、化工等领域应用十分广泛。但钛合金存在摩擦系数大、耐磨性差、不易润滑等缺点,限制了钛合金作为摩擦运动副部件的应用。为了提高钛合金耐磨性,本文采用预涂Ｓｉ粉的方法,对工业中用量最大的Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金进行激光表面合金化,系统分析了激光表面合金化工艺参数对激光表面合金化改性层显微组织和性能的影响,采用ＯＭ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＭ等手段分析了激光表面合金化改性层;的显微组织,在销一环滑动磨损、二体磨料磨损二种不同磨损…     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

激光熔敷钴基 WC复合材料

激光熔敷钴基材料的主要问题是熔敷层的开裂现象,在低于５ｋＷ的激光器功率下进行熔敷,如果不对基材采取预热或缓冷措施,一般都有裂纹产生,本文讨论ＷＦＬＣ－０８和ＷＦＬＣ－０９两种钴基材料在２．５ｋＷ激光功率下的熔效及抗裂性能。用横流ＣＯ２激光器对５种钴基和钴基＋ＷＣ复材料进行了熔敷试验。基体试样为２０＃钢,激光器功率２．５ｋＷ,光斑直径５ｍｍ,扫描速度３ｍｍ／ｓ,搭接宽度２ｍｍ,搭接６道完成整个熔敷层。试验用粉末材料依次为ｓｔｅｌｌｉｔｅ６＃、ｓｔｅｌｌｉｔｅＳＦ６（ＷＦ１４１）、ＷＦＬＣ－０．８、…     

多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。     

6H—SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是     

激光熔凝316L不锈钢的摩擦学性能研究

采用光纤激光器对316L不锈钢表面进行熔凝处理,研究了熔凝层微观组织演变及其摩擦学性能。结果表明：通过激光熔凝可在316L不锈钢表面获得冶金质量良好、无孔隙裂纹、厚度为500μm的熔凝层。与原始试样相比,激光熔凝处理使其表层从顶部至底部依次形成等轴晶、树枝晶与柱状晶的梯度细化组织,显微硬度提高约73.9%,摩擦因数降低约37.8%,磨损量降低约38.5%,磨损机制从磨粒磨损与黏着磨损转为轻微的磨粒磨损,表明其耐磨损性能经激光熔凝处理后得到明显提升。     

合金铸铁光束熔凝处理后的组织和硬度

珠光体合金铸铁机械零件由于表面硬度不高在服役过程中因磨损而失效的情况屡见不鲜。为提高铸铁件的使用寿命,采用高能密度方法对新零件进行表面强化或对失效的零件进行修复在国内外已经倍受重视。激光熔凝处理技术正是在此背景下迅速发展起来的。经激光熔凝处理的合金铸铁件的表面硬度和耐磨性可获得显著改善,但激光昂贵的设备投资和运行费用在一定程度上大大限制了它在工业生产中的推广应用。因此,研究开发低成本高效率的新颖熔凝处理技术作为激光手段有益的补充是当务之急。自６０年代末德国学者首次将聚焦光束用于材料加工领域以来,…     

P埋层技术研究

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

金刚石薄膜-金属接触的SEM和XRD研究

用ＳＥＭ和ＸＲＤ研究了金刚石薄膜与双层金属之间的接触及界面性质，采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１１１）基片上沉积了掺硼金刚石薄膜，然后蒸发上Ｔｉ／Ａｕ金属层，在氮保护气氛下７００℃热处理５０ｍｉｎ后获得一个线性的电流－电压特性，经ＳＥＭ和ＸＲＤ实验结果表明，Ｔｉ／Ａｕ金属与金刚石薄膜之间优良的接触性能的获得，显然是由于大金刚石膜－Ｔｉ／Ｔｕ界面处产生了ＴｉＣ新相以及ＴｉＣ的浸润性质的缘故。     

激光脉冲和工件参数对激光微孔加工质量的影响

研究了激光功率、重复频率、焦点位置以及光束质量对激光打孔质量的影响。通过调整和优化激光脉冲、聚焦光学系统和工件参数，在０．１～２ｍｍ厚的不同材料上打出孔径０．０６～０．２ｍｍ的精密小孔。利用ＴＥＭ００模激光脉冲和望远镜扩束后再聚焦的办法，加工出孔径２５～３０ｍｍ的微孔。     

42CrMo钢激光熔凝组织及力学性能研究

42CrMo钢因具有良好的淬透性、强度以及韧性,被广泛应用于拉矫辊制造中,但是这种材料的耐蚀性、耐磨损性及耐疲劳性还不够理想,限制了拉矫辊连续工作能力。为进一步提高拉矫辊基材强度和耐磨损性能,利用激光熔凝技术对调质后42CrMo钢进行了激光强化工艺研究。采用光学显微镜、金相显微镜、显微硬度计、摩擦磨损试验机等仪器对42CrMo钢激光熔凝后的显微组织、相结构、强度及摩擦磨损性能进行了分析,研究了激光功率、扫描速度对熔凝层性能的影响规律。结果表明:工艺参数对熔凝区力学性能影响较大,激光功率显著影响熔凝层的深度,扫描速度影响表面成形质量;调质后42CrMo钢基体组织主要为回火马氏体+残余奥氏体,经过激光熔凝后,基体组织发生转变,马氏体含量显著提高。