40 Gb/s超快非线性干涉仪的实验分析

全光非线性开关是全光3R再生的关键技术。在对一种全光开关[超快非线性干涉仪(UNI）]的传输函数进行分析后，得到了超快非线性干涉仪窗口的数学描述。在此基础上通过实验得到了40Gb／s的全光开关。并结合实验条件，具体分析了影响超快非线性干涉仪开关窗口的几个因素：增加半导体光放大器(SOA)的注入电流，增大控制脉冲的平均功率和调节连续光功率到最佳值。都能有效地改善输出窗口的形状和消光比，并对这种现象在理论上进行了初步分析。可以利用上述结论指导超快非线性干涉仪实验，从而使超快非线性干涉仪系统得到最大程度的优化。     

SOA注入电流及位置偏移量对TOAD开关窗口的影响

对影响太赫兹光学非对称解复用器(TOAD)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流和在环路中的偏移量这两个因素进行了数值模拟及实验研究，加大注入电流可以增加SOA的增益，使得开关窗口的高度增加；SOA在环路中的偏移量决定了开关窗口的宽度。由于实验中用连续光代替信号脉冲以观察开关窗口，可以看到随着偏移量的增大，开关窗口的主窗口的宽度先增大，当窗口宽度为控制脉冲周期的一半后，开关窗口的主窗口的宽度又变小。     

全集成2.4 GHz CMOS对称式收发开关的设计

文章设计了一种应用于无线通信的2．4GHz全集成对称式串并型射频收发开关，详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素，并采用了相应的优化方案。经仿真，在2．5V电压下获得了插入损耗1．0dB、隔离度30．5dB和1dB压缩点为16．1dBm的较好结果。该开关采用TSMC0．25μm工艺设计实现，版图面积(包括pad)为0．6mm^2。     

不同条件对超快非线性干涉仪开关窗口的影响

对单臂结构的UNI的工作原理以及开关窗口的形成原因进行了描述,并用Optisystem3.0对UNI开关窗口进行了模拟,分析延时、SOA的偏置电流、控制光功率以及连续光功率等条件对UNI开关窗口的影响,从而实现最佳的开关窗口。     

SOA注入电流及载流子寿命对UNI开关窗口的影响

对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究。由于SOA的增益与其注入电流I成正比,与载流子寿命τc成反比。基于此分析了这两种因素对UNI开关窗口的影响,加大注入电流可以提高SOA的增益,使得UNI开关窗口的高度增加;减小载流子寿命使SOA的恢复速度加快,有利于开关窗口的形成。进行了10Gb／s的UNI全光开关实验,实验中用连续光代替数据脉冲以观察窗口形状,通过改变SOA注入电流进行验证。实验表明,在窗口形状不变的条件下,应选用尽量大的SOA注入电流,可使窗口高度增加,与模拟结构基本吻合。     

双膜桥微波MEMS开关

介绍了一种双膜桥微波MEMS开关，给出了开关的设计与优化方法，建立了开关的仿真模型，使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品，其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层，然后制作具有微电感结构的金属膜桥，提高了开关隔离度。利用HFSS软件仿真的结果表明，该开关在微波低频段(3～6GHz)有着很好的隔离性能。研制的开关样品在片测试的电性能指标为：插损小于0．3dB，隔离度大于40dB，驱动电压小于24V。     

多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关

南京电子器件研究所业已研制成功的GaAsMMICDPDT开关采用全离子注入、全平面干法技术，它是一种多栅结构的MESFET功率开关。具有承受功率大、功率线性好、插人损耗小、单片集成面积小等优点。设计中采用实验建模方法取得了三栅FET的等效模型。建模中选择的三栅的椰长为1μm，椰宽为3060μm，源漏间距为11μm。GaAsMMICDPDT开关的芯片尺寸为1．41mm×1．25mm×020mm。获得的典型结果见表1。此开关的突出优点是受控电压低、功率线性好，非常适合于移动通讯中数字手机用的双刀双掷开关。多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关@陈继义…     

激光触发光导开关产生超短电磁脉冲的实验研究

本文介绍了用光导开关和微带线结构产生电脉冲的实验装置，研究了激光能量和偏置电压对光导开关输出超短电脉冲的影响和三种尺寸光导开关的特性，测得了一种低掺杂Ｃｒ：ＧａＡｓ材料的载流子寿命约为１．８ｎｓ，显示了这种装置用作高速光探测器的可能性。     

单周期控制开关电容DC-DC变换器

传统的开关电容DC-DC变换器通常采用PWM控制方法，以输出电压或者开关管的电流作为反馈信号来调节占空比，然而占空比信号的变化不能即时跟随输入电压或负载的变化，因而PWM控制方法的动态调节响应较慢。单周期控制方法是一种非线性控制技术，该技术利用开关变换器的非线性特点，对开关变量平均值实现即时的动态控制，只需在一个开关周期之内就能使开关变量平均值达到稳态，因而具有较快的响应速度。本文介绍了单周期控制方法的基本原理，并将该方法应用于一个恒定频率的升压(5V／12V)开关电容DC-DC变换器的控制．仿真结果轰明该方法是可行的。     

三极真空开关管

三极真空开关管通常所称的真空开关管在用作三相电路开关时，其本身的优点得不到充分发挥，故而三菱电机株式会社的竹内伴治发明了一种三极真空开关管。该管中设置了三对触头，只通过一个柔性波纹管和一个操作杆，就可实现三对触头的开闭。而以往真空开关管作三相电路开关...     

