电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用

随着现代信息科学技术的发展，自旋阀、磁隧道结等自旋电子学材料及半导体量子阱等光电材料日益受到人们的关注。由于电子显微学方法在衍射、成像及谱学方面具备综合优势，近来已被广泛用于自旋电子学和量子阱光电材料研究领域，以揭示其显微结构和优异物理性能之间的内在联系。其中，普通的电子显微学方法，如透射电子显微术，特别是高分辨电子显微学等是研究这类低维超薄膜晶体结构及其界面关系的有力工具。     

外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响

研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概率和散粒噪声随半导体长度的变化特性是作等幅振荡;外加磁场和Rashba自旋轨道耦合强度的增强都会加大透射概率和散粒噪声的振荡频率;外加磁场角度的改变会改变散粒噪声的振荡频率;双δ势垒的存在增大了自旋电子透射概率的振幅.     

外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响

研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概率和散粒噪声随半导体长度的变化特性是作等幅振荡;外加磁场和Rashba自旋轨道耦合强度的增强都会加大透射概率和散粒噪声的振荡频率;外加磁场角度的改变会改变散粒噪声的振荡频率;双δ势垒的存在增大了自旋电子透射概率的振幅.     

Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展

Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。     

刻槽Si衬底上GaAs微结构研究

本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外延层的成核行为和生长行为有一定影响,和Si[001]晶面相比,Si[113]可能是一个有利于半导体异质结生长的晶面。     

<透射电子显微学的新进展>简介

《透射电子显微学的新进展》（英文版）由美国劳伦斯－伯克利国家实验室材料科学部章效峰博士和中国科学院物理研究所张泽博士编著，清华大学出版社和国际著名的Ｓｐｒｉｎｇｅｒ－Ｖｅｒｌａｇ出版社发行。本书分为上下卷两部分，上卷包括电子显微学理论及方法，下卷主要介绍电子显微学在材料科学等方面的应用。涉及许多电子显微学理论和方法的最新进展，且反映了该方法在材料科学研究中的重要作用，是大学或研究院所电子显微学和材料科学工作者的一本有意义的参考书。自１９３１年以来，电子显微学一直在材料科学发展中起着重要的推动作用…     

用于太阳电池的p—ZnTe／n—CdTe异质结的研究

从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧形成凹口。当热平衡时,由于导带中电子从 n 区到 p 区所遇到的势垒大于价带中空穴从 p 区到 n 区的势垒,所以,通过势垒的主要是空穴流。讨论了 p-Zn-Te/n-CdTe 异质结的制作方法及工艺问题。最后,给出了测试结果。     

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

<正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE     

δ-P γ-P异质结的构筑及LED发电性能研究

阐述第一性原理的计算，设计一款异质结半导体为基底的LED发电机，以解决目前LED半导体照明设备的难题，讨论吸附体系电子传输效率、异质结晶体结构和电子特性、LED发电设备发电性能。     

Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展

Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述     

半导体GaAs-(AlGa)As大光腔激光器研制简报

1962年第一个半导体GaAs激光器出现以后,引起人们的高度重视.对半导体激光器的理论、材料、器件制造工艺以及应用进行了广泛深入的研究.器件的结构从同质结、单异质结发展到双异质结;工作方式从低温下脉冲工作到1970年成功地实现了室温下连续工作.1971年RCA公司的H.Kressel等人集中了单异质结激光器的脉冲光功率大和双异质结阈值电流低等优点,从结构上把二者结合起来,实现了一种新型半导体激光器——GaAs-(AlGa)As大光腔激光器(Loc).     

磷化铟芯片如火如荼

在集成电路IC芯片产品家庭中，磷化铟InP芯片正加速从不起眼的丑小鸭向美丽的白天鹅演绎，一系列采用深灰色InP晶体作衬底材料的异质结器件及IC研发成功，相继上市，吊起市场胃口，在微电子，光电子领域凸显勃勃生机。InP与以砷化镓GaAs为主要代表的第二代半导体相比，其击穿电场、热导率、电子平均速度均更高，在异质结界面处存在较大的导带不连续性，二维电子气密度大，沟道中电子迁移率高等特点，     

自由电子能带模型中的平均键能与费米能级

根据半导体自由电子能带模型，采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法，其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Ｅｍ”的物理意义     

异质结

前言 异质结概念出现较早,但它仍是一个新的领域,特别是近年来在材料科学和电子科学领域里已引人注目。这次日本东京工业大学高桥清来华座谈介绍了异质结发展概况,异质结的能带结构和输运特性。现将其内容概述如下: 一、异质结发展概况 异质结广义讲是指两类不同种类物质的接触。如以固体为主可分三种状态,即固体-气体、固体-液体、固体-固体。如固体是半导体又可分为半导体-金属(金属半导体接触一肖特基势垒) 半导体-半导体(异质结)、半导体-绝缘体(MIS MOS)。 因此,这里异质结一般就是指两种不同种类半导体的接触。 异质结是在结型晶体管出现不久就被提出来了,1951年肖克莱提出了具有高注入效率的宽禁带发射极晶体管,由于当时两种半导体接触的生长技术还没发展起来,因此这种晶体管没有成为现实,以后的五、六年异质结没有什么发展。1959年以后随着气相外延技术的出现,异质结的形成成为现实。最初是制备了Ge-GaAs异质结,测定了I-V     

双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型

利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系 .该模型为优化和预测双平面掺杂 HEMT器件性能提供了一个有效手段     

双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型

利用泊松方程以及异质结能带理论,通过费米能级-二维电子气浓度的线性近似,推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型.计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系.该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段.     

《电子显微学报》征稿简则

《电子显微学报》是中国物理学会主办的学术刊物，主要刊登电子显微学和其他新兴显微学的理论研究、仪器研制生产以及在生命科学、材料科学、纳米科技、医学、金属、地质、化工、半导体等应用方面的学术论文，及时反映我国显微学领域的最新科研成果。     

二维光子晶体异质结Order-N数值研究

把多重散射(Order-N)方法用于二维光子晶体组成异质结的传输特性研究,分别数值研究了折射率异质结、柱体形状异质结、晶格结构异质结三种情况下的透射特性,数值结果指出在折射率异质时出现类似于电子型半导体的单向导光性能,并作了简单理论类比分析。进一步对三种异质结进行研究,得出传导模的出现不只是晶格结构畸变一种情况可以产生,其他两种异质结也能产生传导模。     

用异质结构控制GaN阴极电子发射

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电势剪裁成半导体阴极所需的陡直下降的电势结构,进一步深入研究了双势垒异质结的电场结构,发现外面的异质结能屏蔽里面异质结的势垒。利用这种双势垒异质结的屏蔽效应设计出可由偏压直接控制电子亲合势的异质结构,从而为半导体阴极开辟出一条新的研究途径。     

HEMT的设计考虑及特殊结构HEMT的简介

<正> 一、引言在由未掺杂的窄禁带材料(如GaAs)和掺杂的n型宽禁带材料(如GaAlAs)组成的选择掺杂突变异质结构中,电子将从GaAlAs转移到亲合能较大的GaAs中,出于异质结势垒的限制,将在界面附近约100薄层内形成的一个平行于界面的二维平面内自由运动,而在垂直于界面的方向是受约束(能量量子化)的二维电子系统,即二维电子气(2DEG)。由于2DEG与其离化施主母体在空间上是分离的,因而可减少离化杂质散射,提高电子迁移率μ_n,特别是在低温下,晶格振动也大为减