集成光学声光光开关的研究

在集成光学声光可调谐滤波器的基础上，研制成一种偏振无关的集成光学波导型声光光开关，由于采用声光作用实现开关功能，使得开关速度可以达到微秒量级。介绍了这种集成光学波导型声光光开关的工作原理及其基本结构，并对它的插入损耗、隔离度、开关速度这三项光开关的重要性能指标进行了具体的理论分析与计算，然后对制作成的集成光学波导型声光光开关的器件样品进行了性能测试，在室内温度为20℃，入射波长为1．523μm时，测得插入损耗为4．8dB，隔离度为22．0dB。对实验与理论的误差进行了具体分析，并提出了进一步提高其性能指标的相关途径。     

开关——信号理论与数字电路的开关级设计

本文在分析数字电路的传统设计理论中存在问题的基础上，提出了使用开关变量与信号变量来分别描写数字电路内部元件的开关状态与电路信号等二者，并由此出发建立了开关——信号理论。根据具体数字电路内部的工作原理，本文分别对CMOS与ECL等二种电路进行了讨论．并发展了相应的开关级设计技术。设计实例表明，由于设计中以开关晶体管为构造单元，因此开关级设计的电路要比传统的仃级设计具有较简单的结构。     

RF MEMS单刀四掷矩阵开关的研究

介绍了一个RF MEMS单刀四掷矩阵开关的设计，用四个串联式、电阻接触型、悬臂梁RF MEMS开关制作在微带电路板上完成。在频带1～5GHz内，单刀四掷矩阵开关的插入损耗〈0．8dB，开关隔离度〉38dB，驻波系数〈1．2。悬臂梁开关的激励电压为直流电压35～45V。     

防止机械抖动的三种可靠方法

介绍机械开关在开关时抖动的三种处理方法，它包含软件处理方法和硬件处理方法，这些方法能可靠地消除机械开关抖动的影响，使微处理器能够快速、准确地处理这些机械开关的信号。     

微光开关研究与发展现状

光开关是光通信的关键部件，是近年来通信领域的研究热点．文章介绍了微电子机械系统(MEMS)光开关的特点，从光开关的实现方式等方面分析了基于MEMS的光开关的研究与生产现状，重点介绍了国外MEMS光开关的研究与制作方法、应用水平，对发展我国的MEMS光开关提出了建议．     

纳秒超快速光开关

新型超快速光开关的实用开关速度高达10-80ns，内部没有运动部件，实测开关频率高达300kHz,插损值IL为0．8～10dB，PDL为0．1～0．3dB，PDM为0.2ns，串扰为-32dB。超快速光开关可用于制作可见光波段、近红外波段、980nm波段、1310nm波段、C和L波段的光开关。     

安森美半导体推出业内最小封装低压模拟开关

2006年1月18日-全球领先的电源管理解决方案供应商，安森美半导体针对便携和无线音频应用，推出了三种新型低电阻模拟开关。新型无铅超小6-引脚、10-引脚和16-引脚模拟开关采用1．2mm2到4．7mm2板空间，比竞争产品节约高达70％的空间。     

特种加工用的灵巧脚踏电子开关

工业上有些特种加工．如宝石的切割和抛光．要求操作工依次接通／断开两台加工机器．以便在同一工件上完成两种不同的工序．但这种加工由于要在珍贵的宝石上进行全神贯注的精细加工，因此特别麻烦．而且过分的小心翼翼也容易使人疲劳。同时在这种条件下加工不能用手．而用普通的脚踏开关由于脚不能灵活感受和控制开关的位置而显得十分笨拙。普通按键开关只能短时间地接通或断开开关的触点，它不能长时间保持在压下接通状态，因此要用双稳态的电子开关来解决加工问题。     

一种新型软开关三相PWM逆变器拓扑的研究

本文提出了一种三相交流谐振环节软开关逆变器的电路拓扑及其控制方法。该拓扑采用正负斜率交替的锯齿载波．使所有功率开关器件的计通集中征锯齿载波的垂直沿处，在此时启动辅助谐振电路，完成功率开关器件的切换。分析软开关动作模式．并对各模式的过渡过程进行数学解析。对系统进行了仿真，仿真结果表明采用该控制方法能实现逆变器功率开关器件的零电压软开关动作。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。